該TPIC6595是一款單片、高壓、大電流功率的8位移位寄存器，設(shè)計用于需要相對較高負(fù)載功率的系統(tǒng)。該器件在輸出端包含一個內(nèi)置電壓鉗位，用于電感瞬態(tài)保護。功率驅(qū)動器應(yīng)用包括繼電器、螺線管和其他中電流或高壓負(fù)載。

該器件包含一個 8 位串行輸入、并行輸出移位寄存器，該寄存器為 8 位 D 型存儲寄存器供電。數(shù)據(jù)分別通過移位寄存器時鐘 （SRCK） 和寄存器時鐘 （RCK） 上升沿的移位寄存器和存儲寄存器傳輸。當(dāng)移位寄存器清除 （SRCLR） 為高電平時，存儲寄存器將數(shù)據(jù)傳輸?shù)捷敵鼍彌_器。寫入數(shù)據(jù)和讀取數(shù)據(jù)僅在 RCK 較低時有效。當(dāng)SRCLR為低電平時，輸入移位寄存器被清除。當(dāng)輸出使能（G）保持為高電平時，輸出緩沖器中的所有數(shù)據(jù)都保持為低電平，并且所有漏極輸出都關(guān)斷。當(dāng)G保持低電平時，來自存儲寄存器的數(shù)據(jù)對輸出緩沖器是透明的。串行輸出 （SER OUT） 允許將數(shù)據(jù)從移位寄存器級聯(lián)到其他器件。
*附件：tpic6595.pdf

輸出為低側(cè)漏極開路DMOS晶體管，輸出額定值為45V，連續(xù)灌電流能力為250mA。當(dāng)輸出緩沖器中的數(shù)據(jù)為低電平時，DMOS晶體管輸出關(guān)斷。當(dāng)數(shù)據(jù)為高電平時，DMOS晶體管輸出具有灌電流能力。

提供單獨的電源和邏輯電平接地引腳，以促進最大的系統(tǒng)靈活性。引腳 1、10、11 和 20 是內(nèi)部連接的，每個引腳必須從外部連接到電源系統(tǒng)接地，以最大限度地減少寄生電感。引腳 19 邏輯接地 （LGND） 和引腳 1、10、11 和 20 電源接地 （PGND） 之間的單點連接必須以減少邏輯和負(fù)載電路之間串?dāng)_的方式進行外部連接。該TPIC6595的特性是在?40°C至125°C的工作外殼溫度范圍內(nèi)工作。

特性

• 低 rDS（on）：1.3Ω 典型值
• 雪崩能量：75mJ
• 八個功率 DMOS 晶體管輸出，連續(xù)電流為 250mA
• 每個輸出 1.5A 脈沖電流
• 45V 時的輸出鉗位電壓
• 設(shè)備可以級聯(lián)
• 低功耗

參數(shù)

方框圖

?1. 核心特性?

• ?低導(dǎo)通電阻?：典型值1.3Ω，支持高效功率傳輸
• ?高電流輸出?：8路開漏DMOS晶體管，每路250mA連續(xù)電流/1.5A脈沖電流
• ?電壓保護?：集成45V輸出鉗位，75mJ雪崩能量保護
• ?級聯(lián)功能?：通過SER OUT引腳支持多設(shè)備串聯(lián)
• ?寬溫工作?：-40°C至125°C工業(yè)級溫度范圍

?2. 典型應(yīng)用?

• 汽車電子：儀表盤集群、指示燈驅(qū)動
• 工業(yè)控制：繼電器/電磁閥驅(qū)動
• LED照明：多通道LED矩陣控制

?3. 關(guān)鍵功能描述?

• ?雙寄存器架構(gòu)?：8位串入并出移位寄存器 + 8位D型存儲寄存器
  • 數(shù)據(jù)在SRCK上升沿移位，RCK上升沿鎖存
  • SRCLR低電平清除寄存器
• ?輸出控制?：
  • G引腳高電平時關(guān)閉所有輸出
  • 支持PWM全局調(diào)光
• ?級聯(lián)設(shè)計?：通過SER IN/SER OUT實現(xiàn)設(shè)備擴展

?4. 電氣參數(shù)要點?

?5. 封裝選項?

• ?SOIC-20? (12.8×7.5mm)
• ?PDIP-20? (25.4×6.35mm)

?6. 設(shè)計注意事項?

• 需單獨連接邏輯地(LGND)與功率地(PGND)以降低干擾
• 工作電壓低于4.5V時性能不保證
• 長期超5.5V工作可能影響可靠性