該TPIC6595是一款單片、高壓、大電流功率的8位移位寄存器,設(shè)計(jì)用于需要相對較高負(fù)載功率的系統(tǒng)。該器件在輸出端包含一個(gè)內(nèi)置電壓鉗位,用于電感瞬態(tài)保護(hù)。功率驅(qū)動(dòng)器應(yīng)用包括繼電器、螺線管和其他中電流或高壓負(fù)載。
該器件包含一個(gè) 8 位串行輸入、并行輸出移位寄存器,該寄存器為 8 位 D 型存儲(chǔ)寄存器供電。數(shù)據(jù)分別通過移位寄存器時(shí)鐘 (SRCK) 和寄存器時(shí)鐘 (RCK) 上升沿的移位寄存器和存儲(chǔ)寄存器傳輸。當(dāng)移位寄存器清除 (SRCLR) 為高電平時(shí),存儲(chǔ)寄存器將數(shù)據(jù)傳輸?shù)捷敵鼍彌_器。寫入數(shù)據(jù)和讀取數(shù)據(jù)僅在 RCK 較低時(shí)有效。當(dāng)SRCLR為低電平時(shí),輸入移位寄存器被清除。當(dāng)輸出使能(G)保持為高電平時(shí),輸出緩沖器中的所有數(shù)據(jù)都保持為低電平,并且所有漏極輸出都關(guān)斷。當(dāng)G保持低電平時(shí),來自存儲(chǔ)寄存器的數(shù)據(jù)對輸出緩沖器是透明的。串行輸出 (SER OUT) 允許將數(shù)據(jù)從移位寄存器級聯(lián)到其他器件。
*附件:tpic6595.pdf
輸出為低側(cè)漏極開路DMOS晶體管,輸出額定值為45V,連續(xù)灌電流能力為250mA。當(dāng)輸出緩沖器中的數(shù)據(jù)為低電平時(shí),DMOS晶體管輸出關(guān)斷。當(dāng)數(shù)據(jù)為高電平時(shí),DMOS晶體管輸出具有灌電流能力。
提供單獨(dú)的電源和邏輯電平接地引腳,以促進(jìn)最大的系統(tǒng)靈活性。引腳 1、10、11 和 20 是內(nèi)部連接的,每個(gè)引腳必須從外部連接到電源系統(tǒng)接地,以最大限度地減少寄生電感。引腳 19 邏輯接地 (LGND) 和引腳 1、10、11 和 20 電源接地 (PGND) 之間的單點(diǎn)連接必須以減少邏輯和負(fù)載電路之間串?dāng)_的方式進(jìn)行外部連接。該TPIC6595的特性是在?40°C至125°C的工作外殼溫度范圍內(nèi)工作。
特性
- 低 rDS(on):1.3Ω 典型值
- 雪崩能量:75mJ
- 八個(gè)功率 DMOS 晶體管輸出,連續(xù)電流為 250mA
- 每個(gè)輸出 1.5A 脈沖電流
- 45V 時(shí)的輸出鉗位電壓
- 設(shè)備可以級聯(lián)
- 低功耗
參數(shù)
方框圖

?1. 核心特性?
- ?低導(dǎo)通電阻?:典型值1.3Ω,支持高效功率傳輸
- ?高電流輸出?:8路開漏DMOS晶體管,每路250mA連續(xù)電流/1.5A脈沖電流
- ?電壓保護(hù)?:集成45V輸出鉗位,75mJ雪崩能量保護(hù)
- ?級聯(lián)功能?:通過SER OUT引腳支持多設(shè)備串聯(lián)
- ?寬溫工作?:-40°C至125°C工業(yè)級溫度范圍
?2. 典型應(yīng)用?
?3. 關(guān)鍵功能描述?
- ?雙寄存器架構(gòu)?:8位串入并出移位寄存器 + 8位D型存儲(chǔ)寄存器
- 數(shù)據(jù)在SRCK上升沿移位,RCK上升沿鎖存
- SRCLR低電平清除寄存器
- ?輸出控制?:
- G引腳高電平時(shí)關(guān)閉所有輸出
- 支持PWM全局調(diào)光
- ?級聯(lián)設(shè)計(jì)?:通過SER IN/SER OUT實(shí)現(xiàn)設(shè)備擴(kuò)展
?4. 電氣參數(shù)要點(diǎn)?
| 參數(shù) | 條件 | 典型值 |
|---|---|---|
| 工作電壓 | VCC | 4.5-5.5V |
| 導(dǎo)通電阻 | ID=250mA | 1.3Ω |
| 傳輸延遲 | CL=30pF | 650ns |
| 功耗 | 八路全開 | ≤1125mW |
?5. 封裝選項(xiàng)?
- ?SOIC-20? (12.8×7.5mm)
- ?PDIP-20? (25.4×6.35mm)
?6. 設(shè)計(jì)注意事項(xiàng)?
- 需單獨(dú)連接邏輯地(LGND)與功率地(PGND)以降低干擾
- 工作電壓低于4.5V時(shí)性能不保證
- 長期超5.5V工作可能影響可靠性
-
繼電器
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