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?TPIC6A596 8位功率邏輯移位寄存器技術(shù)文檔總結(jié)

科技綠洲 ? 2025-09-08 14:41 ? 次閱讀
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TPIC6A596是一款單片、高壓、大電流電源邏輯8位移位寄存器,設(shè)計用于需要相對高負(fù)載功率的系統(tǒng)。該器件在輸出端包含一個內(nèi)置電壓鉗位,用于電感瞬態(tài)保護。電源驅(qū)動器應(yīng)用包括繼電器、螺線管和其他中電流或高壓負(fù)載。每個漏極開路DMOS晶體管都具有獨立的斬波限流電路,以防止短路時損壞。
*附件:tpic6a596.pdf

該器件包含一個 8 位串行輸入并行輸出移位寄存器,該寄存器為 8 位 D 型存儲寄存器供電。數(shù)據(jù)分別通過移位寄存器時鐘(SRCK)和寄存器時鐘(RCK)上升沿的移位寄存器和存儲寄存器傳輸。當(dāng)移位寄存器清除 (SRCLR) 為高電平時,存儲寄存器將數(shù)據(jù)傳輸?shù)捷敵鼍彌_器。寫入數(shù)據(jù)和讀取數(shù)據(jù)僅在 RCK 較低時有效。當(dāng)SRCLR為低電平時,器件中的所有寄存器都被清除。當(dāng)輸出使能G保持為高電平時,輸出緩沖器中的所有數(shù)據(jù)都保持為低電平,所有漏極輸出都關(guān)斷。當(dāng)G保持低電平時,來自存儲寄存器的數(shù)據(jù)對輸出緩沖器是透明的。串行輸出 (SER OUT) 在 SRCK 的下降沿從器件中時鐘輸出,為級聯(lián)應(yīng)用提供額外的保持時間。這將為時鐘信號可能偏斜、器件彼此不靠近或系統(tǒng)必須承受電磁干擾的應(yīng)用提供更高的性能。

輸出為低側(cè)漏極開路DMOS晶體管,輸出額定值為50V,連續(xù)灌電流能力為350mA。當(dāng)輸出緩沖器中的數(shù)據(jù)為低電平時,DMOS晶體管輸出關(guān)斷。當(dāng)數(shù)據(jù)為高電平時,DMOS晶體管輸出具有灌電流能力。

提供單獨的電源接地 (PGND) 和邏輯接地 (LGND) 端子,以促進最大的系統(tǒng)靈活性。所有PGND端子均內(nèi)部連接,每個PGND端子必須外部連接到電源系統(tǒng)接地,以盡量減少寄生阻抗。LGND 和 PGND 之間的單點連接必須以減少邏輯和負(fù)載電路之間串?dāng)_的方式從外部進行。

該TPIC6A596采用熱增強型雙列直插式 (NE) 封裝和寬體表面貼裝 (DW) 封裝。該TPIC6A596的特性是在?40°C至125°C的工作溫度范圍內(nèi)工作。

特性

  • 低 rDS(on):1Ω(典型值)
  • 輸出短路保護
  • 雪崩能量:75mJ
  • 8個350mA DMOS輸出
  • 50V 開關(guān)能力
  • 增強多級級聯(lián)
  • 所有寄存器均通過單輸入清除
  • 低功耗

參數(shù)

image.png
?1. 核心特性?

  • ?低導(dǎo)通電阻?:典型值1Ω,支持高效功率傳輸
  • ?輸出保護?:短路保護、75mJ雪崩能量耐受能力
  • ?驅(qū)動能力?:8路開漏DMOS輸出,每路350mA連續(xù)灌電流,50V開關(guān)耐壓
  • ?級聯(lián)優(yōu)化?:增強型級聯(lián)設(shè)計,支持多級擴展
  • ?控制功能?:單輸入清除所有寄存器,低功耗設(shè)計

?2. 典型應(yīng)用?

  • 汽車電子:儀表盤集群、警示燈控制
  • 工業(yè)驅(qū)動:繼電器/電磁閥驅(qū)動
  • LED系統(tǒng):照明控制與調(diào)光

?3. 關(guān)鍵功能描述?

  • ?雙寄存器結(jié)構(gòu)?:8位串入并出移位寄存器 + 8位D型存儲寄存器
    • 數(shù)據(jù)在SRCK上升沿移入移位寄存器
    • 在RCK上升沿將數(shù)據(jù)鎖存至存儲寄存器
  • ?保護機制?:
    • 獨立電流斬波限流電路防止短路損壞
    • 內(nèi)置電壓鉗位抑制感性負(fù)載瞬態(tài)
  • ?級聯(lián)支持?:SEROUT引腳在SRCK下降沿輸出數(shù)據(jù),優(yōu)化多器件時序

?4. 電氣參數(shù)要點?

參數(shù)條件典型值
工作電壓Vcc4.5-5.5V
導(dǎo)通電阻ID=350mA
工作溫度全范圍-40~125°C
時鐘頻率級聯(lián)模式≤10MHz

?5. 封裝選項?

  • ?PDIP-20? (NE):24.0×6.86mm
  • ?SOIC-24? (DW):15.4×7.5mm

?6. 設(shè)計注意事項?

  • 需單獨連接功率地(PGND)與邏輯地(LGND)
  • 上電時應(yīng)通過SRCLR引腳初始化寄存器
  • Vcc低于4.5V或高于5.5V時可能影響可靠性
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