Texas Instruments LP5860 11x18 LED矩陣驅(qū)動(dòng)器集成了11個(gè)MOSFET,用于多達(dá)198個(gè)LED點(diǎn)或66個(gè)RGB LED。LP5860支持模擬調(diào)光和PWM調(diào)光兩種方法。對(duì)于模擬調(diào)光,每個(gè)LED點(diǎn)均可進(jìn)行256級(jí)調(diào)整。對(duì)于PWM調(diào)光,集成的8位或16位可配置PWM發(fā)生器可讓調(diào)光控制平順、無(wú)可聞噪聲。每個(gè)LED點(diǎn)也可任意映射到8位群組PWM中,從而實(shí)現(xiàn)調(diào)光控制。
數(shù)據(jù)手冊(cè):*附件:Texas Instruments LP5860 11x18 LED矩陣驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè).pdf
Texas Instruments LP5860實(shí)現(xiàn)了完整的可尋址SRAM,可最大限度地減少數(shù)據(jù)流量。集成了重影消除電路,可消除上下重影。LP5860還支持LED開(kāi)路和短路檢測(cè)功能。LP5860中提供1MHz(最大值)I^2^C和12MHz(最大值) SPI。
特性
- LED矩陣拓?fù)?
- 18個(gè)恒定電流阱,11個(gè)掃描開(kāi)關(guān),用于198個(gè)LED點(diǎn)
- 可配置為1至11個(gè)掃描開(kāi)關(guān)
- 工作電壓范圍
- V
CC/VLED范圍:2.7V至5.5V - 邏輯引腳兼容1.8V、3.3V和5V
- V
- 靈活的調(diào)光選擇
- 單獨(dú)開(kāi)/關(guān)控制,用于每個(gè)LED點(diǎn)
- 模擬調(diào)光(電流增益控制)
- 全局3位最大電流 (MC) 設(shè)置,用于所有LED點(diǎn)
- 三組7位彩色電流 (CC) 設(shè)置,用于紅色、綠色和藍(lán)色
- 單獨(dú)8位點(diǎn)電流 (DC) 設(shè)置,用于每個(gè)LED點(diǎn)
- PWM調(diào)光,無(wú)可聞噪聲頻率
- 全局8位PWM調(diào)光,用于所有LED點(diǎn)
- 三組可編程8位PWM調(diào)光,用于LED點(diǎn)任意映射
- 單獨(dú)8位或16位PWM調(diào)光,用于每個(gè)LED點(diǎn)
- 18個(gè)高精度恒定電流阱
- 每電流吸收器:0.1mA至50mA(V
CC≥3.3V時(shí)) - 器件間誤差:±3%(通道電流=50mA時(shí))
- 通道間誤差:±3%(通道電流=50mA時(shí))
- 相移,實(shí)現(xiàn)平衡瞬態(tài)功率
- 每電流吸收器:0.1mA至50mA(V
- 超低功耗
- 關(guān)斷模式:I
CC≤1uA(EN=低電平時(shí)) - 待機(jī)模式:I
CC≤10uA(EN=高電平,CHIP_EN=0時(shí))(數(shù)據(jù)保留) - 有源模式:I
CC=4.3mA(典型值)(通道電流=5mA時(shí))
- 關(guān)斷模式:I
- 完全可尋址SRAM,可最大限度地減少數(shù)據(jù)流量
- 單個(gè)LED點(diǎn)開(kāi)路/短路檢測(cè)
- 去重影和低亮度補(bǔ)償
- 接口選項(xiàng)
- 1MHz(最大值) I^2^C接口(IFS=低電平時(shí))
- 12MHz(最大值) SPI接口(IFS=高電平時(shí))
簡(jiǎn)化示意圖
LP5860 LED矩陣驅(qū)動(dòng)器技術(shù)解析與應(yīng)用指南
一、LP5860產(chǎn)品概述
Texas Instruments推出的LP5860是一款高性能11×18 LED矩陣驅(qū)動(dòng)器芯片,專為現(xiàn)代智能設(shè)備的動(dòng)畫和指示需求設(shè)計(jì)。該器件集成了18個(gè)恒流源和11個(gè)掃描開(kāi)關(guān),可驅(qū)動(dòng)多達(dá)198個(gè)LED點(diǎn)或66個(gè)RGB LED像素,采用時(shí)間復(fù)用矩陣方案實(shí)現(xiàn)高效控制。
?核心特性亮點(diǎn)?:
- 寬工作電壓范圍:VCC/VLED 2.7V至5.5V
- 高精度恒流輸出:每通道0.1mA-50mA(VCC≥3.3V時(shí))
- 雙模調(diào)光控制:支持8位模擬調(diào)光和8/16位PWM調(diào)光
- 超低功耗設(shè)計(jì):關(guān)機(jī)模式≤1μA,待機(jī)模式≤10μA
- 多重保護(hù)機(jī)制:LED開(kāi)路/短路檢測(cè)、熱關(guān)斷保護(hù)
二、關(guān)鍵技術(shù)創(chuàng)新
1. 矩陣驅(qū)動(dòng)架構(gòu)
LP5860采用創(chuàng)新的時(shí)間復(fù)用矩陣控制方案,通過(guò)11個(gè)高壓側(cè)PMOS開(kāi)關(guān)和18個(gè)恒流沉實(shí)現(xiàn)198個(gè)LED點(diǎn)的控制。掃描線數(shù)量可靈活配置(1-11線),通過(guò)設(shè)置Dev_initial寄存器中的'Max_Line_Num'參數(shù)適配不同應(yīng)用場(chǎng)景。
技術(shù)優(yōu)勢(shì):
- ?消除重影效應(yīng)?:集成上下行消隱電路
- 上行消隱(Up_Deghost):在關(guān)閉期間放電掃描線
- 下行消隱(Down_Deghost):預(yù)充電電流沉電壓
- ?低亮度補(bǔ)償?:三組補(bǔ)償電路解決低亮度下的色偏問(wèn)題
2. 精密調(diào)光技術(shù)
LP5860提供業(yè)界領(lǐng)先的混合調(diào)光方案:
? 模擬調(diào)光(電流增益控制) ?
- 全局3位最大電流設(shè)置(3-50mA,8級(jí))
- 三組7位色彩電流調(diào)節(jié)(128級(jí))
- 獨(dú)立8位點(diǎn)校正(256級(jí))
?PWM調(diào)光? - 可配置8位或16位PWM分辨率
- 125kHz/62.5kHz可調(diào)頻率(無(wú)音頻噪聲)
- 相位偏移技術(shù)降低電源紋波
調(diào)光曲線支持:
- 線性模式
- 指數(shù)模式(Gamma校正)
三、典型應(yīng)用設(shè)計(jì)
1. 硬件設(shè)計(jì)要點(diǎn)
?電源設(shè)計(jì)?:
- VCC/VLED:需分別配置1μF去耦電容
- VCAP引腳:必須連接1μF電容至GND
- VIO_EN:需1nF去耦電容
?接口選擇?:
- I2C模式(IFS=Low):最高1MHz
- SPI模式(IFS=High):最高12MHz
?熱設(shè)計(jì)?:
- 結(jié)至環(huán)境熱阻:31.4°C/W(VQFN-40封裝)
- 建議工作溫度:
- 標(biāo)準(zhǔn)型號(hào):-40°C至+85°C
- MRKPR型號(hào):-55°C至+125°C
2. 典型應(yīng)用電路
LP5860廣泛適用于:
四、寄存器配置指南
LP5860通過(guò)豐富的寄存器實(shí)現(xiàn)靈活控制:
- ?器件初始化寄存器?:
- 設(shè)置最大掃描線數(shù)
- 配置PWM頻率
- 使能芯片功能
- ?調(diào)光控制寄存器?:
- 全局最大電流(MC)設(shè)置
- 三組色彩電流(CC)配置
- 獨(dú)立點(diǎn)校正(DC)值
- ?PWM控制寄存器?:
- 全局PWM亮度
- 分組PWM控制
- 獨(dú)立PWM設(shè)置
?編程建議?:
- 更改MC參數(shù)時(shí)需先禁用芯片
- 使用SRAM全地址特性減少數(shù)據(jù)流量
- 合理配置相位偏移降低電源噪聲
五、性能優(yōu)化建議
-
MOSFET
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LED矩陣
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具有8位模擬以及8位或16位PWM調(diào)光功能的11×18LED大電流矩陣驅(qū)動(dòng)器LP5860T數(shù)據(jù)表

具有8位模擬和8/16 位 PWM 調(diào)光的 LP5860 11×18 LED矩陣驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)表

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