傾佳電子先進拓撲與SiC碳化硅技術的融合：現(xiàn)代電動汽車充電樁電源模塊綜合解析

傾佳電子（Changer Tech）是一家專注于功率半導體和新能源汽車連接器的分銷商。主要服務于中國工業(yè)電源、電力電子設備和新能源汽車產(chǎn)業(yè)鏈。傾佳電子聚焦于新能源、交通電動化和數(shù)字化轉型三大方向，并提供包括IGBT、SiC MOSFET、GaN等功率半導體器件以及新能源汽車連接器。?

傾佳電子楊茜致力于推動國產(chǎn)SiC碳化硅模塊在電力電子應用中全面取代進口IGBT模塊，助力電力電子行業(yè)自主可控和產(chǎn)業(yè)升級！

傾佳電子楊茜咬住SiC碳化硅MOSFET功率器件三個必然，勇立功率半導體器件變革潮頭：

傾佳電子楊茜咬住SiC碳化硅MOSFET模塊全面取代IGBT模塊和IPM模塊的必然趨勢！

傾佳電子楊茜咬住SiC碳化硅MOSFET單管全面取代IGBT單管和大于650V的高壓硅MOSFET的必然趨勢！

傾佳電子楊茜咬住650V SiC碳化硅MOSFET單管全面取代SJ超結MOSFET和高壓GaN 器件的必然趨勢！

引言

全球向電動出行的轉型正在催生對強大、高效的電動汽車（EV）充電基礎設施前所未有的需求。作為直流快充樁的核心，電源模塊正成為技術創(chuàng)新的焦點。本報告將對電動汽車充電樁電源模塊的主流電路拓撲與技術發(fā)展趨勢進行專家級分析。報告旨在闡明，行業(yè)的核心目標——實現(xiàn)更高的功率密度、超高效率以及支持車輛到電網(wǎng)（Vehicle-to-Grid, V2G）的雙向能量互動——正通過先進功率變換架構與寬禁帶半導體，特別是碳化硅（SiC）器件的協(xié)同應用而得以實現(xiàn)。本報告將首先剖析主流的功率拓撲結構，繼而分析驅動其演進的市場宏觀趨勢，隨后通過深入的數(shù)據(jù)驅動研究，量化分析SiC器件的應用價值，并以實際的設計考量和未來展望作為總結。

第一章：高功率充電樁模塊的架構演進

本章將詳細介紹充電樁電源模塊的功能模塊，分析其在AC/DC和DC/DC轉換階段中不同電路設計的權衡。

1.1 兩級變換架構

現(xiàn)代大功率直流充電樁電源模塊普遍采用兩級變換架構。該架構由一個前端AC/DC轉換器和一個后端隔離式DC/DC轉換器組成。前端AC/DC級的主要功能是進行功率因數(shù)校正（Power Factor Correction, PFC），將電網(wǎng)的三相交流電轉換為穩(wěn)定的高壓直流母線電壓；后端DC/DC級則負責將該直流電壓轉換為適合為電動汽車電池充電的電壓，并提供必要的電氣隔離。這種結構是理解器件選型和設計挑戰(zhàn)的基礎。

1.2 AC/DC PFC級：電網(wǎng)接口

PFC級是充電樁與電網(wǎng)之間的接口，其性能直接影響電能質量和系統(tǒng)效率。

1.2.1 維也納（Vienna）整流器

維也納整流器是一種應用廣泛的三相、三電平（three-level）升壓型PFC拓撲。其主要優(yōu)勢在于相較于傳統(tǒng)的兩電平橋式整流器，開關器件承受的電壓應力更低，僅為直流母線電壓的一半，從而顯著降低了開關損耗，并提高了系統(tǒng)效率 。

在基本半導體（BASIC Semiconductor）提供的30kW和40kW充電模塊解決方案中，維也納整流器是核心組成部分，通常搭配SiC肖特基二極管（SiC SBD）和專為該拓撲橫管設計的IGBT（BG75N65HRA1） 。意法半導體（STMicroelectronics）的一款30kW維也納整流器參考設計，通過采用SiC MOSFET，在70kHz的開關頻率下實現(xiàn)了98.56%的峰值效率 。

SiC器件的應用極大地提升了維也納整流器的性能。SiC SBD幾乎沒有反向恢復電荷（$Q_{rr}$），從根本上消除了連續(xù)導通模式（CCM）整流器中的一個主要損耗來源。而SiC MOSFET則能讓開關頻率從傳統(tǒng)IGBT的低于40kHz提升至70-80kHz甚至更高，這使得系統(tǒng)中的升壓電感體積和成本得以大幅縮減，從而提高功率密度 。

1.2.2 面向雙向應用的多電平與圖騰柱拓撲

V2G趨勢的興起要求PFC級具備雙向潮流能力。為此，三電平T型中點鉗位（T-type NPC）和有源中點鉗位（ANPC）拓撲成為可行的選擇。這些拓撲同樣具有電壓應力減半的優(yōu)點，允許使用額定電壓較低（如600V）的器件，從而進一步優(yōu)化開關性能 。

其中，圖騰柱（Totem-Pole）PFC拓撲因其結構簡潔、通路中導通器件少而被認為是實現(xiàn)高效率雙向變換的理想選擇。然而，傳統(tǒng)硅基MOSFET的體二極管存在嚴重的反向恢復問題，導致其在硬開關的CCM模式下?lián)p耗巨大，限制了其應用 。SiC MOSFET的出現(xiàn)徹底解決了這一瓶頸。其體二極管的反向恢復特性極佳，接近零反向恢復電荷（$Q_{rr}$），使得圖騰柱拓撲可以在CCM模式下高效運行，充分發(fā)揮其高效率潛力 。

1.3 隔離式DC/DC級：電池接口

DC/DC級是連接高壓直流母線和汽車電池的關鍵環(huán)節(jié)，負責電壓匹配和安全隔離。

1.3.1 諧振LLC與移相全橋（PSFB）拓撲

對于單向充電應用，LLC諧振拓撲和移相全橋（PSFB）是兩種成熟且高效的技術。LLC變換器因其在寬負載范圍內(nèi)實現(xiàn)開關管零電壓開通（Zero Voltage Switching, ZVS）的能力而備受青睞，可顯著降低開關損耗。PSFB則以其拓撲結構堅固、控制簡單而著稱。在基本半導體的30kW至60kW模塊方案中，LLC拓撲被廣泛采用，并與維也納整流器搭配使用 。這些拓撲的技術演進主要體現(xiàn)在功率開關從傳統(tǒng)的硅基超結（Super-Junction）MOSFET向SiC MOSFET的升級，以支持更高的工作頻率并進一步降低損耗。

1.3.2 用于V2G的雙有源橋（DAB）拓撲

為了實現(xiàn)V2G，DC/DC級也必須是雙向的。雙有源橋（DAB）及其諧振變體CLLC變換器，是目前公認的領先雙向DC/DC拓撲 。DAB拓撲結構對稱，通過控制兩側全橋的相移角即可輕松實現(xiàn)雙向功率傳輸，且易于模塊化擴展 。

然而，DAB拓撲在寬電池電壓范圍內(nèi)工作時，會產(chǎn)生較大的環(huán)流，增加導通損耗，從而影響效率。此外，拓撲中的硬開關換流過程對功率器件的體二極管反向恢復特性提出了極為苛刻的要求。傳統(tǒng)Si IGBT由于其緩慢的反向恢復和“拖尾電流”，在此類應用中會產(chǎn)生災難性的損耗 。SiC MOSFET憑借其極低的導通電阻（$R_{DS(on)}$）和快速且低損耗的體二極管，成為DAB拓撲的理想選擇，是實現(xiàn)其高效、可靠運行的基礎 。

充電樁電源模塊的架構選擇直接反映了其目標應用。對于成本敏感、應用廣泛的單向快充市場，維也納整流器與LLC/PSFB的組合是一種經(jīng)過市場驗證、高度優(yōu)化的成熟方案。與此同時，由電網(wǎng)支持和經(jīng)濟激勵驅動的V2G應用，正成為推動行業(yè)向更復雜但本質上是雙向的拓撲（如圖騰柱PFC和DAB）演進的核心動力。

值得注意的是，拓撲結構的選擇與半導體技術的選型已不再是相互獨立的決策。高頻、高效雙向拓撲（如圖騰柱PFC和DAB）的實用性，在很大程度上依賴于SiC MOSFET的獨特物理特性，特別是其低$Q_{rr}$的體二極管和極低的開關損耗?？梢哉f，選擇CCM模式下的圖騰柱或DAB拓撲，就意味著必須采用SiC器件才能實現(xiàn)有競爭力的高效設計。這兩種決策已深度綁定，相互依存。

表1：關鍵電源模塊拓撲對比分析

第二章：塑造下一代充電樁設計的宏觀趨勢

本章將分析驅動充電樁技術創(chuàng)新的市場與技術力量，闡明架構與元器件層面變革背后的根本原因。

2.1 追求更高的功率密度（kW/L）

功率密度是衡量充電樁電源模塊先進性的核心指標之一。業(yè)界目標已達到4.6 kW/L甚至更高 ?，F(xiàn)代大功率充電樁（如300kW）通常采用模塊化設計，即將多個較小功率的模塊（如30-60kW）并聯(lián)堆疊而成，因此單個模塊的功率密度對于整個充電樁的尺寸、重量和成本至關重要 。提升功率密度的主要途徑是提高開關頻率，這可以顯著減小電感、變壓器等磁性元件以及電容的體積。SiC器件相比傳統(tǒng)硅器件，能夠在更高頻率（如70-100kHz以上）下保持高效率，是實現(xiàn)高功率密度的關鍵技術 。更高的功率密度直接轉化為更小、更輕、成本更低的充電樁設備，從而降低了部署和安裝的總擁有成本，是快充網(wǎng)絡大規(guī)模經(jīng)濟化部署的關鍵因素。

2.2 追求超高效率（>98%）

峰值效率超過98.5%已成為現(xiàn)代充電模塊的設計基準 。更高的效率意味著更低的能量損耗，這不僅能為運營商節(jié)省可觀的電費，更重要的是，它能顯著減少廢熱的產(chǎn)生 。對于一個每天運行數(shù)小時的350kW充電站而言，1-2%的效率提升每年可節(jié)省大量電費。更關鍵的是，熱管理是充電樁系統(tǒng)體積、成本和可靠性的主要制約因素之一，效率的提升可大幅簡化散熱系統(tǒng)（如采用更小的散熱器或從液冷降級為風冷），從而提高系統(tǒng)的可靠性并降低成本。

2.3 向雙向功率流（V2G）的范式轉變

V2G正從一個前沿概念迅速轉變?yōu)樯虡I(yè)現(xiàn)實。它允許電動汽車在停放時作為分布式儲能單元，向電網(wǎng)回售電能，從而參與電網(wǎng)調(diào)峰、頻率調(diào)節(jié)，為車主創(chuàng)造收益，或在停電時充當備用電源 。這一功能的實現(xiàn)要求充電樁的PFC和DC/DC功率級都具備完全的雙向潮流能力 。市場上已有公司如英飛源推出了基于SiC模塊的V2G解決方案，證明了其技術可行性 。V2G將充電樁從一個單純的用能設備轉變?yōu)橐粋€與電網(wǎng)友好互動的智能資產(chǎn)，這在增加巨大附加值的同時，也對電力電子技術提出了更嚴格的要求，即必須在兩個方向上都能高效、可靠地傳輸能量。

這三大趨勢并非孤立存在，而是由SiC技術串聯(lián)起的一個良性循環(huán)。首先，SiC帶來的高效率降低了熱負荷，這直接為提高功率密度創(chuàng)造了條件。更高的功率密度使得模塊化大功率充電樁的設計更為緊湊和經(jīng)濟。大功率充電樁滿足了長續(xù)航電動汽車大容量電池的充電需求，而這些大容量電池又構成了潛力巨大的分布式儲能網(wǎng)絡。這個網(wǎng)絡的價值可以通過V2G技術來釋放，而V2G又要求高效、可靠的雙向功率變換，這恰恰是SiC技術的優(yōu)勢所在。這個循環(huán)環(huán)環(huán)相扣，自我強化。

此外，V2G的運營模式對充電樁的長期可靠性和元器件壽命提出了遠高于單向充電器的要求。一個單向充電器可能每天只工作幾次，而一個參與電網(wǎng)服務的V2G充電樁可能每天都在進行頻繁的充放電循環(huán)，這極大地增加了功率器件的運行壓力和熱循環(huán)次數(shù)。因此，V2G應用使得SiC器件卓越的熱性能（導熱系數(shù)約為硅的3倍）和經(jīng)過驗證的長期可靠性（如通過2500小時以上的高溫反偏測試）不再僅僅是性能優(yōu)勢，而是保障系統(tǒng)長期穩(wěn)定運行的關鍵要求 。

第三章：SiC功率器件的決定性價值：深度解析

本章將通過數(shù)據(jù)驅動的分析，驗證SiC器件在現(xiàn)代充電樁設計中相較于傳統(tǒng)硅基IGBT的優(yōu)越性。

3.1 碳化硅（SiC）的根本材料優(yōu)勢

SiC作為一種寬禁帶半導體材料，其物理特性遠超傳統(tǒng)硅（Si）。SiC的禁帶寬度約為硅的3倍（3.26eV vs 1.12eV），臨界擊穿場強約為硅的10倍，熱導率約為硅的3倍，電子飽和漂移速率約為硅的2倍 。這些根本優(yōu)勢直接轉化為器件層面的 tangible benefits：在更小的芯片面積上實現(xiàn)更高的阻斷電壓、更高效的散熱能力以及更快的開關速度。

3.2 性能基準：SiC MOSFET vs. Si IGBT

3.2.1 開關損耗

這是SiC MOSFET與Si IGBT最顯著的區(qū)別。IGBT作為雙極型器件，在關斷時由于少數(shù)載流子的復合過程會產(chǎn)生“拖尾電流”，這極大地增加了其關斷損耗（$E_{off}$） 。而SiC MOSFET是單極型器件，不存在此問題。一項直接對比測試顯示，在同等條件下，Si IGBT的$E_{off}$（734 μJ）幾乎是SiC MOSFET（188 μJ）的四倍，僅關斷損耗一項就降低了75% 。另一項替換實驗表明，用SiC MOSFET替代IGBT后，系統(tǒng)總損耗降低了41%，其中關斷損耗降幅高達約78% 。開關損耗的大幅降低是充電樁電源模塊能夠向更高頻率發(fā)展的根本原因，也是實現(xiàn)高功率密度的關鍵。

3.2.2 導通損耗

IGBT的導通壓降存在一個$V_{ce(sat)}$“膝區(qū)電壓”，而MOSFET則表現(xiàn)為純阻性（$R_{DS(on)}$）。在低電流下，IGBT的膝區(qū)電壓導致其導通損耗較高；而在極高電流下，IGBT的$V_{ce(sat)}$上升可能慢于MOSFET的壓降（$I times R_{DS(on)}$），存在一個損耗交叉點 。然而，隨著技術的進步，現(xiàn)代SiC MOSFET的導通電阻已達到極低水平，例如基本半導體的B3M013C120Z（13.5 mΩ）和B3M010C075Z（10 mΩ），這使得損耗交叉點被推向非常高的電流區(qū)域，確保了SiC MOSFET在絕大部分工作范圍內(nèi)都具有更低的導通損耗 。

3.2.3 體二極管性能

SiC MOSFET的本征體二極管具有極低的反向恢復電荷（$Q_{rr}$）和反向恢復時間（$t_{rr}$），其性能接近理想二極管。這與Si MOSFET緩慢且高損耗的體二極管，以及IGBT需額外并聯(lián)的快速恢復二極管（FRD）形成鮮明對比 。例如，B3M013C120Z的數(shù)據(jù)手冊顯示，其在25°C時的$Q_{rr}$僅為390 nC，對于大電流器件而言性能優(yōu)異 。對于依賴體二極管進行續(xù)流或反向導通的雙向拓撲（如DAB和圖騰柱），這一特性至關重要。緩慢的二極管恢復會引發(fā)巨大的損耗甚至導致器件損壞。

表2：SiC MOSFET vs. Si IGBT 性能基準對比

3.3 案例研究：40kW充電模塊實證性能

一份詳細的測試報告對基本半導體的B2M040120Z與業(yè)界主流的C3M0040120K兩款SiC MOSFET在同一個40kW充電樁電源模塊上進行了對比測試，提供了寶貴的實證數(shù)據(jù) 。

效率：在重載條件下（如500V/40kW），兩款器件的整機效率幾乎完全相同（96.28% vs. 96.32%），證明了國產(chǎn)SiC器件在性能上已具備與國際領先產(chǎn)品同臺競爭的實力。

熱性能：在不同工況下，兩款器件的散熱器溫度非常接近（如750V/40kW時為60.1°C vs. 63.5°C），這從側面驗證了它們的實際損耗水平相當。

電氣應力：測試波形顯示，B2M040120Z在關斷瞬間的柵極負向電壓尖峰更小（-3.757V vs. -4.369V），這可能意味著其具有更好的EMI特性或更穩(wěn)定的柵極驅動回路，有助于提升系統(tǒng)長期可靠性 。

拓撲適應性：在另一項單級矩陣變換器（一種軟開關拓撲）的測試中，B2M040120Z表現(xiàn)出比某進口品牌更高的效率（98.1% vs 97.3%）。報告分析認為，這是由于在軟開關應用中，開通損耗（$E_{on}$）被消除，而B2M040120Z的關斷損耗（$E_{off}$）更優(yōu)，使其優(yōu)勢得以凸顯 。

表3：40kW模塊測試結果摘要 (B2M040120Z vs. C3M0040120K)

注：數(shù)據(jù)整理自3，其中500V/40kW測試的實際輸出功率約為30kW，750V/40kW測試的實際輸出功率約為30kW。

上述40kW模塊的實證數(shù)據(jù)表明，國產(chǎn)SiC器件與國際成熟產(chǎn)品之間的性能差距正在迅速縮小，已成為高性能應用中一個極具競爭力的選擇。此外，盡管峰值效率是重要的衡量標準，但動態(tài)性能數(shù)據(jù)揭示了更深層次的差異。B2M040120Z在軟開關拓撲中因其較低的$E_{off}$而表現(xiàn)更優(yōu)，以及其更穩(wěn)定的柵極電壓波形，這些看似細微的“二階”特性，對系統(tǒng)級的可靠性、EMI性能以及在不同拓撲中的適用性都有著至關重要的影響。這表明，該器件可能比其競爭對手更適合應用于LLC等諧振拓撲中。

第四章：基于SiC系統(tǒng)的關鍵設計與實現(xiàn)考量

本章將從“為什么用SiC”轉向“如何正確使用SiC”，探討工程師在實際應用中面臨的挑戰(zhàn)與解決方案。

4.1 柵極驅動要求

SiC MOSFET的驅動要求與傳統(tǒng)Si IGBT有顯著不同。為實現(xiàn)最低的導通電阻，SiC MOSFET通常需要+18V至+20V的正向柵壓；為確保在高速開關和高dv/dt干擾下可靠關斷，通常需要施加-2V至-5V的負向偏壓 。此外，其柵極開啟閾值電壓（$V_{gs(th)}$）相對較低（通常為2-3V），使其對柵極噪聲更為敏感，容易發(fā)生誤導通 。因此，必須使用專為SiC MOSFET設計的柵極驅動芯片。認識到這一點，像基本半導體這樣的公司不僅提供功率器件，還提供包括驅動芯片（如BTD5350MCWR）、驅動電源芯片（BTP1521F）和隔離變壓器在內(nèi)的完整解決方案生態(tài) 。

4.2 應對高dv/dt：米勒鉗位的必要性

SiC MOSFET的快速開關特性會產(chǎn)生極高的電壓變化率（dv/dt）。在半橋結構中，當一個開關管（如下管）開通時，橋臂中點的電壓會迅速下降，這個高dv/dt會通過另一個開關管（上管）的米勒電容（$C_{gd}$）產(chǎn)生一個電流，該電流在柵極電阻上形成壓降，可能導致上管被意外“頂開”，造成上下管直通的嚴重故障 。

米勒鉗位功能是解決此問題的有效手段。它在開關管關斷期間，提供一個低阻抗通路將柵極鉗位到負電源軌?；景雽w提供的一組雙脈沖測試數(shù)據(jù)清晰地證明了其必要性：在沒有米勒鉗位的情況下，處于關斷狀態(tài)的MOSFET柵極被干擾電壓抬升至7.3V，遠超其開啟閾值，存在極高的直通風險；而在啟用米勒鉗位后，該干擾電壓被有效抑制在安全的2V以內(nèi) 。這表明，米勒鉗位在SiC半橋應用中并非可選功能，而是保障系統(tǒng)可靠性的強制性措施。現(xiàn)代SiC驅動芯片（如BTD5350系列）已將此功能作為標準配置 。

4.3 先進封裝的角色

在高頻開關應用中，封裝的寄生電感是導致電壓過沖的主要原因。為了充分發(fā)揮SiC芯片的性能，必須采用先進的低電感封裝。例如，4引腳的TO-247-4封裝通過增加一個開爾文源極（Kelvin Source）引腳，將功率回路與驅動回路分開，有效降低了共源電感對柵極驅動的干擾 。對于更高功率的應用，則采用功率模塊。這些模塊通過優(yōu)化內(nèi)部布局以實現(xiàn)極低的雜散電感，并采用氮化硅（$Si_{3}N_{4}$）AMB陶瓷基板、銀燒結等新材料和新工藝，來提升散熱性能和功率循環(huán)能力，從而確保長期可靠性 。

成功應用SiC器件并非簡單的“即插即用”替換，而是一個系統(tǒng)級的協(xié)同設計過程。選擇SiC器件，就意味著必須同步考慮驅動電路、電源、PCB布局和封裝等一系列問題。例如，SiC的高開關速度產(chǎn)生了高dv/dt，這要求驅動器具備米勒鉗位功能；同時，高開關速度也帶來了高di/dt，這要求封裝和布局具有極低的寄生電感。這解釋了為何領先的供應商會提供包括功率器件、驅動和電源在內(nèi)的整體解決方案，因為這正是市場需求的體現(xiàn)。像米勒鉗位這樣的功能，已經(jīng)從輔助電路演變?yōu)楸Ｕ舷到y(tǒng)可靠性的核心特性，標志著市場關注點正從單純的器件性能指標轉向系統(tǒng)級的可靠性與易用性。

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深圳市傾佳電子有限公司（簡稱“傾佳電子”）是聚焦新能源與電力電子變革的核心推動者：
傾佳電子成立于2018年，總部位于深圳福田區(qū)，定位于功率半導體與新能源汽車連接器的專業(yè)分銷商，業(yè)務聚焦三大方向：
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公司以“推動國產(chǎn)SiC替代進口、加速能源低碳轉型”為使命，響應國家“雙碳”政策（碳達峰、碳中和），致力于降低電力電子系統(tǒng)能耗。
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結論與未來展望

傾佳電子系統(tǒng)地闡述了現(xiàn)代電動汽車充電樁電源模塊的技術演進路徑，揭示了其核心驅動力是市場對高功率密度、高效率和V2G雙向能力的需求與先進電力電子技術的協(xié)同發(fā)展。分析表明，維也納整流器、LLC、圖騰柱PFC和DAB等先進拓撲的應用，與SiC功率器件的卓越性能緊密相連。這些拓撲的實用化和性能最大化，在很大程度上依賴于SiC器件克服了傳統(tǒng)硅基IGBT在開關速度、損耗和反向恢復特性上的根本瓶頸。

展望未來，充電樁電源模塊的技術發(fā)展將呈現(xiàn)以下趨勢：

成本下降與廣泛普及：隨著6英寸及更大尺寸SiC晶圓制造規(guī)模的擴大，SiC器件的成本將持續(xù)下降，加速其在更多成本敏感型應用中對Si IGBT的替代 。

更高電壓平臺架構：隨著電動汽車電池平臺向800V甚至更高電壓發(fā)展，市場對1200V和1700V SiC器件的需求將持續(xù)增長 。

更高集成度：未來將出現(xiàn)更高集成度的功率解決方案，例如將驅動器與SiC開關單片集成，以及在功率模塊內(nèi)部集成更多傳感、保護和控制功能的智能功率模塊（IPM）。

綜上所述，以SiC器件為核心的電力電子技術革命，正在并將持續(xù)推動電動汽車充電基礎設施向著更高效、更緊湊、更智能的方向邁進。

審核編輯 黃宇