SnO?:F 薄膜作為重要透明導(dǎo)電氧化物材料，廣泛用于太陽能電池、觸摸屏等電子器件，其表面電阻特性直接影響器件性能。本研究以射頻（RF）濺射技術(shù)制備的SnO?:F 薄膜為研究對象，通過鋁 PAD 法與四探針法開展表面電阻測量研究。Xfilm 埃利四探針方阻儀憑借高精度檢測能力，可為此類薄膜電學(xué)性能測量提供可靠技術(shù)保障。下文將重點分析四探針法的測量原理、實驗方法與結(jié)果，為薄膜的性能優(yōu)化及器件應(yīng)用提供數(shù)據(jù)支撐。

采用1.5cm×2.5cm 玻璃基底，依次用純水、工業(yè)洗滌劑、異丙醇超聲清洗3 次（每次 20min）。將基底置于射頻濺射系統(tǒng)上電極中心，系統(tǒng)含30cm×25cm 不銹鋼真空室，通過旋轉(zhuǎn)泵抽至 0.1Pa 真空度；以 5cm 直徑錫靶為原料，控制 99.9995% 純度氧氣進氣量 50sccm，施加 13.56MHz、100W 射頻功率，沉積 30min 制備SnO?:F 薄膜。

1.鋁PAD 法：采用與薄膜等厚等寬的鋁PAD、數(shù)字萬用表（作電流表）、直流電壓源及香蕉鱷魚夾導(dǎo)線，在6 個探頭 - PAD 間距下測量，繪制電壓- 電流（V-I）曲線并線性擬合。

使用鋁PAD法測量表面電阻

2.四探針法：采用兩臺數(shù)字萬用表（分別測電流、電壓）、直流電壓源及穿孔銅板，在薄膜4 個不同位置（M1：中心 - 邊緣、M2：中心 - 邊緣、M3：邊緣頂部、M4：左側(cè)）測量，記錄探頭與薄膜邊緣間距（M1：S1=0.023m、S2=0.02m；M4：S1=0.007m、S2=0.007m），通過V-I 曲線擬合推導(dǎo)電阻與表面電阻。

四探針法測量表面電阻

1.鋁PAD 法測量顯示，所有間距下V-I 關(guān)系均呈線性，且間距增大時曲線斜率升高，表面電阻降低（6cm：41.09Ω/□、1cm：88.10Ω/□），線性系數(shù) A 因數(shù)值?。?.05~0.09V）且誤差大被忽略，表面電阻計算采用公式 Rs = R W/L。（W=2.5cm 為薄膜寬度）。

2.四探針法結(jié)果更具代表性：M1 的 V-I 線性關(guān)系可持續(xù)至 1800mV，M2 可持續(xù)至 95mA；曲線斜率隨探頭間距增大而升高（M4 間距最小，斜率最低），擬合得到的電阻值（B 值）為 11.40Ω（M4）~29.12Ω（M3），對應(yīng)表面電阻 29.65Ω/□（M1）~33.84Ω/□（M4），與標稱 30~40Ω/□的偏差源于間距測量誤差。

通過公式Rs =VC/I（C 為幾何修正因子）計算表面電阻，結(jié)合ρ=VCt/I（t 為薄膜厚度）推導(dǎo)電阻率，驗證了SnO?:F 薄膜低阻特性（符合TCO 電阻率 < 10?3Ω?cm 要求）。

使用四探針法進行實驗中電壓V（毫伏）與電流I（毫安）之間的關(guān)系測量值

對比兩種方法，四探針法因分離電流與電壓測量，規(guī)避了接觸電阻（如導(dǎo)線、探頭電阻）干擾，測量標準差< 0.02Ω/□，精度顯著高于鋁 PAD 法（標準差 < 1Ω/□），更適用于 SnO?:F 薄膜的高精度電學(xué)性能評估。

本研究通過鋁PAD 法與四探針法成功測量SnO?:F 薄膜表面電阻，其中四探針法憑借高準確性（表面電阻29.6~33.8Ω/□，與標稱吻合）、低誤差（標準差 < 0.02Ω/□），成為薄膜電學(xué)性能檢測的優(yōu)選方法，其數(shù)據(jù)為SnO?:F 薄膜在太陽能電池前接觸層、觸摸屏等領(lǐng)域的應(yīng)用提供關(guān)鍵依據(jù)。

Xfilm埃利四探針方阻儀

/Xfilm

Xfilm埃利四探針方阻儀用于測量薄層電阻（方阻）或電阻率，可以對最大230mm 樣品進行快速、自動的掃描， 獲得樣品不同位置的方阻/電阻率分布信息。

超高測量范圍，測量1mΩ~100MΩ

高精密測量，動態(tài)重復(fù)性可達0.2%

全自動多點掃描，多種預(yù)設(shè)方案亦可自定義調(diào)節(jié)

快速材料表征，可自動執(zhí)行校正因子計算

本文使用基于四探針法的Xfilm埃利四探針方阻儀，憑借智能化與高精度的表面電阻測量優(yōu)勢，助力SnO?:F 薄膜及其他TCO 材料的質(zhì)量控制與性能優(yōu)化，推動電子器件領(lǐng)域的材料檢測技術(shù)升級。

#四探針#方阻測量#薄膜電阻#表面電阻測量

原文參考：《Measurement of the Surface Electrical Resistance of SnO2:F Thin Films》

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