TTexas Instruments LMG342xEVM-04x子板將兩個LMG342xR0x0 GaN FET配置在一個半橋中,具有鎖存過流保護功能和所有必要的輔助外圍電路。Texas Instruments LMG342xEVM-04x設(shè)計用于與大型系統(tǒng)搭配使用。
數(shù)據(jù)手冊:*附件:Texas Instruments LMG342xEVM-04x半橋子卡數(shù)據(jù)手冊.pdf
特性
- 輸入電壓高達600 V
- 簡單的開環(huán)設(shè)計,用于評估LMG342xR0xx的性能
- 板載單/雙PWM信號輸入,用于死區(qū)時間可變的PWM信號
- 逐周期過流保護功能
- 便利的探測點,用于邏輯和功率級測量,示波器探頭具有短接地彈簧探頭
框圖

基于LMG342XEVM-04X半橋子卡的GaN功率器件設(shè)計與應(yīng)用
LMG342XEVM-04X核心特性解析
集成化設(shè)計優(yōu)勢
LMG342XEVM-04X采用創(chuàng)新設(shè)計,將兩個LMG342XR0X0 600V GaN FET與集成驅(qū)動器和保護電路組合在半橋配置中。這種高度集成的設(shè)計包含了所有必需的偏置電路和邏輯/電源電平轉(zhuǎn)換,顯著簡化了系統(tǒng)設(shè)計。
關(guān)鍵性能參數(shù)
- ?電壓規(guī)格?:最大推薦工作電壓480V,絕對最大電壓600V
- ?保護功能?:集成了過溫、過流、短路和欠壓鎖定保護
- ?邏輯兼容性?:支持3.3V和5V邏輯輸入
- ?實時監(jiān)測?:提供反映器件結(jié)溫的實時數(shù)字輸出
評估模塊的硬件架構(gòu)
功率回路優(yōu)化設(shè)計
該評估模塊的一個顯著特點是其優(yōu)化的功率回路布局。所有電源級和柵極驅(qū)動的高頻電流回路都完全封閉在板上,最大限度地減少了功率回路寄生電感。這種設(shè)計帶來了兩大優(yōu)勢:
- 降低電壓過沖
- 提高整體開關(guān)性能
接口設(shè)計特點
模塊采用插座式外部連接設(shè)計,便于與外部電源級接口,支持在各種應(yīng)用中靈活使用LMG342XR0X0器件。評估模塊提供了12個邏輯引腳和6個電源引腳,具體功能包括:
- 低側(cè)和高側(cè)PWM輸入
- 故障和過流指示輸出
- 溫度監(jiān)測輸出
- 電源和接地連接
典型應(yīng)用場景
電力電子轉(zhuǎn)換拓?fù)?/h3>
LMG342XEVM-04X特別適合以下應(yīng)用場景:
- ?圖騰柱PFC轉(zhuǎn)換器?:利用GaN的高頻優(yōu)勢實現(xiàn)高效率功率因數(shù)校正
- ?相移全橋或LLC轉(zhuǎn)換器?:適用于隔離型DC/DC轉(zhuǎn)換
- ?逆變器應(yīng)用?:用于太陽能逆變器或電機驅(qū)動
- ?Buck或Boost轉(zhuǎn)換器?:實現(xiàn)非隔離的電壓轉(zhuǎn)換
與主板配合使用
TI提供了兩款配套主板(LMG342X-BB-EVM和LMG34XX-BB-EVM)用于評估:
- ?LMG342X-BB-EVM?:支持高達4kW功率
- ?LMG34XX-BB-EVM?:提供最高1.7kW功率
這些主板設(shè)計用于在開環(huán)同步Buck或Boost轉(zhuǎn)換器中運行LMG342XR0X0。
安全操作指南
高壓安全注意事項
由于涉及高壓操作,使用LMG342XEVM-04X時必須嚴(yán)格遵守安全規(guī)范:
- ?工作區(qū)域安全?:
- 保持工作區(qū)域清潔有序
- 電路通電時必須有合格的觀察人員在場
- 使用隔離測試設(shè)備,配備過壓和過流保護
- ?電氣安全措施?:
- 進行任何電氣測量前,斷開EVM所有輸入、輸出和電氣負(fù)載
- 假設(shè)EVM可能完全接入高壓,采取適當(dāng)預(yù)防措施
- 通電時切勿觸摸EVM或其電路
- ?個人防護裝備?:
- 佩戴乳膠手套和帶側(cè)罩的安全眼鏡
- 考慮使用帶聯(lián)鎖裝置的半透明塑料盒保護EVM
熱管理方案
散熱設(shè)計考量
評估模塊安裝了散熱器以幫助LMG342XR0X0散熱。關(guān)鍵熱設(shè)計要素包括:
- ?銅墊設(shè)計?:裸露的銅墊連接到器件上的DAP(Die Attach Pad),為散熱器提供低熱阻抗點
- ?隔離要求?:兩個銅墊之間存在高電勢差,需要使用電隔離的熱界面材料(TIM)
- ?推薦材料?:使用"S05MZZ12-A"散熱器和"GR80A-0H-50GY"TIM(熱導(dǎo)率8W/m·K,厚度0.5mm)
封裝與PCB熱設(shè)計
為實現(xiàn)最佳熱性能,TI建議:
- 采用四層或更多層PCB以減少布局寄生電感
- 熱墊中填充熱過孔并平面化
- 遵循器件數(shù)據(jù)表中的布局指南優(yōu)化焊點可靠性
測試與驗證方法
必備測試設(shè)備
使用LMG342XEVM-04X進行評估需要以下設(shè)備:
- ?直流電壓源?:能夠提供高達480V的輸入
- ?直流偏置源?:12V輸出,電流能力達1.5A
- ?函數(shù)發(fā)生器?:產(chǎn)生0-5V方波,具有可調(diào)占空比和頻率
- ?示波器?:至少200MHz帶寬,推薦1GHz以上
- ?直流萬用表?:能夠測量600V電壓
- ?直流負(fù)載?:600V工作電壓,電流能力達20A
推薦測試條件
TI建議在硬開關(guān)轉(zhuǎn)換器中使用50kHz至200kHz的開關(guān)頻率操作LMG342XEVM-04X和主板。對于更高功率水平,建議使用外部電感。
設(shè)計指導(dǎo)與最佳實踐
布局建議
- ?隔離器選擇?:推薦使用ISO77xxF系列,其在載波信號受共模噪聲影響時默認(rèn)輸出低電平
- ?濾波設(shè)計?:在隔離器輸出的FAULT和OC信號上添加RC濾波器以減少CMTI噪聲
- ?斜率控制?:通過改變RDRV引腳連接電阻可調(diào)整GaN器件的斜率速率
自舉模式配置
評估模塊可修改為在自舉模式下工作,其中12V偏置電壓用于為兩個LMG342XR0X0器件供電。實現(xiàn)此模式需要進行以下修改:
- 移除R1
- 在R2上放置2Ω電阻
- 在D1上放置600V SOD-123二極管
- 將低側(cè)Rdrv電阻調(diào)整為70kΩ以上(對應(yīng)斜率速率低于60V/ns)
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