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TPS7H500xEVM評估模塊技術(shù)解析與應(yīng)用指南

科技觀察員 ? 2025-09-16 10:55 ? 次閱讀
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Texas Instruments TPS7H500xEVM評估模塊演示TPS7H500x-SEP控制器如何以開環(huán)方式運(yùn)行,并提供了運(yùn)行此產(chǎn)品的測試平臺。該評估模塊具有可調(diào)死區(qū)時間和可配置占空比限值的同步整流輸出。TPS7H500xEVM評估模塊非常適合用于空間衛(wèi)星隔離電源。

數(shù)據(jù)手冊:*附件:Texas Instruments TPS7H500xEVM評估模塊數(shù)據(jù)手冊.pdf

特性

  • 同步整流輸出,死區(qū)時間可調(diào)
  • 可調(diào)斜率補(bǔ)償和軟啟動
  • 可配置的占空比限值
  • 0.613V ±1%電壓基準(zhǔn)過熱、輻射以及線路和負(fù)載

疊加

1.png

原理圖

2.png

TPS7H500xEVM評估模塊技術(shù)解析與應(yīng)用指南

一、產(chǎn)品概述與核心特性

TPS7H500xEVM是德州儀器(TI)推出的輻射硬化PWM控制器評估模塊系列,包含TPS7H5005/6/7/8四種型號,專為空間衛(wèi)星等嚴(yán)苛環(huán)境設(shè)計。該系列具有以下突出特點(diǎn):

?關(guān)鍵參數(shù)?:

  • 輸入電壓范圍:4V至14V
  • 開關(guān)頻率:500kHz(默認(rèn)配置)
  • 工作溫度:-40°C至+125°C(工業(yè)級)
  • 同步整流輸出,支持可調(diào)死區(qū)時間
  • 0.613V ±1%精密電壓基準(zhǔn)

?輻射耐受能力?:

  • 采用Space Enhanced Plastic封裝
  • 通過總電離劑量(TID)輻射測試
  • 適用于衛(wèi)星電源系統(tǒng)等空間應(yīng)用

二、硬件架構(gòu)解析

1. 電源管理系統(tǒng)

評估模塊采用三級架構(gòu)設(shè)計:

  1. ?主電源輸入?:通過J11端子接入(4-14V)
  2. ?VLDO電源?:內(nèi)部邏輯供電(通過TP14測試點(diǎn)監(jiān)測)
  3. ?參考電路?:0.613V基準(zhǔn)電壓(REFCAP引腳)

2. 關(guān)鍵電路設(shè)計

  • ?輸入保護(hù)?:集成反向電流保護(hù)功能
  • ?柵極驅(qū)動?:OUTA/OUTB驅(qū)動主開關(guān)管,SRA/SRB驅(qū)動同步整流管
  • ?斜率補(bǔ)償?:通過RSC引腳可調(diào)(典型值49.9kΩ)
  • ?故障保護(hù)?:集成過流、過熱保護(hù)功能(FAULT引腳指示)

三、測試配置方法

1. 快速啟動配置

  1. 通過J11接入4-14V電源
  2. TP9(COMP)施加1V控制信號
  3. 默認(rèn)輸出波形可通過J1-J4測量

?關(guān)鍵測試點(diǎn)?:

  • TP7:輸入電壓監(jiān)測
  • TP9:誤差放大器輸出
  • TP11:軟啟動狀態(tài)
  • TP20:斜率補(bǔ)償信號

2. 工作模式配置

通過J6跳線選擇占空比限制模式:

跳線設(shè)置占空比限制連接方式
1-2短接100%DCL接VLDO
2-3短接50%DCL接GND
懸空75%DCL懸空

四、PCB設(shè)計要點(diǎn)

1. 布局策略

  • ?功率路徑?:采用短而寬的銅箔走線(最小50mil)
  • ?信號隔離?:模擬與數(shù)字地平面分開布局
  • ?測試點(diǎn)布置?:關(guān)鍵信號均設(shè)有對稱測試點(diǎn)

2. 層疊結(jié)構(gòu)

  • 4層PCB設(shè)計(Top/Bottom層+內(nèi)電層)
  • 內(nèi)層為完整地平面和電源平面
  • 關(guān)鍵特性:
    • 頂層走線寬度:≥20mil
    • 過孔尺寸:15mil/25mil(鉆孔/焊盤)

五、典型應(yīng)用場景

  1. ?衛(wèi)星電源系統(tǒng)?:
    • 有效載荷電源管理
    • 星上設(shè)備配電單元
    • 抗輻射電源轉(zhuǎn)換設(shè)計
  2. ?工業(yè)高可靠性應(yīng)用?:
    • 核電控制系統(tǒng)
    • 醫(yī)療成像設(shè)備
    • 深井鉆探設(shè)備電源
  3. ?測試驗(yàn)證平臺?:
    • 功率器件動態(tài)特性分析
    • 電磁兼容性(EMC)測試
    • 熱性能評估

六、設(shè)計注意事項

1. 熱管理建議

  • 連續(xù)工作電流下建議:
    • 環(huán)境溫度≤85°C
    • 增加散熱銅箔面積
    • 監(jiān)測芯片結(jié)溫(θJA=31.4°C/W)

2. 元件選型指南

  • ?輸入電容?:建議150μF鉭聚合物電容(T521D157M020ATE050)
  • ?柵極驅(qū)動電阻?:1MΩ(測試用,實(shí)際應(yīng)用需優(yōu)化)
  • ?同步整流管?:建議選用輻射硬化MOSFET

該評估模塊完整呈現(xiàn)了TPS7H500x系列的所有關(guān)鍵特性,工程師可通過其快速驗(yàn)證:

  • 輻射環(huán)境下的電源轉(zhuǎn)換性能
  • 動態(tài)響應(yīng)特性
  • 故障保護(hù)機(jī)制可靠性
聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
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