TPIC6A596是一款單片、高壓、大電流電源邏輯8位移位寄存器，設(shè)計(jì)用于需要相對(duì)高負(fù)載功率的系統(tǒng)。該器件在輸出端包含一個(gè)內(nèi)置電壓鉗位，用于電感瞬態(tài)保護(hù)。電源驅(qū)動(dòng)器應(yīng)用包括繼電器、螺線管和其他中電流或高壓負(fù)載。每個(gè)漏極開(kāi)路DMOS晶體管都具有獨(dú)立的斬波限流電路，以防止短路時(shí)損壞。
*附件：tpic6a596.pdf

該器件包含一個(gè) 8 位串行輸入并行輸出移位寄存器，該寄存器為 8 位 D 型存儲(chǔ)寄存器供電。數(shù)據(jù)分別通過(guò)移位寄存器時(shí)鐘（SRCK）和寄存器時(shí)鐘（RCK）上升沿的移位寄存器和存儲(chǔ)寄存器傳輸。當(dāng)移位寄存器清除 （SRCLR） 為高電平時(shí)，存儲(chǔ)寄存器將數(shù)據(jù)傳輸?shù)捷敵鼍彌_器。寫(xiě)入數(shù)據(jù)和讀取數(shù)據(jù)僅在 RCK 較低時(shí)有效。當(dāng)SRCLR為低電平時(shí)，器件中的所有寄存器都被清除。當(dāng)輸出使能G保持為高電平時(shí)，輸出緩沖器中的所有數(shù)據(jù)都保持為低電平，所有漏極輸出都關(guān)斷。當(dāng)G保持低電平時(shí)，來(lái)自存儲(chǔ)寄存器的數(shù)據(jù)對(duì)輸出緩沖器是透明的。串行輸出 （SER OUT） 在 SRCK 的下降沿從器件中時(shí)鐘輸出，為級(jí)聯(lián)應(yīng)用提供額外的保持時(shí)間。這將為時(shí)鐘信號(hào)可能偏斜、器件彼此不靠近或系統(tǒng)必須承受電磁干擾的應(yīng)用提供更高的性能。

輸出為低側(cè)漏極開(kāi)路DMOS晶體管，輸出額定值為50V，連續(xù)灌電流能力為350mA。當(dāng)輸出緩沖器中的數(shù)據(jù)為低電平時(shí)，DMOS晶體管輸出關(guān)斷。當(dāng)數(shù)據(jù)為高電平時(shí)，DMOS晶體管輸出具有灌電流能力。

提供單獨(dú)的電源接地 （PGND） 和邏輯接地 （LGND） 端子，以促進(jìn)最大的系統(tǒng)靈活性。所有PGND端子均內(nèi)部連接，每個(gè)PGND端子必須外部連接到電源系統(tǒng)接地，以盡量減少寄生阻抗。LGND 和 PGND 之間的單點(diǎn)連接必須以減少邏輯和負(fù)載電路之間串?dāng)_的方式從外部進(jìn)行。

該TPIC6A596采用熱增強(qiáng)型雙列直插式 （NE） 封裝和寬體表面貼裝 （DW） 封裝。該TPIC6A596的特性是在?40°C至125°C的工作溫度范圍內(nèi)工作。

特性

• 低 rDS（on）：1Ω（典型值）
• 輸出短路保護(hù)
• 雪崩能量：75mJ
• 8個(gè)350mA DMOS輸出
• 50V 開(kāi)關(guān)能力
• 增強(qiáng)多級(jí)級(jí)聯(lián)
• 所有寄存器均通過(guò)單輸入清除
• 低功耗

參數(shù)

?1. 核心特性?

• ?低導(dǎo)通電阻?：典型值1Ω，支持高效功率傳輸
• ?輸出保護(hù)?：短路保護(hù)、75mJ雪崩能量耐受能力
• ?驅(qū)動(dòng)能力?：8路開(kāi)漏DMOS輸出，每路350mA連續(xù)灌電流，50V開(kāi)關(guān)耐壓
• ?級(jí)聯(lián)優(yōu)化?：增強(qiáng)型級(jí)聯(lián)設(shè)計(jì)，支持多級(jí)擴(kuò)展
• ?控制功能?：?jiǎn)屋斎肭宄屑拇嫫鳎凸脑O(shè)計(jì)

?2. 典型應(yīng)用?

• 汽車電子：儀表盤(pán)集群、警示燈控制
• 工業(yè)驅(qū)動(dòng)：繼電器/電磁閥驅(qū)動(dòng)
• LED系統(tǒng)：照明控制與調(diào)光

?3. 關(guān)鍵功能描述?

• ?雙寄存器結(jié)構(gòu)?：8位串入并出移位寄存器 + 8位D型存儲(chǔ)寄存器
  • 數(shù)據(jù)在SRCK上升沿移入移位寄存器
  • 在RCK上升沿將數(shù)據(jù)鎖存至存儲(chǔ)寄存器
• ?保護(hù)機(jī)制?：
  • 獨(dú)立電流斬波限流電路防止短路損壞
  • 內(nèi)置電壓鉗位抑制感性負(fù)載瞬態(tài)
• ?級(jí)聯(lián)支持?：SEROUT引腳在SRCK下降沿輸出數(shù)據(jù)，優(yōu)化多器件時(shí)序

?4. 電氣參數(shù)要點(diǎn)?

?5. 封裝選項(xiàng)?

• ?PDIP-20? (NE)：24.0×6.86mm
• ?SOIC-24? (DW)：15.4×7.5mm

?6. 設(shè)計(jì)注意事項(xiàng)?

• 需單獨(dú)連接功率地(PGND)與邏輯地(LGND)
• 上電時(shí)應(yīng)通過(guò)SRCLR引腳初始化寄存器
• Vcc低于4.5V或高于5.5V時(shí)可能影響可靠性