近日，廣立微自主研發(fā)的首臺專為碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）功率器件設計的晶圓級老化測試系統(tǒng)——WLBI B5260M正式出廠。該設備的成功推出，將為產(chǎn)業(yè)鏈提供了高效、精準的晶圓級可靠性篩選解決方案，助推化合物半導體產(chǎn)業(yè)的成熟與發(fā)展。

晶圓級老化測試至關重要

與傳統(tǒng)硅基半導體相比，基于SiC和GaN的功率器件具有高耐壓、高頻率、高效率等卓越特性，廣泛應用于新能源汽車、光伏發(fā)電、5G通信等關鍵領域。

廣立微晶圓級老化測試（WLBI）能夠在封裝前，直接在晶圓上對芯片施加高溫、高壓應力，加速其老化過程，從而精準篩選出有可靠性隱患的缺陷芯片，大幅降低了后續(xù)的封裝和測試成本，從源頭提升了最終產(chǎn)品的質(zhì)量和可靠性。

技術創(chuàng)新 性能卓越

廣立微B5260M 測試設備是應化合物半導體測試的苛刻需求設計打造的晶圓級老化測試系統(tǒng)，其功能定位精準，技術優(yōu)勢顯著：

01高效并行測試：

可同時支持6片晶圓進行長時間的高溫柵極偏壓（HTGB）和高溫反向偏壓（HTRB）測試，大幅提升了測試吞吐量，既能滿足小批量驗證的研發(fā)需求，也能支持大批量生產(chǎn)的效率要求。

02穩(wěn)定的測試環(huán)境：

系統(tǒng)具備高精度的溫度控制能力，升溫快速（9℃/min）且無過沖，晶圓面內(nèi)溫度均勻性小于±1℃，為老化測試提供了穩(wěn)定、一致的環(huán)境，確保了數(shù)據(jù)的準確性與可比性。

03強大的電壓測試能力：

HTGB測試支持高達±100V的柵壓，HTRB測試目前支持2000V的反偏電壓，精確測量Vgs(th)、Igss、Idss等關鍵參數(shù)，高效篩選出早期失效的缺陷芯片。

04精準可靠的硬件平臺：

配備自動上下料機臺，精準對位，確保老化的準確性。采用先進的定位技術，確保探針重復扎針精度在20μm以內(nèi)，有效保護昂貴的晶圓并保證接觸可靠性。結合基恩士（Keyence）高精度相機實現(xiàn)的OCR識別方案，晶圓定位識別準確率極高，杜絕了混片風險。

05智能化軟件系統(tǒng)：

軟件支持可視化操作、在線編輯測試Map圖、實時監(jiān)控測試進度，并將測試數(shù)據(jù)圖形化呈現(xiàn)。支持Excel及定制化MAP制作器，使測試流程編輯更便捷，數(shù)據(jù)分析更直觀。

廣立微B5260M晶圓級老化測試設備出廠，將助力SiC/GaN芯片設計及制造企業(yè)提升測試效率與產(chǎn)品質(zhì)量控制水平，也將為我國化合物半導體產(chǎn)業(yè)的高質(zhì)量發(fā)展提供有力的支撐。

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杭州廣立微電子股份有限公司（股票代碼：301095）是領先的集成電路EDA軟件與晶圓級電性測試設備供應商，公司專注于芯片成品率提升和電性測試快速監(jiān)控技術，是國內(nèi)外多家大型集成電路制造與設計企業(yè)的重要合作伙伴。公司提供EDA軟件、電路IP、WAT電性測試設備以及與芯片成品率提升技術相結合的整套解決方案，在集成電路設計到量產(chǎn)的整個產(chǎn)品周期內(nèi)實現(xiàn)芯片性能、成品率、穩(wěn)定性的提升，成功案例覆蓋多個集成電路工藝節(jié)點。