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TPSI3050隔離式開關(guān)驅(qū)動(dòng)器技術(shù)解析與應(yīng)用指南

科技觀察員 ? 2025-09-03 10:23 ? 次閱讀
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Texas Instruments TPSI3050/TPSI3050-Q1增強(qiáng)型開關(guān)驅(qū)動(dòng)器是一款完成集成的器件,與外部電源開關(guān)結(jié)合使用時(shí),可構(gòu)成完整的隔離式固態(tài)繼電器 (SSR)。當(dāng)標(biāo)稱柵極驅(qū)動(dòng)電壓為10V、峰值拉電流和灌電流為1.5/3.0A時(shí),可以選擇多種外部電源開關(guān)來滿足各種應(yīng)用需求。

數(shù)據(jù)手冊:

*附件:TPSI3050數(shù)據(jù)手冊.pdf

*附件:TPSI3050-Q1數(shù)據(jù)手冊.pdf

The TI TPSI3050/TPSI3050-Q1增強(qiáng)型開關(guān)驅(qū)動(dòng)器可通過初級側(cè)電源自行產(chǎn)生次級偏置電源,因此無需隔離式次級電源偏置。而且,TPSI3050可以有選擇性地向外部配套電路供電,以滿足不同的應(yīng)用需求。

該器件采用SOIC 8引腳 (DWZ) 7.50mm x 5.85mm封裝。

特性

  • 無需隔離式次級電源
  • 驅(qū)動(dòng)外部功率晶體管或SCR
  • 5 kVRMS增強(qiáng)型隔離
  • 具有1.5/3A峰值拉電流和灌電流的10-V柵極驅(qū)動(dòng)
  • 適用于外部輔助電路的最高50mW電源
  • 支持交流或直流開關(guān)
  • 支持兩線或三線模式
  • 汽車級溫度范圍:–40°C至+125°C(1級),符合AEC-Q100標(biāo)準(zhǔn)的環(huán)境溫度 (TPSI3050-Q1)
  • 七電平功率傳輸,電阻可選
  • 支持功能安全
    • 來輔助功能安全系統(tǒng)設(shè)計(jì)的文檔
  • 安全相關(guān)認(rèn)證
    • 計(jì)劃:符合DIN EN IEC 60747-17 (VDE 0884-17) 標(biāo)準(zhǔn)的 7071VPK增強(qiáng)型隔離
    • 計(jì)劃:符合UL1577標(biāo)準(zhǔn)且長達(dá)1分鐘的5kVRMS隔離

示意圖

1.png

TPSI3050隔離式開關(guān)驅(qū)動(dòng)器技術(shù)解析與應(yīng)用指南

一、產(chǎn)品概述

TPSI3050是德州儀器(TI)推出的一款完全集成的隔離式開關(guān)驅(qū)動(dòng)器,與外部功率開關(guān)組合可構(gòu)成完整的隔離式固態(tài)繼電器(SSR)解決方案。該器件具有以下突出特點(diǎn):

  • ?集成10V柵極驅(qū)動(dòng)?:提供1.5A(源電流)/3.0A(灌電流)峰值驅(qū)動(dòng)能力
  • ?無需隔離輔助電源?:通過集成變壓器從初級側(cè)獲取能量
  • ?雙工作模式?:支持二線制(6.5-48V)和三線制(3-5.5V)控制
  • ?高隔離等級?:3kVRMS基礎(chǔ)隔離,符合DIN EN IEC 60747-17(VDE 0884-17)和UL1577認(rèn)證
  • ?寬溫度范圍?:-40°C至125°C工作溫度

二、核心特性

1. 創(chuàng)新的電源架構(gòu)

TPSI3050采用高頻(89MHz典型)擴(kuò)頻調(diào)制技術(shù)通過集成變壓器傳輸能量和數(shù)據(jù),具有以下優(yōu)勢:

  • 效率>90%,顯著優(yōu)于傳統(tǒng)光耦方案
  • 內(nèi)置擴(kuò)頻技術(shù)可滿足CISPR 25 Class 5 EMI標(biāo)準(zhǔn)
  • 支持7級可編程功率傳輸(RPXFR電阻選擇)

2. 靈活的驅(qū)動(dòng)配置

  • ?標(biāo)準(zhǔn)使能模式?:VDRV輸出跟隨EN輸入狀態(tài)
  • ? 單脈沖模式(TPSI3050S特有) ?:EN上升沿產(chǎn)生2.5μs脈沖,適合SCR驅(qū)動(dòng)
  • 主動(dòng)箝位保持關(guān)斷電路確保電源丟失時(shí)VDRV<2V

3. 全面的保護(hù)機(jī)制

  • 初級側(cè)欠壓鎖定(UVLO):2.5V(上升)/2.35V(下降)
  • 次級側(cè)UVLO:VDDH<6.6V(標(biāo)準(zhǔn))/7.2V(單脈沖)時(shí)關(guān)斷
  • 熱關(guān)斷保護(hù):170°C觸發(fā),32°C遲滯恢復(fù)

三、布局要點(diǎn)

  1. ?元件布置?:
    • 驅(qū)動(dòng)器盡量靠近功率器件
    • VSSS連接MOSFET源極Kelvin點(diǎn)
  2. ?去耦電容?:
    • VDDH-VDDM和VDDM-VSSS間使用低ESR陶瓷電容
    • 三線模式VDDP并聯(lián)1μF+100nF電容
  3. ?隔離設(shè)計(jì)?:
    • 器件下方避免走線,建議開槽
    • 保持初級(GNDP)和次級(VSSS)間≥8.5mm爬電距離

四、性能參數(shù)對比

參數(shù)三線模式二線模式
傳播延遲3-4.5μs(VDRV↑)260μs(VDRV↑)
最大頻率58.98kHz(20kΩ)<幾kHz
電源電流34.62mA(20kΩ)6.7mA(20kΩ)
啟動(dòng)時(shí)間482μs(470nF)依賴EN上升時(shí)間

五、典型應(yīng)用場景

  1. ?工業(yè)自動(dòng)化?:
  2. ?能源系統(tǒng)?:
  3. ?汽車電子?:
    • 車載充電器(OBC)接觸器
    • 高壓配電單元(PDU)
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