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創(chuàng)飛芯40nm eNT嵌入式eFlash IP通過可靠性驗證

珠海創(chuàng)飛芯科技有限公司 ? 來源:珠海創(chuàng)飛芯科技有限公司 ? 2025-08-14 11:52 ? 次閱讀
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珠海創(chuàng)飛芯科技有限公司在非易失性存儲技術領域再獲突破——基于40nm標準工藝平臺開發(fā)的eNT嵌入式eFlash IP已通過可靠性驗證!這一成果進一步展現(xiàn)了創(chuàng)飛芯科技有限公司在先進工藝節(jié)點上的技術實力與工程化能力。

技術領先,滿足多樣化市場需求

本次發(fā)布的40nm eNT嵌入式eFlash IP采用創(chuàng)新的存儲架構設計,具備高性能、高可靠性和低功耗等核心優(yōu)勢,可廣泛應用于MCU微控制器)、物聯(lián)網(wǎng)芯片、智能傳感器等領域。尤其在MCU應用中,該IP能夠為客戶提供靈活的存儲解決方案,支持代碼存儲、數(shù)據(jù)保存及固件升級等關鍵功能,滿足工業(yè)控制、消費電子對高可靠性和長壽命的嚴苛需求。

核心優(yōu)勢

高可靠性:擦寫次數(shù)可達十萬次以上,85°情況下,數(shù)據(jù)保持時間超過十年,符合消費級和工業(yè)級標準。

低功耗設計:優(yōu)化的電路架構顯著降低讀寫功耗,特別適合電池供電的物聯(lián)網(wǎng)設備及便攜式電子產(chǎn)品。

面積高效:通過創(chuàng)新的單元布局與工藝集成技術,在40nm節(jié)點實現(xiàn)更小的硅片面積,助力客戶降低芯片成本,提升集成度。

成本低:基于成熟的40nm eNT技術開發(fā),mask少,為客戶提供長期穩(wěn)定的技術支持。

關于MCU應用的突出價值

在MCU領域,嵌入式eFlash是不可或缺的核心模塊,直接影響芯片的性能與功能擴展能力。創(chuàng)飛芯的40nm eNT eFlash IP可為MCU廠商提供以下支持:

靈活的容量配置:支持從16KB至數(shù)MB的存儲容量,滿足不同應用場景需求。

快速啟動與高效運行:低延遲讀寫特性顯著提升MCU的啟動速度和實時響應能力。

高安全性:可集成硬件加密與寫保護功能,保障固件與數(shù)據(jù)安全,適用于金融支付、智能家居等高安全要求的場景。

關于珠海創(chuàng)飛芯科技有限公司

珠海創(chuàng)飛芯科技有限公司,國內(nèi)領先的一站式存儲NVM IP 供應商,作為國內(nèi)自主知識產(chǎn)權的非易失存儲IP 龍頭企業(yè),產(chǎn)品涵蓋OTP/MTP、eFlash、Nor/Nand IP、EEPROM IP與SOC 設計服務等。總部位于珠海市清華科技園,在北京、成都、沈陽設有研發(fā)機構。公司在電路設計、器件優(yōu)化、工藝集成等方面擁有雄厚的技術研發(fā)實力,持有多項國內(nèi)外發(fā)明專利。創(chuàng)始團隊均來自Micron、Spansion、AMD、Intel 等全球一流半導體公司,擁有成功的創(chuàng)業(yè)經(jīng)驗。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內(nèi)容侵權或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
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原文標題:創(chuàng)飛芯·40nm eNT(embedded nitride trap) eFlash技術取得重大突破

文章出處:【微信號:gh_6a5c2181f193,微信公眾號:珠海創(chuàng)飛芯科技有限公司】歡迎添加關注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。

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