文章來源：芯學(xué)知

原文作者：芯啟未來

本文介紹了MEMS晶圓級電鍍的優(yōu)勢與原理。

MEMS晶圓級電鍍是一種在微機電系統(tǒng)制造過程中，整個硅晶圓表面通過電化學(xué)方法選擇性沉積金屬微結(jié)構(gòu)的關(guān)鍵工藝。該技術(shù)的核心在于其晶圓級和圖形化特性：它能在同一時間對晶圓上的成千上萬個器件結(jié)構(gòu)進行批量加工，極大地提高了生產(chǎn)效率和一致性，是實現(xiàn)MEMS器件低成本、批量化制造的核心技術(shù)之一。

晶圓級電鍍的優(yōu)勢在于，第一，能夠完美填充光刻膠定義的深槽、孔洞和復(fù)雜三維圖形，這是PVD難以實現(xiàn)的；第二，低成本，電鍍金屬不同于正面薄膜沉積工藝，它只在有圖形的位置沉積，減小了金屬尤其是貴金屬的浪費；第三，厚膜沉積的選擇之一，晶圓級電鍍可以實現(xiàn)幾微米到幾十微米的金屬沉積。

MEMS晶圓級電鍍技術(shù)廣泛應(yīng)用于以下方面。

MEMS傳感器與執(zhí)行器：制造加速度計、陀螺儀中的可動質(zhì)量塊和電極；壓力傳感器中的密封環(huán)和膜片；微鏡陣列中的扭轉(zhuǎn)梁和反射面；射頻MEMS開關(guān)中的觸點等。

圖PVD和電鍍的填孔區(qū)別

晶圓級封裝（WLP）與先進封裝：凸點制備，制造用于倒裝芯片焊接的金凸塊、焊料凸塊（通常先電鍍銅柱，再電鍍錫銀等焊料）；再布線層（RDL），電鍍銅線，將芯片的焊盤重新布局到更利于封裝的位置；硅通孔（TSV）填充，為三維集成堆疊芯片，在硅片上鉆孔并用電鍍銅完全填充，實現(xiàn)垂直互連。

其他領(lǐng)域：功率器件的厚銅互聯(lián)、微流控芯片的金屬結(jié)構(gòu)、平面電感/天線的制造等。