TLC552 是使用 TI LinCMOS 制造的雙單片定時電路^TM的^該工藝，可與 CMOS、TTL 和 MOS 邏輯完全兼容，并在高達 2 MHz 的頻率下工作。由于輸入阻抗高，使用比 NE555 更小、更便宜的定時電容器可以實現精確的時間延遲和振蕩。在整個電源電壓范圍內功耗都很低。
*附件：tlc552.pdf

與 NE556 一樣，TLC552 的觸發(fā)電平約為電源電壓的三分之一，閾值電平約為電源電壓的三分之二。這些電平可以通過使用控制電壓端子來改變。當觸發(fā)輸入低于觸發(fā)電平時，觸發(fā)器被設置，輸出變?yōu)楦唠娖?。如果觸發(fā)輸入高于觸發(fā)電平，而閾值輸入高于閾值電平，則觸發(fā)器復位，輸出為低電平。復位輸入可以覆蓋所有其他輸入，并可用于啟動新的時序周期。如果復位輸入為低電平，則觸發(fā)器復位，輸出為低電平。每當輸出為低電平時，放電端子和地之間都會提供一條低阻抗路徑。

雖然CMOS輸出能夠吸收超過100 mA的電流并提供超過10 mA的電流，但TLC552在輸出轉換期間表現出大大降低的電源電流尖峰。這最大限度地減少了對 NE556 所需的大型去耦電容器的需求。

這些器件具有內部靜電放電 （ESD） 保護電路，可防止在高達 2000 V 的電壓下發(fā)生災難性故障，如根據 MIL-STD-883C 方法 3105.2 進行測試。但是，在處理這些設備時應小心，因為暴露于 ESD 可能會導致設備參數性能下降。

所有未使用的輸入都應連接到適當的邏輯電平，以防止錯誤觸發(fā)。

該TLC552C的特點是在 0°C 至 70°C 范圍內工作。

特性

• 極低的功耗。 。 。V 時典型值為 2 mW DD = 5 伏
• 能夠在非穩(wěn)態(tài)模式下運行
• 能夠擺動軌到軌的CMOS輸出
• 高輸出電流能力灌
  電流 100 mA 典型值 源
  極 10 mA 典型值
• 輸出完全兼容 CMOS、TTL 和 MOS
• 低電源電流減少了輸出轉換期間的尖峰
• 高阻抗輸入 . . .10^12^ 典型值
• 1 V 至 18 V 的單電源工作
• 功能上可與 NE556 互換;具有相同的引腳排列

參數

?1. 核心特性?

• ?低功耗設計?：典型功耗2mW（VDD=5V時），支持1V至18V寬電壓單電源供電。
• ?高性能輸出?：
  • 灌電流能力100mA（典型值），拉電流10mA（典型值）。
  • 輸出兼容CMOS、TTL和MOS邏輯電平，支持軌到軌擺動。
• ?高精度定時?：
  • 采用LinCMOS?工藝，輸入阻抗高達1012Ω，支持高達2MHz的工作頻率。
  • 與NE556引腳兼容，但所需定時電容更小且成本更低。

?2. 功能描述?

• ?雙定時器結構?：包含兩個獨立定時器，每個定時器功能框圖包含閾值（THRES）、觸發(fā)（TRIG）、復位（RESET）等控制端。
• ?工作模式?：
  • ? 非穩(wěn)態(tài)模式（Astable） ?：支持振蕩電路設計（見圖1典型應用電路）。
  • ?復位優(yōu)先級?：RESET可覆蓋TRIG和THRES輸入，強制輸出低電平。

?3. 電氣參數?

• ?關鍵電壓閾值?：
  • 觸發(fā)電平≈1/3 VDD，閾值電平≈2/3 VDD（可通過CONT引腳調整）。
• ?ESD保護?：支持2000V靜電放電防護（MIL-STD-883C標準）。
• ?溫度范圍?：工作溫度0°C至70°C，存儲溫度-65°C至150°C。

?4. 封裝與訂購信息?

• ?封裝選項?：
  • SOIC（D封裝）和PDIP（N封裝），支持卷帶（T&R）包裝。
  • 型號示例：TLC552CDR（SOIC卷帶封裝）。
• ?環(huán)保合規(guī)?：符合RoHS標準，表面處理為無鉛鍍層（NIPDAU）。

?5. 應用提示?

• ?未使用引腳處理?：需連接至適當邏輯電平以避免誤觸發(fā)。
• ?電源去耦?：相比NE556，輸出瞬態(tài)電流尖峰更小，所需去耦電容更少。