全新EVG?40 D2W套刻精度計(jì)量系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)每顆芯片100%測(cè)量，吞吐量達(dá)行業(yè)基準(zhǔn)15倍

2025年9月8日，奧地利圣弗洛里安——全球領(lǐng)先的先進(jìn)半導(dǎo)體工藝解決方案與技術(shù)提供商EV 集團(tuán)（EVG）今日發(fā)布EVG?40 D2W——業(yè)界首款專(zhuān)用于晶粒對(duì)晶圓（Die-to-Wafer, D2W）套刻精度計(jì)量的測(cè)量平臺(tái)。該系統(tǒng)可在300毫米晶圓上實(shí)現(xiàn)每顆芯片的100%套刻精度測(cè)量，同時(shí)具備量產(chǎn)所需的高精度與高吞吐性能。相比面向混合鍵合計(jì)量設(shè)計(jì)的行業(yè)基準(zhǔn)機(jī)型EVG?40 NT2，EVG40 D2W吞吐量提升高達(dá)15倍，助力芯片制造商快速驗(yàn)證晶粒放置精度、實(shí)時(shí)實(shí)施工藝糾正，從而提升工藝控制水平與大規(guī)模量產(chǎn)（HVM）良率。

EVG40 D2W適用于所有D2W鍵合應(yīng)用場(chǎng)景，包括芯粒集成、高帶寬內(nèi)存（HBM）堆疊及三維系統(tǒng)級(jí)芯片（3D SoC）集成等先進(jìn)工藝，為人工智能（AI）、高性能計(jì)算（HPC）、數(shù)據(jù)中心等高需求應(yīng)用提供支持。目前，多套EVG40 D2W系統(tǒng)已在客戶產(chǎn)線完成安裝并投入大規(guī)模量產(chǎn)服務(wù)。

EVG?40 D2W系統(tǒng)是首款專(zhuān)用于芯片到晶圓（D2W）套刻精度檢測(cè)的平臺(tái)，能夠在300毫米晶圓上實(shí)現(xiàn)100%芯片套刻精度測(cè)量，并具備生產(chǎn)環(huán)境所需的高精度與高速性能。（來(lái)源：EV Group）

D2W鍵合技術(shù)推動(dòng)高性能器件發(fā)展

D2W鍵合技術(shù)可將不同尺寸、材料和功能的晶粒或芯粒集成于單一器件或封裝中，是實(shí)現(xiàn)AI、自動(dòng)駕駛等高算力低功耗應(yīng)用的關(guān)鍵路徑。隨著3D封裝互連間距持續(xù)微縮，鍵合對(duì)準(zhǔn)與套刻精度工藝不僅需追求更高精度，還必須實(shí)現(xiàn)更高覆蓋率的測(cè)量，以識(shí)別可能導(dǎo)致銅焊盤(pán)或鍵合界面錯(cuò)位導(dǎo)致的良率損失的套刻精度偏差。

傳統(tǒng)套刻精度量測(cè)方法難以匹配D2W鍵合需求

當(dāng)前D2W套刻精度計(jì)量系統(tǒng)大多沿用晶圓對(duì)晶圓（W2W）鍵合中采用的“移動(dòng)-采集-測(cè)量”技術(shù)，雖精度達(dá)標(biāo)，卻無(wú)法滿足D2W所需吞吐量。為提升運(yùn)行速度，這類(lèi)系統(tǒng)往往減少采樣點(diǎn)，導(dǎo)致對(duì)準(zhǔn)信息不充分，影響工藝校正的準(zhǔn)確性。此外，集成于拾取與放置D2W鍵合系統(tǒng)中的計(jì)量模塊靈活度有限，也難以滿足前沿應(yīng)用的精度要求。

EVG40 D2W：專(zhuān)為D2W套刻精度量測(cè)方案打造的系統(tǒng)

EVG40 D2W通過(guò)多項(xiàng)硬件與軟件創(chuàng)新，在不犧牲吞吐量的前提下，實(shí)現(xiàn)300毫米晶圓所有芯片的100%套刻精度測(cè)量：

提升吞吐量：?jiǎn)未螔呙杓纯赏酵瓿删ЯＥc基底晶圓對(duì)準(zhǔn)標(biāo)志的雙層測(cè)量

高速精準(zhǔn)定位：全新平臺(tái)設(shè)計(jì)確保影像采集與載臺(tái)移動(dòng)同步

穩(wěn)定精度表現(xiàn)：優(yōu)化光源系統(tǒng)，提供穩(wěn)定照明，確保測(cè)量穩(wěn)定性

高質(zhì)量成像：大焦深補(bǔ)償技術(shù)保障對(duì)準(zhǔn)標(biāo)志在不同焦平面仍具備高信噪比

EV 集團(tuán)在混合鍵合套刻精度控制方面實(shí)現(xiàn)重大突破

EV 集團(tuán)執(zhí)行技術(shù)總監(jiān)Paul Lindner表示：“作為混合鍵合領(lǐng)域的技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)者和解決方案提供商，EVG始終致力于推動(dòng)新產(chǎn)品與新技術(shù)的研發(fā)，不斷突破性能極限，以解決客戶最復(fù)雜的集成挑戰(zhàn)。晶圓對(duì)晶圓鍵合工藝因集成多種芯片類(lèi)型、制程節(jié)點(diǎn)和材料而尤為復(fù)雜，要在量產(chǎn)環(huán)境中實(shí)現(xiàn)全面量測(cè)并優(yōu)化工藝，同時(shí)不損失吞吐量，是一項(xiàng)巨大挑戰(zhàn)。我們很高興推出全新專(zhuān)用量測(cè)設(shè)備EVG40 D2W，該設(shè)備專(zhuān)門(mén)為D2W測(cè)量量身打造，具備同類(lèi)產(chǎn)品中最高的吞吐性能。我們期待與客戶和合作伙伴緊密協(xié)作，借助這一全新的D2W鍵合解決方案優(yōu)化混合鍵合工藝，共同推動(dòng)其新一代產(chǎn)品的成功?！?/p>

EVG40 D2W主要特性與優(yōu)勢(shì)

四分鐘內(nèi)可完成高達(dá)2800個(gè)套刻精度測(cè)量點(diǎn)，提供全芯片定位反饋，吞吐性能無(wú)影響

測(cè)量精度滿足前沿D2W鍵合應(yīng)用要求

采用先進(jìn)建模計(jì)算每顆晶粒的位置、形變、旋轉(zhuǎn)及偏移量

實(shí)時(shí)反饋測(cè)量數(shù)據(jù)至晶圓廠主機(jī)系統(tǒng)，優(yōu)化后續(xù)批次的D2W套刻精度與鍵合工藝

兼容第三方D2W鍵合設(shè)備，確保高質(zhì)量工藝控制

與EVG旗下D2W鍵合工具組合（如EVG320 D2W表面激活與清洗系統(tǒng)）協(xié)同使用

產(chǎn)品上市信息

EVG已開(kāi)始接受EVG40 D2W全自動(dòng)晶粒對(duì)晶圓套刻精度計(jì)量系統(tǒng)的訂單，并在總部開(kāi)放產(chǎn)品演示。

關(guān)于EV集團(tuán)（EV Group）

EV集團(tuán)（EVG）致力于提供創(chuàng)新的工藝解決方案和專(zhuān)業(yè)知識(shí)，服務(wù)于前沿和未來(lái)的半導(dǎo)體設(shè)計(jì)和芯片集成方案。作為微納制造技術(shù)探索者，EVG以引領(lǐng)下一代技術(shù)突破為愿景，通過(guò)前瞻性研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化支持，助力客戶將創(chuàng)新產(chǎn)品成功推向市場(chǎng)。

EVG的量產(chǎn)級(jí)半導(dǎo)體設(shè)備涵蓋：

- 晶圓鍵合系統(tǒng)

- 光刻系統(tǒng)

- 薄晶圓加工設(shè)備

- 高精度量測(cè)工具

這些技術(shù)為半導(dǎo)體前端微縮、3D集成、先進(jìn)封裝以及其他電子和光子學(xué)等新興領(lǐng)域提供核心制造支撐。

審核編輯 黃宇