TPSI2260-Q1 是一款隔離式固態(tài)繼電器，專為高壓汽車和工業(yè)應(yīng)用而設(shè)計。TPSI2260-Q1 采用 TI 的高可靠性增強型電容隔離技術(shù)，結(jié)合內(nèi)部背對背 MOSFET，形成完全集成的解決方案，無需次級側(cè)電源。TPSI2260-Q1 提高了系統(tǒng)可靠性，因為 TI 的電容隔離技術(shù)不會受到機械繼電器和光繼電器組件中常見的機械磨損或光衰減故障模式的影響。

該器件的初級側(cè)僅由 9mA 的輸入電流供電，并集成了一個故障安全 EN 引腳，可防止為 VDD 電源供電。在大多數(shù)應(yīng)用中，器件的VDD引腳應(yīng)連接到4.5V–20V之間的系統(tǒng)電源，器件的EN引腳應(yīng)由邏輯低電平在2.1V–20V之間的GPIO輸出驅(qū)動。
*附件：tpsi2260-q1.pdf

次級側(cè)由背對背 MOSFET 組成，從 S1 到 S2 的隔離電壓為 ±600V。TPSI2260-Q1 MOSFET 雪崩穩(wěn)健性和耐熱封裝設(shè)計使其能夠穩(wěn)健地支持系統(tǒng)級介電耐受測試 （HiPot） 和高達(dá) 1mA 的直流快速充電器浪涌電流，而無需任何外部組件。

特性

• 符合汽車應(yīng)用標(biāo)準(zhǔn)
  • AEC-Q100 1 級：–40 至 125°C TA
• 低 EMI：
  • 滿足CISPR25 5 級性能，無需額外組件
• 集成雪崩級 MOSFET
  • 專為介電耐受測試（耐壓）而設(shè)計并符合可靠性要求
    • TPSI2260-Q1：IAVA =1mA，60s 脈沖
    • TPSI2260T-Q1：IAVA = 3mA，60s 脈沖
  • 600V 隔離電壓
  • RON = 65Ω （TJ = 25°C）
  • IOFF = 1.22μA，500V 時 （TJ = 105°C）
• 低初級側(cè)電源電流
  • 9mA ON 狀態(tài)電流
• 堅固的隔離屏障：

  • 1000VRMS / 1500VDC 工作電壓下的預(yù)計使用壽命為 38 年

  • 增強型隔離額定值，VISO，高達(dá) 5000VRMS
• SOIC 11引腳（DWQ）封裝，具有寬引腳，可提高熱性能
  • 爬電距離和間隙 ≥ 8mm（初級-次級）
  • 爬電距離和間隙 ≥ 6mm（跨開關(guān)端子）
• 安全相關(guān)認(rèn)證
  • （計劃中）DIN VDE V 0884-17：2021-10
  • （計劃中）UL 1577 組件認(rèn)可計劃

參數(shù)

方框圖

?1. 產(chǎn)品概述?
TPSI2260-Q1是德州儀器（TI）推出的600V/50mA汽車級強化固態(tài)繼電器，采用電容隔離技術(shù)集成背對背MOSFET，適用于高壓汽車和工業(yè)應(yīng)用。關(guān)鍵特性包括：

• ?高可靠性隔離?：38年壽命預(yù)期（1000VRMS/1500VDC工作電壓），強化隔離等級達(dá)5000VRMS。
• ?低EMI設(shè)計?：符合CISPR25 Class 5標(biāo)準(zhǔn)，無需額外組件。
• ?集成雪崩保護?：支持1mA（標(biāo)準(zhǔn)版）/3mA（T版）雪崩電流，耐受60秒脈沖。
• ?寬溫操作?：AEC-Q100 Grade 1認(rèn)證（-40°C至125°C）。

?2. 核心功能?

• ?電氣參數(shù)?：
  • 導(dǎo)通電阻65Ω（25°C），關(guān)斷漏電流1.22μA（500V/105°C）。
  • 初級側(cè)供電電流9mA（開啟狀態(tài)），靜態(tài)電流低至4μA（5V供電）。
• ?安全認(rèn)證?：計劃通過DIN VDE V 0884-17和UL 1577認(rèn)證。
• ?封裝?：SOIC-11（DWQ）寬引腳封裝，爬電距離≥8mm（初級-次級）。

?3. 典型應(yīng)用?

• 電動汽車：電池管理系統(tǒng)（BMS）、車載充電器、充電基礎(chǔ)設(shè)施。
• 工業(yè)領(lǐng)域：太陽能逆變器、絕緣監(jiān)測（如TI參考設(shè)計TIDA-010232）。
• 替代方案：可替代機械繼電器和光耦，提升系統(tǒng)可靠性。

?4. 設(shè)計支持?

• ?布局建議?：優(yōu)先放置VDD去耦電容（100nF，距離<10mm），保持高壓引腳間距。
• ?耐壓測試?：支持1mA雪崩電流的HiPot測試，需配合外部電阻限制電流。
• ?熱管理?：通過PCB散熱設(shè)計（如EVM布局示例）控制結(jié)溫≤150°C。