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全面升級!度亙推出793nm高功率光纖耦合模塊系列——基于高功率高亮度芯片助力2μm激光器泵浦技術(shù)升級 !

度亙激光技術(shù)(蘇州)有限公司 ? 2025-09-09 20:08 ? 次閱讀
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在工業(yè)制造與生物醫(yī)療領(lǐng)域持續(xù)發(fā)展的當下,2μm光纖激光器憑借其獨特性能,成為工業(yè)非金屬加工、微創(chuàng)醫(yī)療等場景的關(guān)鍵技術(shù)支撐。度亙聚焦行業(yè)需求,依托強大的新品及封裝平臺,推出793nm高功率光纖耦合模塊系列,以度亙高功率半導體激光芯片為核心,為2μm激光器泵浦技術(shù)發(fā)展注入新動能,助力高功率2μm摻銩光纖激光器產(chǎn)品升級換代。度亙核芯此次推出的高功率793nm 泵浦模塊具有高可靠性、高穩(wěn)定性、高性價比等優(yōu)勢,可拓寬2μm光纖激光器應用場景,更有助于推動相關(guān)產(chǎn)業(yè)技術(shù)升級。

技術(shù)難點

直面行業(yè)痛點

以技術(shù)創(chuàng)新破局

在2μm激光產(chǎn)品應用不斷拓展的情況下,793nm 泵浦模塊發(fā)展發(fā)展長期受困于“功率低、成本高、可靠性弱”三大核心痛點,成為產(chǎn)業(yè)升級的“攔路虎”,表現(xiàn)在以下幾個方面:


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功率天花板難突破:

受量子阱材料增益低、載流子泄露嚴重等限制,傳統(tǒng)芯片單管輸出功率被限制在10W;若要實現(xiàn)模塊300W及以上功率輸出,至少需38顆 10W 芯片,等同976nm波段光纖耦合模塊1000W功率輸出,進一步提升模塊功率難度加大、可靠性低。

?

系統(tǒng)成本居高不下:

低功率芯片倒逼串聯(lián)數(shù)量的增加,直接導致光學元件數(shù)量增加、封裝工時延長,良品率的下降,制造成本高。

?

可靠性危機凸顯:

高功率793nm 芯片的光子能量(≈1.57 eV)已接近GaAs表面氧化激活能,導致腔面光化學降解速率加快,COMD(腔面災變損傷)閾值大幅降低,影響產(chǎn)品長期可靠性。


開發(fā)成果

自主研發(fā)15W芯片

定義產(chǎn)品核心競爭力

針對行業(yè)痛點與市場需求,度亙核芯成功研發(fā)并量產(chǎn)15W高功率芯片,并推出系列光纖耦合模塊,從功率、效率、可靠性等維度實現(xiàn)突破:


?

高功率、高效率,突破性能上限:

在芯片外延技術(shù)方面,度亙通過優(yōu)化量子阱生長條件,有效降低外延缺陷密度,量子阱增益顯著提升;同時調(diào)整外延結(jié)構(gòu),提高載流子限制能力,實現(xiàn)芯片閾值電流密度降低與斜率效率提升,在15A電流下輸出光功率15W,滿足高功率應用需求。

?

高可靠性保障:

在器件結(jié)構(gòu)和工藝方面,通過優(yōu)化表面金屬工藝及腔面鍍膜材料,成功解決了793nm光子能量高帶來的腔面光化學降解速率加快的問題,COMD閾值顯著提高,激光器芯片實現(xiàn)高可靠性工作,在25℃、CW 15W的使用條件下,壽命保證20000H,QCW 18A 10%占空比超調(diào)使用壽命保證100000H。


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793nm 15W單管典型LIV曲線


形成系列產(chǎn)品

芯片系列產(chǎn)品

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度亙基于自主研發(fā)的高功率15W芯片,推出高功率光纖耦合塊,形成220μm 120W、180W、300W系列產(chǎn)品,滿足市面上2μm激光器方案,極具性價比。


模塊系列產(chǎn)品

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系列產(chǎn)品外形尺寸及典型LIV曲線圖


793nm 120W光纖耦合模塊


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產(chǎn)品外形尺寸


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典型LIV曲線


793nm 180W光纖耦合模塊


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產(chǎn)品外形尺寸


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典型LIV曲線


793nm 300W光纖耦合模塊


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產(chǎn)品外形尺寸


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典型LIV曲線


度亙始終以深耕激光“心臟”技術(shù)為使命,持續(xù)迭代芯片與模塊技術(shù),與產(chǎn)品應用拓展提供硬核支撐,以 “中國芯”賦能全球激光產(chǎn)業(yè)革新,讓世界看見中國光的力量!

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