TLC556 系列是采用 TI LinCMOS? 工藝制造的單片定時(shí)電路，可與 CMOS、TTL 和 MOS 邏輯完全兼容，工作頻率高達(dá) 2MHz。由于輸入阻抗高，該器件支持比 NE556 支持的時(shí)序電容器更小的定時(shí)電容器。因此，可以實(shí)現(xiàn)更準(zhǔn)確的時(shí)間延遲和振蕩。在整個(gè)電源電壓范圍內(nèi)功耗都很低。
*附件：tlc556.pdf

與 NE556 一樣，TLC556 的觸發(fā)電平大約等于電源電壓的三分之一，閾值電平等于大約電源電壓的三分之二。這些電平可以通過使用控制電壓引腳 （CONT） 來改變。當(dāng)觸發(fā)輸入 （TRIG） 小于觸發(fā)電平時(shí)，觸發(fā)器被設(shè)置，輸出變?yōu)楦唠娖健Ｈ绻鸗RIG大于觸發(fā)電平，而門限輸入（THRES）大于門限電平，則觸發(fā)器復(fù)位，輸出為低電平。復(fù)位輸入 （RESET） 覆蓋所有其他輸入，用于啟動(dòng)新的時(shí)序周期。如果RESET為低電平，則觸發(fā)器復(fù)位，輸出為低電平。每當(dāng)輸出為低電平時(shí)，放電引腳 （DISCH） 和接地引腳 （GND） 之間都會(huì)提供低阻抗路徑。將所有未使用的輸入連接到適當(dāng)?shù)倪壿嬰娖?，以防止錯(cuò)誤觸發(fā)。

盡管CMOS輸出能夠吸收超過100mA的電流和超過10mA的源電流，但TLC556在輸出轉(zhuǎn)換期間表現(xiàn)出大大降低的電源電流尖峰。此功能最大限度地減少了對(duì) NE556 所需的大型去耦電容器的需求。

該TLC556C的特點(diǎn)是在 0°C 至 70°C 范圍內(nèi)工作。 該TLC556I的工作溫度范圍為?40°C至+85°C。 該TLC556M的特性是在 -55°C 至 +125°C 的整個(gè)軍用溫度范圍內(nèi)工作。

特性

• 極低的功耗：
  • VDD = 5V時(shí)為2mW（典型值）
• 能夠在非穩(wěn)態(tài)模式下運(yùn)行
• CMOS輸出能夠擺動(dòng)軌到軌
• 高輸出電流能力
  • 灌電流：100mA（典型值）
  • 電源：10mA（典型值）
• 輸出完全兼容 CMOS、TTL 和 MOS
• 低電源電流可減少輸出轉(zhuǎn)換期間的尖峰
• 2V 至 15V 的單電源工作
• 功能上可與 NE556 互換;具有相同的引腳排列

參數(shù)

方框圖

?1. 產(chǎn)品概述?

• ?型號(hào)?：TLC556（商用級(jí)）、TLC556I（工業(yè)級(jí)）、TLC556M（軍用級(jí)）
• ?工藝技術(shù)?：TI LinCMOS?工藝，兼容CMOS/TTL/MOS邏輯，工作頻率可達(dá)2MHz。
• ?核心特性?：
  • ?低功耗?：典型功耗2mW@5V，支持2V-15V單電源供電。
  • ?高驅(qū)動(dòng)能力?：灌電流100mA，拉電流10mA，輸出軌到軌。
  • ?功能兼容性?：與NE556引腳和功能完全兼容，但輸入阻抗更高，支持更小定時(shí)電容。

?2. 關(guān)鍵參數(shù)?

• ?工作溫度范圍?：
  • TLC556C：0°C至70°C
  • TLC556I：-40°C至+85°C
  • TLC556M：-55°C至+125°C
• ?閾值電壓?（VDD=5V時(shí)）：
  • 觸發(fā)電平（TRIG）：≈1.66V（1/3 VDD）
  • 閾值電平（THRES）：≈3.33V（2/3 VDD）
• ?ESD防護(hù)?：HBM/CDM均達(dá)±1000V。

?3. 功能與模式?

• ?控制邏輯?：
  • RESET低電平強(qiáng)制復(fù)位輸出。
  • TRIG<1/3 VDD時(shí)置位輸出，THRES>2/3 VDD時(shí)復(fù)位輸出。
• ?工作模式?：
  • ?非穩(wěn)態(tài)模式?：通過外部RC網(wǎng)絡(luò)生成振蕩信號(hào)。
  • ?單穩(wěn)態(tài)模式?：通過觸發(fā)信號(hào)生成固定寬度脈沖。
• ? 控制引腳（CONT） ?：可調(diào)整比較器閾值電壓。

?4. 封裝選項(xiàng)?

?5. 典型應(yīng)用?

• 精密定時(shí)、脈沖生成、延時(shí)電路
• 脈沖寬度調(diào)制（PWM）、線性斜坡發(fā)生器
• 需注意：未使用的輸入引腳需接固定電平（VDD或GND）以防誤觸發(fā)。