該CDCVF857是一款高性能、低偏斜、低抖動、零延遲緩沖器，可將差分時鐘輸入對（CLK、CLK）分配給10個差分時鐘輸出對（Y[0：9]、Y[0：9]）和1個差分反饋時鐘輸出對（FBOUT、FBOUT）。時鐘輸出由時鐘輸入（CLK、CLK）、反饋時鐘（FBIN、FBIN）和模擬電源輸入（AVDD）控制。當(dāng)PWRDWN為高電平時，輸出與CLK在相位和頻率上切換。當(dāng)PWRDWN為低電平時，所有輸出都被禁用到高阻抗?fàn)顟B(tài)（3狀態(tài)），PLL關(guān)閉（低功耗模式）。當(dāng)輸入頻率低于低于 20 MHz（典型值 10 MHz）的建議檢測頻率時，器件也會進(jìn)入這種低功耗模式。輸入頻率檢測電路檢測低頻條件，在施加>20MHz輸入信號后，該檢測電路導(dǎo)通PLL并使能輸出。
*附件：cdcvf857.pdf

當(dāng) AVDD捆扎低，則 PLL 關(guān)閉并旁路用于測試目的。該CDCVF857還能夠跟蹤擴(kuò)頻時鐘以降低EMI。

由于CDCVF857基于PLL電路，因此需要穩(wěn)定時間才能實現(xiàn)PLL的鎖相。通電后需要此穩(wěn)定時間。該CDCVF857適用于商業(yè)和工業(yè)溫度范圍。

特性

• 兼容擴(kuò)頻時鐘
• 工作頻率：60 MHz 至 220 MHz
• 低抖動（周期間）：±35 ps
• 低靜態(tài)相位偏移：±50 ps
• 低抖動（周期）：±30 ps
• 1 到 10 差分時鐘分配 （SSTL2）
• 同類最佳 V 牛 = V DD /2 ±0.1 伏
• 采用雙通道 2.6V 或 2.5V 電源供電
• 采用 40 引腳 MLF 封裝、48 引腳 TSSOP 封裝、56 引腳 MicroStar Junior? BGA 封裝
• 消耗<100μA靜態(tài)電流
• 外部反饋引腳（FBIN、FBIN）用于將輸出與輸入時鐘同步
• 符合/超過DDRI-200/266/333規(guī)范的JEDEC標(biāo)準(zhǔn)（JESD82-1）
• 達(dá)到/超過建議的DDRI-400規(guī)范（JESD82-1A）
• 當(dāng)未施加CLK輸入信號或PWRDWN為低電平時，進(jìn)入低功耗模式
• 應(yīng)用
  • DDR內(nèi)存模塊（DDR400/333/266/200）
  • 零延遲扇出緩沖器

參數(shù)

?1. 核心特性?

• ?高性能時鐘分配?：1:10差分時鐘分配（SSTL2標(biāo)準(zhǔn)），支持60-220MHz工作頻率
• ?低抖動性能?：周期抖動±30ps，周期間抖動±35ps，靜態(tài)相位偏移±50ps
• ?電源特性?：雙2.5V/2.6V供電，靜態(tài)電流<100μA
• ?封裝選項?：40引腳MLF、48引腳TSSOP、56球MicroStar Junior? BGA封裝
• ?兼容性?：符合JESD82-1 DDR200/266/333及JESD82-1A DDR400規(guī)范

?2. 關(guān)鍵功能?

• ?零延遲緩沖?：通過外部反饋引腳(FBIN/FBIN)同步輸出與輸入時鐘
• ?低功耗模式?：無輸入時鐘信號或PWRDWN為低電平時自動激活
• ?擴(kuò)頻時鐘兼容?：支持EMI抑制技術(shù)
• ?快速穩(wěn)定?：PLL模式10μs鎖定時間，旁路模式30ns恢復(fù)時間

?3. 電氣參數(shù)?

• ?工作條件?：
  • 供電電壓：2.3-2.7V（VDDQ）
  • 溫度范圍：-40°C至85°C
• ?輸出特性?：
  • 差分輸出電壓擺幅0.36-0.6V
  • 驅(qū)動能力：±12mA（高低電平）

?4. 典型應(yīng)用?

• DDR內(nèi)存模塊（DDR400/333/266/200）
• 零延遲時鐘扇出緩沖器
• 需要高精度時鐘分配的系統(tǒng)

?5. 設(shè)計注意事項?

• 建議AVDD電源采用4.7μF+0.1μF+2200pF三級濾波
• 最大負(fù)載電容12pF（200MHz時）
• 熱特性：TSSOP封裝θJA 89.1°C/W（無氣流）