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基于LMG3422EVM-041半橋子卡的GaN功率模塊設(shè)計(jì)與應(yīng)用

科技觀察員 ? 2025-09-11 09:39 ? 次閱讀
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Texas Instruments LMG3422EVM-041半橋子卡在半橋中配置兩個(gè)LMG3422R050 GaN FET。它具有鎖存過流保護(hù)功能和所有必要的輔助外設(shè)電路。該評(píng)估模塊設(shè)計(jì)用于與大型系統(tǒng)配合使用。該評(píng)估板設(shè)有必要的功率級(jí)和柵極驅(qū)動(dòng)高頻電流環(huán)路,可最大限度地降低電源環(huán)路寄生電感,減少電壓過沖,并提高性能。Texas Instruments LMG342XEVM-04X配置為插座式外部連接,可輕松連接外部功率級(jí),從而在各種應(yīng)用中運(yùn)行LMG342XR0X0。

數(shù)據(jù)手冊(cè):*附件:Texas Instruments LMG3422EVM-041半橋子卡數(shù)據(jù)手冊(cè).pdf

特性

  • 輸入電壓高達(dá)600V
  • 簡(jiǎn)單的開環(huán)設(shè)計(jì),用于評(píng)估LMG342XR0XX的性能
  • 板載單/雙PWM信號(hào)輸入,用于死區(qū)時(shí)間可變的PWM信號(hào)
  • 逐周期過流保護(hù)功能
  • 便利的探測(cè)點(diǎn),用于邏輯和功率級(jí)測(cè)量,示波器探頭具有短接地彈簧探頭

板布局

1.png

基于LMG3422EVM-041半橋子卡的GaN功率模塊設(shè)計(jì)與應(yīng)用

一、LMG3422EVM-041概述

LMG3422EVM-041是德州儀器(TI)推出的一款采用GaN(氮化鎵)技術(shù)的半橋評(píng)估模塊,具有以下核心特性:

  • ?集成化設(shè)計(jì)?:包含兩個(gè)LMG342XR0X0 600V GaN FET,集成驅(qū)動(dòng)和保護(hù)電路
  • ?高性能拓?fù)?/strong>?:采用優(yōu)化的半橋配置,所有必需偏置電路和邏輯/電源電平轉(zhuǎn)換均集成在板上
  • ?低寄生參數(shù)設(shè)計(jì)?:關(guān)鍵功率級(jí)和柵極驅(qū)動(dòng)高頻電流回路采用全封閉布局,最小化功率環(huán)路寄生電感
  • ?靈活接口?:采用插座式外部連接設(shè)計(jì),便于與外部功率級(jí)接口

二、關(guān)鍵技術(shù)特性

2.1 保護(hù)功能

  • ?多重保護(hù)機(jī)制?:
    • 過溫保護(hù)(OTP)
    • 過流保護(hù)(OCP)
    • 短路保護(hù)(SCP)
    • 欠壓鎖定(UVLO)
  • ?故障指示?:通過FAULT和OC引腳提供狀態(tài)反饋,信號(hào)電平轉(zhuǎn)換至AGND參考

2.2 工作參數(shù)

  • ?電壓范圍?:
    • 推薦工作電壓:≤480V
    • 絕對(duì)最大電壓:600V
  • ?邏輯兼容性?:支持3.3V和5V邏輯輸入
  • ?溫度監(jiān)測(cè)?:提供實(shí)時(shí)數(shù)字輸出,其占空比反映器件結(jié)溫

三、典型應(yīng)用場(chǎng)景

3.1 功率轉(zhuǎn)換拓?fù)?/h3>
  • ?AC/DC轉(zhuǎn)換器?:特別適合圖騰柱PFC拓?fù)?/li>
  • ?DC/DC轉(zhuǎn)換器?:包括同步Buck/Boost轉(zhuǎn)換器
  • ?逆變器系統(tǒng)?:適用于高頻開關(guān)應(yīng)用
  • ?隔離式拓?fù)?/strong>?:如相移全橋和LLC諧振轉(zhuǎn)換器

3.2 評(píng)估系統(tǒng)配置

TI提供兩種配套母板選擇:

  1. ?LMG342X-BB-EVM?:
    • 支持高達(dá)4kW功率
    • 集成互補(bǔ)PWM生成電路
    • 可調(diào)死區(qū)時(shí)間設(shè)計(jì)
  2. ?LMG34XX-BB-EVM?:
    • 支持1.7kW功率
    • 默認(rèn)50ns死區(qū)時(shí)間
    • 需搭配專用轉(zhuǎn)接板使用

四、設(shè)計(jì)要點(diǎn)與布局指南

4.1 熱管理設(shè)計(jì)

  • ?散熱方案?:
    • 采用S05MZZ12-A散熱器
    • 使用GR80A-0H-50GY導(dǎo)熱界面材料(導(dǎo)熱系數(shù)8W/m·K,厚度0.5mm)
    • 優(yōu)化熱過孔布局
  • ?PCB設(shè)計(jì)建議?:
    • 優(yōu)先選用4層或更多層板
    • 采用非阻焊定義(NSMD)焊盤
    • 填充并平面化熱過孔

4.2 關(guān)鍵電路設(shè)計(jì)

  1. ?柵極驅(qū)動(dòng)電路?:
    • 推薦使用ISO77xxF系列數(shù)字隔離器
    • 在FAULT和OC信號(hào)輸出端添加RC濾波
    • RDRV引腳并聯(lián)100pF電容抑制高頻噪聲
  2. ?自舉電源設(shè)計(jì)?:

五、測(cè)試與評(píng)估

5.1 測(cè)試設(shè)備要求

  • ?電源?:0-480V可調(diào)DC電源
  • ?儀器?:
    • ≥200MHz示波器(推薦1GHz)
    • 高帶寬高壓探頭
    • 帶短接地彈簧的探頭
  • ?輔助設(shè)備?:
    • 12V/1.5A偏置電源
    • 0-5V PWM信號(hào)發(fā)生器
    • 主動(dòng)散熱系統(tǒng)

5.2 典型測(cè)試結(jié)果

在400V輸入/200V輸出的同步Buck測(cè)試中:

  • ?開關(guān)性能?:
    • 20kΩ Rdrv電阻下:85V/ns轉(zhuǎn)換速率(400V/20A)
    • 可調(diào)范圍:30V/ns至150V/ns
  • ?功率等級(jí)?:
    • 連續(xù)工作可達(dá)4kW(帶散熱器)

六、設(shè)計(jì)參考與材料清單

6.1 推薦封裝

模塊采用優(yōu)化的QFN-54封裝,關(guān)鍵引腳分配:

  • 引腳1,16:連接DRAIN(必須獨(dú)立布線)
  • 引腳17,54:連接SOURCE/GND和散熱焊盤

6.2 關(guān)鍵元件選型

  • ?柵極驅(qū)動(dòng)電阻?:20kΩ(對(duì)應(yīng)100V/ns轉(zhuǎn)換速率)
  • ?自舉二極管?:600V SOD-123封裝器件
  • ?隔離器件?:ISO7741F(四通道)和ISO7762F(六通道)

七、安全操作指南

  1. ?工作環(huán)境?:
    • 僅限專業(yè)開發(fā)實(shí)驗(yàn)室使用
    • 需配備合格觀察人員
    • 設(shè)置高壓警示標(biāo)識(shí)
  2. ?個(gè)人防護(hù)?:
    • 佩戴絕緣手套和護(hù)目鏡
    • 使用絕緣工具操作
  3. ?上電規(guī)程?:
    • 先確認(rèn)所有連接正確
    • 從低壓開始逐步升高輸入電壓
    • 禁止在最大額定電壓下直接啟動(dòng)
  4. ?故障處理?:
    • 出現(xiàn)FAULT信號(hào)應(yīng)立即關(guān)斷所有開關(guān)管
    • 檢查散熱條件是否滿足要求

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