Texas Instruments LM74501-Q1汽車用反向極性保護(hù)控制器與外部N溝道MOSFET搭配使用，可實(shí)現(xiàn)低損耗反極性保護(hù)解決方案LM74501-Q1該器件支持3.2V至65V的寬電源電壓輸入范圍，特別適合對冷啟動有嚴(yán)苛要求的汽車系統(tǒng)。

數(shù)據(jù)手冊：*附件：Texas Instruments LM74501-Q1反向極性保護(hù)控制器數(shù)據(jù)手冊.pdf

TI LM74501-Q1反向極性保護(hù)控制器可承受并保護(hù)負(fù)載免受低至-18V的負(fù)電源電壓的影響。此外，該器件沒有反向電流阻斷功能，可為負(fù)載提供輸入反向極性保護(hù)，從而有可能將能量返回輸入電源，如汽車車身控制模塊電機(jī)負(fù)載。

LM74501-Q1控制器可提供適用于外部N溝道MOSFET的電荷泵柵極驅(qū)動器。該控制器具有一項(xiàng)獨(dú)特的集成功能，即無需額外的TVS 二極管（無TVS）即可使系統(tǒng)符合汽車ISO7637脈沖1瞬態(tài)要求。LM74501-Q1具有一個集成開關(guān)，可通過外部電阻分壓器來實(shí)現(xiàn)電池電壓監(jiān)控。使能引腳為低電平時，控制器關(guān)斷并消耗約1μA電流，在處于休眠模式時產(chǎn)生低系統(tǒng)電流。

特性

下列性能符合AEC-Q100標(biāo)準(zhǔn)：
- 器件溫度1級：-40°C至+125°C環(huán)境工作溫度范圍
- 器件人體模型 (HBM) 靜電放電 (ESD) 分類等級2
- 器件充電器件模型 (CDM) ESD分類等級C4B
輸入電壓范圍：3.2V至65V（3.9V啟動）
反向電壓額定值：–33V
用于外部N通道MOSFET的電荷泵
柵極放電計時器：無需額外的TVS二極管（無TVS）即可符合汽車ISO7637-2脈沖1瞬態(tài)要求
關(guān)斷電流：1μA（EN=低電平）
工作靜態(tài)電流：80μA（EN=高電平）
20V VDS鉗位（EN = 低電平）
集成電池電壓監(jiān)控開關(guān) (SW)
2.90mm × 1.60mm 8引腳SOT-23封裝

典型應(yīng)用示意圖

TVS無ISO7637-2脈沖1操作

功能框圖

基于LM74501-Q1的汽車電子反向極性保護(hù)設(shè)計

LM74501-Q1核心特性

LM74501-Q1具有以下突出特性：

?寬輸入電壓范圍?：3.2V至65V工作電壓，滿足汽車電子系統(tǒng)的嚴(yán)苛要求
?TVS-less設(shè)計?：內(nèi)置柵極放電定時器，無需額外TVS二極管即可滿足ISO7637-2脈沖1要求
?低功耗?：80μA典型工作靜態(tài)電流，1μA關(guān)斷電流
?集成電荷泵?：驅(qū)動外部N溝道MOSFET，提供高效反向保護(hù)
?AEC-Q100認(rèn)證?：符合汽車級溫度等級1(-40°C至+125°C)標(biāo)準(zhǔn)

工作原理

LM74501-Q1通過外部N溝道MOSFET實(shí)現(xiàn)反向極性保護(hù)，其工作流程可分為以下幾個關(guān)鍵環(huán)節(jié)：

?電荷泵工作?：當(dāng)EN引腳電壓高于閾值時，內(nèi)部電荷泵激活，通過VCAP引腳為外部MOSFET提供柵極驅(qū)動電壓(典型12.4V)
?柵極驅(qū)動?：當(dāng)VCAP電壓超過6.5V(典型值)時，柵極驅(qū)動器使能，將MOSFET完全導(dǎo)通
?TVS-less保護(hù)?：獨(dú)特的柵極放電定時器功能使系統(tǒng)在ISO7637-2脈沖1事件期間保持MOSFET導(dǎo)通，無需額外TVS二極管
?電池電壓監(jiān)測?：內(nèi)置SW開關(guān)可在EN為高時連接SOURCE和SW引腳，實(shí)現(xiàn)電池電壓監(jiān)測

與P-FET方案的對比優(yōu)勢

相比傳統(tǒng)P-FET反向保護(hù)方案，LM74501-Q1+N-FET組合具有顯著優(yōu)勢：

?參數(shù)?	?P-FET方案?	?LM74501-Q1+N-FET?
尺寸	12.3mm×8.5mm(104.5mm2)	6.3mm×8mm(50.4mm2)
冷啟動性能	電壓<4V時導(dǎo)通電阻急劇增加	低至3.2V仍保持完全導(dǎo)通
TVS需求	需要額外TVS二極管	TVS-less設(shè)計
成本	高(需多個元件)	低(集成度高)

典型應(yīng)用設(shè)計

電路設(shè)計要點(diǎn)

?MOSFET選擇?：
- VDS(MAX)≥40V(配合LM74501-Q1的20V鉗位功能)
- 低RDS(ON)以減少導(dǎo)通損耗(如BUK7Y3R0-40H，典型3mΩ@10V VGS)
? 柵極放電定時電容(CT) ?：
- 根據(jù)ISO7637-2脈沖1持續(xù)時間(典型2ms)計算
- 22nF為典型推薦值，可按實(shí)際MOSFET參數(shù)調(diào)整
?電容選擇?：
- VCAP電容≥10×(CISS(MOSFET)+CT)
- 輸入電容≥100nF
- 輸出電容10-47μF

布局建議

將SOURCE、GATE和DRAIN引腳靠近MOSFET對應(yīng)引腳布置
使用寬走線連接MOSFET源極和漏極以降低電阻損耗
輸入電容就近放置在SOURCE和GND引腳之間
電荷泵電容遠(yuǎn)離MOSFET以降低溫度影響
柵極走線盡量短，可串聯(lián)10Ω電阻改善EMI性能

測試驗(yàn)證

實(shí)際測試表明，基于LM74501-Q1的設(shè)計能有效應(yīng)對各種汽車電源異常情況：

?ISO7637-2脈沖1?：TVS-less設(shè)計下系統(tǒng)穩(wěn)定工作
? 冷啟動(3.2V) ?：保持MOSFET完全導(dǎo)通，無系統(tǒng)復(fù)位
? 負(fù)載突變(0-5A) ?：快速響應(yīng)，輸出電壓穩(wěn)定
? 反向極性(-18V) ?：有效保護(hù)后級電路

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