傾佳電子超越100kW：用于兆瓦級儲能直掛充電樁電源的SiC功率模塊,CLLC隔離DC-DC變換設計

傾佳電子（Changer Tech）是一家專注于功率半導體和新能源汽車連接器的分銷商。主要服務于中國工業(yè)電源、電力電子設備和新能源汽車產業(yè)鏈。傾佳電子聚焦于新能源、交通電動化和數字化轉型三大方向，并提供包括IGBT、SiC MOSFET、GaN等功率半導體器件以及新能源汽車連接器。

傾佳電子楊茜致力于推動國產SiC碳化硅模塊在電力電子應用中全面取代進口IGBT模塊，助力電力電子行業(yè)自主可控和產業(yè)升級！

傾佳電子楊茜咬住SiC碳化硅MOSFET功率器件三個必然，勇立功率半導體器件變革潮頭：

傾佳電子楊茜咬住SiC碳化硅MOSFET模塊全面取代IGBT模塊和IPM模塊的必然趨勢！

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1. 引言：兆瓦級儲能與SiC CLLC變換器應用背景

1.1 行業(yè)驅動力與技術挑戰(zhàn)

隨著全球向可持續(xù)能源轉型的加速，電動汽車（EV）的普及率持續(xù)攀升，對高功率、快速充電解決方案的需求日益迫切。同時，大規(guī)模儲能系統(tǒng)（ESS）作為電網的柔性支撐和可再生能源并網的關鍵，其功率等級已邁入兆瓦級（MW）時代。將兆瓦級儲能系統(tǒng)與高功率充電樁直掛，形成一種“儲能-充電一體化”的解決方案，已成為行業(yè)共識。這種模式不僅可以緩解電網峰值負荷壓力，還能在電網故障時提供離網供電能力，保障關鍵負荷的連續(xù)運行 。

傳統(tǒng)基于硅（Si）器件的功率變換器在面對兆瓦級功率、高頻開關及高功率密度等需求時，其性能已接近物理極限。硅絕緣柵雙極晶體管（IGBT）雖然具備高耐壓能力，但其固有的拖尾電流和較高的開關損耗限制了開關頻率的提升 。這直接導致了無源器件（如電感、電容和變壓器）體積龐大，難以滿足現(xiàn)代應用對高功率密度的要求。

1.2 SiC功率器件的核心優(yōu)勢

碳化硅（SiC）作為第三代半導體材料，因其寬帶隙、高熱導率、高飽和電子漂移速率等卓越物理特性，成為突破上述瓶頸的理想選擇 。相較于Si器件，SiC MOSFETs具有更高的耐壓、更低的比導通電阻和顯著更小的開關損耗 。特別是在開關過程中，SiC MOSFETs幾乎不產生拖尾電流，其關斷損耗遠低于IGBT。此外，SiC器件在高溫環(huán)境下也能穩(wěn)定工作，最高結溫可達 175°C，這簡化了散熱設計，并進一步提升了功率密度 。這些優(yōu)勢使得SiC器件能夠支持更高的開關頻率，從而大幅減小磁性元件的體積和重量，實現(xiàn)系統(tǒng)級的輕量化與高效化。

1.3 雙向CLLC諧振變換器拓撲的優(yōu)越性

在兆瓦級儲能-充電一體化應用中，需要實現(xiàn)能量的雙向流動：即從儲能電池向電動汽車充電，以及從電動汽車向電網反向供電（V2G）。隔離型DC-DC變換器是實現(xiàn)這一功能的關鍵。在眾多拓撲中，雙向CLLC諧振變換器憑借其獨特優(yōu)勢脫穎而出 。

CLLC拓撲的核心優(yōu)勢在于其在雙向運行時，能夠在較寬的頻率范圍內實現(xiàn)原邊開關管的零電壓開關（ZVS）和副邊整流管的零電流開關（ZCS） 。這種軟開關特性從根本上消除了硬開關帶來的巨大開關損耗，特別是在高頻應用中，極大地提升了變換器的整體效率。此外，CLLC拓撲結構對稱，功率密度高，且具備寬電壓調節(jié)范圍，使其非常適合在高壓、大功率場合應用 。盡管該拓撲在兆瓦級應用中仍處于關鍵技術研究和中小功率樣機試驗階段，尚未完全成熟，但其在效率和功率密度方面的潛力使其被視為未來高壓大容量雙向變換器拓撲的重要發(fā)展方向 。

1.4 傾佳電子報告結構與內容概覽

傾佳電子旨在提供一份關于兆瓦級儲能電池直掛充電樁電源的專家級設計分析。傾佳電子將從系統(tǒng)架構、核心元器件選型、關鍵技術挑戰(zhàn)、控制策略到工程實踐等多個層面展開，旨在為讀者提供一個全面的技術路線圖。傾佳電子的分析將基于基本半導體（BASiC Semiconductor）提供的SiC功率模塊、門極驅動器及配套電源芯片等系列產品，論證這些組件如何協(xié)同工作，共同構建一個高性能的功率變換系統(tǒng)。

2. 兆瓦級系統(tǒng)架構與電壓平臺設計

2.1 系統(tǒng)級功率流分析

兆瓦級儲能電池直掛充電樁的電源系統(tǒng)，其核心任務是在高壓直流母線（HVDC Bus）之間進行雙向能量轉換。其典型的功率流路徑包括：

充電模式（正向功率流）：能量從兆瓦級儲能系統(tǒng)的直流母線經由CLLC隔離型DC-DC變換器，傳輸至電動汽車的電池組。

V2G/放電模式（反向功率流）：能量從電動汽車電池組回饋至儲能系統(tǒng)，或通過后續(xù)逆變器饋入電網，實現(xiàn)電網調峰等功能。

該系統(tǒng)通過隔離變換器將儲能母線與充電樁輸出端進行電氣隔離，確保系統(tǒng)安全。

2.2 直流母線電壓的選擇與考量

在設計兆瓦級功率變換系統(tǒng)時，直流母線電壓的選擇至關重要，它直接影響系統(tǒng)的電流大小、損耗、組件選型和整體效率。根據行業(yè)標準，兆瓦級充電樁的理想直流母線電壓介于1000V至1500V之間 。這一電壓平臺不僅能有效降低傳輸電流，減少導線損耗，還能與高耐壓SiC器件的特性完美匹配 。

選用1200V耐壓等級的SiC MOSFET模塊，可以為1000V左右的直流母線電壓提供充足的設計裕度，同時充分利用SiC器件的高速開關和低損耗優(yōu)勢。相較于追求更高的電壓，如2000V，1500V母線電壓平臺在現(xiàn)有技術下更能平衡安全法規(guī)、組件復雜性和系統(tǒng)效率 。

2.3 模塊化與多模塊并聯(lián)方案

實現(xiàn)兆瓦級（超過100kW）的功率輸出，單一的功率模塊無法滿足需求。因此，采用多模塊并聯(lián)的模塊化設計是必然選擇 。這種方案不僅能擴展功率容量，還具備冗余性，提高了系統(tǒng)的可靠性和可維護性。在并聯(lián)設計中，CLLC變換器的每個功率單元都可以獨立工作，通過交錯并聯(lián)（interleaved）技術，可以有效降低輸入/輸出紋波電流，減小濾波電容的體積。然而，模塊并聯(lián)帶來了最大的技術挑戰(zhàn)，即動態(tài)電流不平衡問題。傾佳電子將在后續(xù)章節(jié)對此進行深入分析。

3. 核心功率器件選型與深度分析：SiC MOSFET模塊

3.1 模塊參數對比與選型決策

本兆瓦級設計方案，核心功率開關器件選用基本半導體的1200V SiC MOSFET半橋模塊。我們對該系列中的兩款代表性產品BMF008MR12E2G3和BMF240R12E2G3進行詳細對比。

表1：SiC MOSFET模塊關鍵參數對比

參數	BMF008MR12E2G3	BMF240R12E2G3
額定耐壓V_DSS	1200 V	1200 V
連續(xù)漏極電流I_D (TH=80°C)	160 A	240 A
典型導通電阻RDS(on).typ (Tvj=25°C)	8.1mΩ	5.5mΩ
典型導通電阻RDS(on).typ (Tvj=175°C)	13.5mΩ	10.0mΩ
典型結-殼熱阻Rth(j?c)	0.13 K/W	0.09 K/W
典型總柵極電荷Q_G	401 nC	492 nC
典型開通能量E_on (Tvj=150°C)	2.3 mJ	5.7 mJ
典型關斷能量E_off (Tvj=150°C)	0.6 mJ	1.7 mJ
內置二極管	SiC肖特基勢壘二極管	SiC肖特基勢壘二極管

從參數對比可知，BMF240R12E2G3模塊在多項關鍵指標上表現(xiàn)出顯著優(yōu)勢。其在25°C和175°C下的導通電阻都更低，這將直接降低導通損耗。更值得關注的是，其結-殼熱阻R_{th(j-c)}僅為0.09 K/W ，遠低于BMF008MR12E2G3的0.13 K/W 。在兆瓦級功率應用中，熱量管理是決定系統(tǒng)可靠性的核心因素，更低的熱阻意味著熱量能更高效地從芯片傳遞到散熱器，確保結溫維持在安全范圍內，從而有效抑制 R_DS(on)隨溫度升高而增大的正反饋效應。因此，BMF240R12E2G3是實現(xiàn)高功率密度和高效率設計的首選模塊。

3.2 SiC模塊并聯(lián)的關鍵技術：挑戰(zhàn)與均流策略

在多模塊并聯(lián)以達到兆瓦級功率輸出時，動態(tài)和靜態(tài)電流不平衡是必須解決的核心挑戰(zhàn) 。

動態(tài)不平衡的根源：SiC器件極高的開關速度（dv/dt和di/dt）使得寄生參數的影響被放大。在并聯(lián)結構中，由于物理布局上的細微差異，每個功率支路的驅動回路和功率回路都會存在不同的寄生電感和電阻。在高速開關瞬態(tài)過程中，這些不對稱的寄生電感會導致各并聯(lián)支路上的電壓和電流變化速率不一致，從而引發(fā)嚴重的動態(tài)電流不平衡 。

解決方案分析：

內置均流策略：一些模塊通過內部設計來優(yōu)化均流。例如，有制造商通過在每個并聯(lián)芯片的柵極串聯(lián)電阻來保證動態(tài)均流 。

外置均流策略：更根本的解決方案依賴于外部電路和PCB布局優(yōu)化，以最小化寄生參數的不對稱性。

疊層母排結構：利用疊層母排可以有效降低各個換流回路的寄生電感，同時減小并聯(lián)支路寄生電感的不對稱性，實現(xiàn)對稱性布局，這對于高壓SiC模塊的并聯(lián)尤為有利 。

門極驅動與功率回路PCB分離：將門極驅動電路板與功率電路板物理分離，通過開爾文源極點進行連接。這種設計能夠減小門極驅動環(huán)與功率環(huán)之間的耦合與相互影響，確保驅動信號的純凈性和同步性，是實現(xiàn)精確均流的重要手段 。

這些內置和外置的均流策略相輔相成。SiC模塊內部的設計為均流提供了基礎，而系統(tǒng)設計者則必須通過精心的PCB布局來消除外部寄生參數的影響，才能確保兆瓦級并聯(lián)系統(tǒng)的性能和長期可靠性。

4. 隔離與驅動：SiC專用驅動器與高頻變壓器設計

4.1 BTD5350x隔離型門極驅動器特性深度解析

SiC MOSFET的高速開關特性要求門極驅動器具備與之匹配的高性能。BTD5350x系列隔離型門極驅動器是專門為SiC MOSFETs設計的，其關鍵特性如下：

表2：BTD5350x隔離型門極驅動器關鍵特性

參數	額定值/典型值	意義
峰值輸出電流I_OH/I_OL	10 A	極高的峰值電流確保快速充放電SiC模塊的柵極總電荷Q_G，從而實現(xiàn)高速開關 。
傳輸延時t_PLH/t_PHL	低至60 ns	極低的傳輸延時確保控制信號的精確同步，尤其在多模塊并聯(lián)和高頻開關時至關重要 。
隔離電壓V_ISO	5000 Vrms (SOW-8)	提供高達5000Vrms的隔離耐壓，確保高壓母線與低壓控制側之間的電氣安全隔離 。
共模瞬態(tài)抗擾度CMTI	150 kV/μs	極高的CMTI能力使其在SiC高速開關產生的高dv/dt環(huán)境下，有效抵抗共模干擾，保障控制信號的完整性 。
米勒鉗位V_CLAMP	7 mV	BTD5350M版本內置米勒鉗位功能，通過在關斷期間為柵極提供低阻抗路徑，吸收米勒電流，防止因高dv/dt導致的寄生導通 。
欠壓保護V_UVLO	原邊：V_ON1 2.6V, 副邊：V_ON2 8.7V/12V	當驅動電源電壓低于閾值時，驅動器會關閉輸出，確保SiC模塊不會在門極電壓不足的情況下工作，從而避免高損耗甚至損壞 。

BTD5350x驅動器的高峰值電流是其核心優(yōu)勢。BMF240R12E2G3模塊的典型柵極總電荷Q_G為492 nC ，需要強大的驅動能力才能在納秒級時間內快速完成充放電，實現(xiàn)高速開關并最大化效率。BTD5350x高達10A的峰值驅動電流恰能滿足這一需求。

4.2 隔離電源方案分析

門極驅動器需要一個高可靠、高隔離度的電源。本設計采用基本半導體BTP1521x正激DC-DC開關電源芯片與TR-P15DS23-EE13高頻隔離變壓器的組合方案，為BTD5350x驅動器提供供電。

BTP1521x芯片：該芯片可編程的工作頻率最高可達1.3MHz 。其內部集成了軟啟動和過溫保護功能，確保電源系統(tǒng)的穩(wěn)定性和可靠性。

TR-P15DS23-EE13變壓器：該變壓器是一款為SiC MOSFET門極驅動供電而定制的高頻隔離變壓器。其設計可傳輸高達4W的功率，并提供4500 Vac的原副邊隔離耐壓 。通過其副邊繞組輸出，經整流后可獲得約22V的電壓，該電壓可通過穩(wěn)壓管輕松拆分為SiC模塊所需的+18V和-4V門極電壓 。這一參數匹配，充分體現(xiàn)了組件間的協(xié)同設計。

BTP1521x芯片的6W額定輸出功率高于TR-P15DS23-EE13變壓器的4W傳輸功率 ，這意味著BTP1521x具備更廣泛的應用靈活性，而該變壓器則被精確地設計以滿足門極驅動器及其外圍電路的功耗需求。高工作頻率使得變壓器體積得以大幅減小，與整個系統(tǒng)高功率密度的設計理念保持一致。

5. CLLC諧振變換器拓撲設計與控制策略

5.1 CLLC拓撲結構與工作原理

雙向CLLC諧振變換器通常采用全橋結構，其電路主要由以下部分組成 ：

原邊逆變橋：通常由四個SiC MOSFETs（S1-S4）組成，用于將直流電壓轉換為高頻方波電壓。

諧振槽：由諧振電感（L_r1）、諧振電容（C_r1）和變壓器勵磁電感（L_m）組成。該諧振槽在特定頻率下與電源頻率產生諧振，將電流塑形為準正弦波，從而實現(xiàn)軟開關 。

高頻隔離變壓器：實現(xiàn)原副邊隔離，并提供所需的電壓增益。

副邊整流橋：由四個SiC MOSFETs（S5-S8）組成，在正向充電時作為同步整流器，在反向放電時作為逆變器。

CLLC拓撲的獨特之處在于其完全對稱的諧振腔結構 。無論是正向（充電）還是反向（V2G）工作，其工作特性都相似。在理想情況下，通過合理設計，可以在較寬的負載和電壓范圍內實現(xiàn)原邊開關管的ZVS和副邊開關管的ZCS 。

5.2 控制策略與性能權衡

CLLC諧振變換器通常采用頻率調制（PFM）作為其主要控制策略 。通過改變開關頻率，可以調節(jié)輸出電壓，從而實現(xiàn)穩(wěn)壓或恒功率控制。

PFM的優(yōu)勢：該控制方法可以使變換器在寬輸入電壓和寬負載范圍內實現(xiàn)ZVS，尤其在輕載條件下也能保持較高的效率。

PFM的挑戰(zhàn)：相較于脈寬調制（PWM）控制，PFM的穩(wěn)壓精度可能較差，并且存在輕載環(huán)流功率大的問題 。在兆瓦級應用中，精確的電壓控制和瞬態(tài)響應是關鍵，設計者需要通過優(yōu)化控制算法來平衡效率、穩(wěn)壓精度和動態(tài)性能。

5.3 雙向功率流控制

CLLC變換器的雙向功率流控制可以通過簡單的相位調制來實現(xiàn)。在正向（充電）模式下，原邊逆變橋S1-S4與副邊整流橋S5-S8之間存在一個相位差。通過調節(jié)這個相位差，可以控制能量從原邊向副邊的傳輸。在反向（V2G）模式下，副邊橋作為逆變器，原邊橋作為整流器，能量流向相反。這種對稱結構和相位控制的靈活性，使得CLLC拓撲能夠高效、無縫地實現(xiàn)雙向能量轉換，為儲能系統(tǒng)的V2G功能提供了堅實的基礎 。

6. 損耗模型與系統(tǒng)效率評估

6.1 CLLC變換器主要損耗來源

在充電樁電源模塊中，即使是微小的效率提升也意味著巨大的功率損耗降低。SiC CLLC變換器的主要損耗來源可分解為以下幾個部分：

SiC MOSFET模塊損耗：

導通損耗（Pcond）：這部分損耗主要由模塊的導通電阻引起，其計算公式為Pcond=Irms2?RDS(on)。在兆瓦級應用中，器件工作在高溫下，因此應采用Tvj=175°C時的R_DS(on)值進行計算，以獲得更真實的損耗數據 。

開關損耗（Psw）：這部分損耗由器件的開通和關斷過程引起，計算公式為Psw=fsw?(Eon+Eoff)。得益于CLLC拓撲的ZVS/ZCS軟開關特性，理論上可以顯著降低甚至消除大部分開關損耗，使其遠低于硬開關拓撲 。

高頻磁性元件損耗：主要包括變壓器和電感在高頻工作下的磁芯損耗（渦流損耗、磁滯損耗）和繞組損耗（趨膚效應和鄰近效應）。

驅動與輔助電路損耗：包括門極驅動器本身的靜態(tài)功耗和開關損耗，以及隔離電源的損耗。

6.2 基于損耗模型的系統(tǒng)效率預測

為了實現(xiàn)兆瓦級CLLC變換器的高效率，必須將上述損耗降至最低。

表3：兆瓦級CLLC變換器初步性能預測

性能指標	預測值	影響因素與優(yōu)化措施
系統(tǒng)總效率	> 98%	主要由SiC模塊損耗和磁性元件損耗決定。通過優(yōu)化控制策略、降低開關頻率波動范圍、并聯(lián)均流、以及選用高性能磁芯材料和優(yōu)化繞組設計來提升。
總損耗功率	< 20 kW/MW	以1MW輸出為例，總損耗功率約為20kW。其中SiC模塊的導通損耗占主要部分，其次是磁性元件損耗。

熱管理是確保預測效率得以實現(xiàn)的關鍵。SiC器件的R_DS(on)具有正溫度系數，即隨著結溫升高，導通電阻增大 。在并聯(lián)模塊出現(xiàn)電流不平衡時，過載的模塊會因電流增大而產生更高的導通損耗，導致局部結溫升高，進一步增大其導通電阻，形成一個正反饋循環(huán)，最終可能導致熱失控和器件損壞。因此，必須通過精確的PCB布局實現(xiàn)動態(tài)均流，并通過高效的熱管理方案（如液冷）來確保結溫不超過

175°C的額定值，從而維持較低的R_DS(on)，確保系統(tǒng)長期穩(wěn)定運行。

7. 關鍵工程實踐：PCB布局與熱管理

7.1 高功率模塊化PCB布局原則

在高功率兆瓦級應用中，PCB布局已不再是簡單的元器件排列，而是一項復雜的工程挑戰(zhàn)，直接關系到系統(tǒng)的性能和可靠性。

最小化寄生電感：SiC器件的高速開關特性使得任何微小的寄生電感都會引起嚴重的電壓和電流過沖。必須采用疊層母排（laminated busbar）等先進結構，以最小化功率回路的寄生電感，從而抑制開關過沖 。

實現(xiàn)絕對對稱的并聯(lián)支路：為了解決并聯(lián)均流問題，必須在布局時確保每個并聯(lián)模塊的功率回路和門極驅動回路的寄生參數（包括電感和電阻）高度一致。任何不對稱都會導致電流不平衡。

分離驅動與功率回路：將SiC MOSFET的門極驅動板與高功率主回路板物理分離，并通過開爾文源極點（Kelvin source）進行連接 。這種設計能夠將門極驅動回路與功率開關回路的高 di/dt、高dv/dt環(huán)境隔離，確保驅動信號的純凈，避免因高頻干擾導致的錯誤開關或振蕩。

7.2 高效熱管理方案

兆瓦級功率密度意味著巨大的熱量產生，對散熱系統(tǒng)提出了極高要求。

高效散熱器設計：充分利用BMF240R12E2G3模塊的低結-殼熱阻Rth(j?c) ，通過設計高效的散熱器來確保熱量從模塊底部快速傳導出去。

液冷技術應用：對于兆瓦級功率等級，強制風冷已難以滿足散熱需求。高效的液冷（water cooling）方案是確保所有SiC模塊結溫始終處于安全工作范圍內的關鍵。液冷系統(tǒng)可以更精確地控制模塊溫度，從而確保R_DS(on)保持在最低水平，進一步降低導通損耗。

實時溫度監(jiān)控與保護：利用模塊內置的NTC熱敏電阻，可以實現(xiàn)對模塊溫度的實時監(jiān)控 。將此溫度信號反饋給控制系統(tǒng)，可以實現(xiàn)過溫保護功能，并在極端情況下通過降額運行或緊急關斷來保護器件。

8. 結論、挑戰(zhàn)與展望

8.1 設計方案總結

傾佳電子基于SiC功率模塊和CLLC諧振變換器拓撲，為兆瓦級儲能電池直掛充電樁電源系統(tǒng)提供了一個先進且可行的技術方案。該方案的核心優(yōu)勢在于：

核心元器件的完美協(xié)同：BMF240R12E2G3 SiC模塊以其低導通電阻和低熱阻為高功率密度設計提供了堅實基礎；BTD5350x門極驅動器提供強大的驅動電流和全面的保護功能，確保SiC模塊的高速可靠開關；BTP1521x隔離電源芯片與TR-P15DS23-EE13變壓器則為驅動器提供了高度定制化的高頻隔離電源，完美契合SiC模塊的供電需求。

拓撲選擇的戰(zhàn)略性：雙向CLLC拓撲的固有軟開關特性，從根本上解決了高頻大功率應用中的效率難題，其雙向功率流能力也完全滿足儲能-充電一體化的功能需求。

深圳市傾佳電子有限公司（簡稱“傾佳電子”）是聚焦新能源與電力電子變革的核心推動者：
傾佳電子成立于2018年，總部位于深圳福田區(qū)，定位于功率半導體與新能源汽車連接器的專業(yè)分銷商，業(yè)務聚焦三大方向：
新能源：覆蓋光伏、儲能、充電基礎設施；
交通電動化：服務新能源汽車三電系統(tǒng)（電控、電池、電機）及高壓平臺升級；
數字化轉型：支持AI算力電源、數據中心等新型電力電子應用。
公司以“推動國產SiC替代進口、加速能源低碳轉型”為使命，響應國家“雙碳”政策（碳達峰、碳中和），致力于降低電力電子系統(tǒng)能耗。
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8.2 潛在挑戰(zhàn)與工程建議

盡管該方案在理論上具有顯著優(yōu)勢，但在實際兆瓦級應用中仍面臨核心挑戰(zhàn)：

并聯(lián)均流：動態(tài)電流不平衡是首要難題，其根本原因在于寄生參數的不對稱性。

高頻磁性元件設計：兆瓦級功率下的高頻磁性元件設計，需要綜合考慮材料選擇、結構優(yōu)化和熱管理，以平衡損耗、體積和成本。

高效熱管理：兆瓦級功率密度對散熱系統(tǒng)提出極致要求，液冷是必不可少的。

為應對這些挑戰(zhàn)，建議在工程實踐中：1) 嚴格遵循PCB布局原則，采用疊層母排和分離式驅動板設計以確保并聯(lián)支路的高度對稱；2) 采用仿真工具對功率回路和驅動回路的寄生參數進行精確建模與優(yōu)化；3) 部署冗余和智能控制策略，結合內置NTC溫度傳感器進行實時健康監(jiān)測與保護。

8.3 未來技術發(fā)展展望

未來，隨著新一代SiC器件的不斷演進、高集成度拓撲的出現(xiàn)以及自適應控制算法的進步，兆瓦級儲能-充電電源的功率密度和效率將持續(xù)提升。傾佳電子所提出的SiC-CLLC技術路線，正是這一發(fā)展趨勢的縮影。這一技術路線的成熟與應用，將為電動汽車快速充電和電網的穩(wěn)定運行提供強有力的技術保障，進一步推動能源領域的變革。

審核編輯 黃宇