chinese直男口爆体育生外卖, 99久久er热在这里只有精品99, 又色又爽又黄18禁美女裸身无遮挡, gogogo高清免费观看日本电视,私密按摩师高清版在线,人妻视频毛茸茸,91论坛 兴趣闲谈,欧美 亚洲 精品 8区,国产精品久久久久精品免费

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

測量薄層電阻的四探針法

美能光伏 ? 2023-08-24 08:37 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

薄層電阻在太陽能電池中起著非常重要的作用,它影響著太陽能電池的效率和性能。四探針法能夠測量太陽能電池的薄層電阻,從而精確地獲取電池片的電阻數(shù)據(jù)。「美能光伏」擁有的美能掃描四探針電阻測試儀,憑借其超寬的測量范圍、超高的測量精度,以及多種測量方案等優(yōu)點(diǎn),致力于在測量和檢驗(yàn)方面保證產(chǎn)品質(zhì)量。本期「美能光伏」給您介紹測量薄層電阻的四探針法!

四探針法測電阻率原理

四探針又稱開爾文探針法、四端法,廣泛應(yīng)用于表征金屬、半導(dǎo)體等低電阻率材料的方阻、電阻率、電導(dǎo)率等參數(shù)。四探針法通常需要將四根探針沿一條直線等間距排列,外側(cè)兩根探針(1、4)傳輸電流,內(nèi)側(cè)兩根探針測量電壓。

5615a9ca-4216-11ee-8e12-92fbcf53809c.png

四點(diǎn)探針示意圖

薄層材料的等勢面分布并非半球形,而是呈圓柱形分布,可以理解為半無界樣品的表面切掉一個(gè)厚度為t的薄層。對(duì)于直線型四探針測量,如果間距相等,則將間距記為S,得到:

562f1284-4216-11ee-8e12-92fbcf53809c.png

所以,

56582fac-4216-11ee-8e12-92fbcf53809c.png

在實(shí)際測量過程中,2和3探針之間讀出的數(shù)值即為被測樣品的電阻率。薄層材料的電阻率可表示為:

5673994a-4216-11ee-8e12-92fbcf53809c.png

四探針法在太陽能電池中的應(yīng)用

四探針法常用于測量電池片的電阻率與方阻的絕對(duì)值,這是由于四探針法消除了探針和樣品之間的接觸電阻電阻率、方阻這些參數(shù)可以用來表征太陽能電池導(dǎo)電性能載流子遷移率等。例如:對(duì)于晶硅太陽能電池,通過四探針法可以測量其電阻率、少子壽命載流子遷移率等參數(shù),從而評(píng)估其質(zhì)量和性能。

大部分四探針法選擇將電極材料的漿料涂覆薄層或適當(dāng)厚度于絕緣基底上,而非鋁箔等集流體材料。這種在絕緣基底上的圖層是為了避免基底方向的支流,從而精準(zhǔn)測試電極材料電導(dǎo)。如果以基底集流體材料,即便通過調(diào)節(jié)探針距離等方法避免支路電流,所得到的結(jié)果仍只能描述涂層的電阻,因?yàn)殡娏鬓D(zhuǎn)移的方向和圖層平行,忽略了基底和涂層的界面電阻,而不是電極片的真實(shí)情況。這是我們用四探針法進(jìn)行測量時(shí),需要注意的地方。


美能掃描四探針電阻測試儀

FPP230A

56d1a99a-4216-11ee-8e12-92fbcf53809c.png

「美能掃描四探針電阻測試儀」是專為科學(xué)研究設(shè)計(jì)的,可以對(duì)最大230mm的樣品進(jìn)行快速、自動(dòng)的掃描,獲得樣品不同位置的方阻/電阻率分布信息,動(dòng)態(tài)測試重復(fù)性(接近真實(shí)場景)可達(dá)0.2%,為行業(yè)領(lǐng)先水平。1μΩ~100MΩ的超寬測量范圍可涵蓋大部分應(yīng)用場景,可廣泛適用于光伏、半導(dǎo)體、合金、陶瓷等諸多領(lǐng)域。


四探針法是測量薄層電阻的一種重要方法,通過四探針測量法可以精準(zhǔn)測量太陽能電池電阻率,從而表征太陽能電池性能的好壞。美能掃描四探針電阻測試儀可通過對(duì)太陽能電池不同位置的測量獲得其方阻/電阻率的分布信息。未來,「美能光伏」將用先進(jìn)、高效的檢測方案,助力光伏企業(yè)用戶高效發(fā)展,并提供更好的測量體驗(yàn)!

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • 太陽能電池
    +關(guān)注

    關(guān)注

    22

    文章

    1252

    瀏覽量

    72686
  • 電阻
    +關(guān)注

    關(guān)注

    88

    文章

    5699

    瀏覽量

    176964
  • 測量
    +關(guān)注

    關(guān)注

    10

    文章

    5418

    瀏覽量

    115215
  • 探針
    +關(guān)注

    關(guān)注

    4

    文章

    224

    瀏覽量

    21295
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評(píng)論

    相關(guān)推薦
    熱點(diǎn)推薦

    基于探針法 | 測定鈦基復(fù)合材料的電導(dǎo)率

    分離電流與電壓測量路徑,可有效消除接觸電阻,結(jié)合幾何修正與環(huán)境控制,成為Ti基復(fù)合材料電導(dǎo)率測定的理想技術(shù)。下文將系統(tǒng)闡述基于探針法的鈦基復(fù)合材料電導(dǎo)率測定方法與
    的頭像 發(fā)表于 10-09 18:05 ?83次閱讀
    基于<b class='flag-5'>四</b><b class='flag-5'>探針法</b> | 測定鈦基復(fù)合材料的電導(dǎo)率

    探針法校正因子的全面綜述:基于實(shí)驗(yàn)與數(shù)值模擬的電阻測量誤差修正

    探針法(4PP)作為一種非破壞性評(píng)估技術(shù),廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體和導(dǎo)電材料的電阻率和電導(dǎo)率測量。其非破壞性特點(diǎn)使其適用于從宏觀到納米尺度的多種材料。然而,傳統(tǒng)解析模型在校正因子的計(jì)算中存在
    的頭像 發(fā)表于 09-29 13:46 ?202次閱讀
    <b class='flag-5'>四</b><b class='flag-5'>探針法</b>校正因子的全面綜述:基于實(shí)驗(yàn)與數(shù)值模擬的<b class='flag-5'>電阻</b>率<b class='flag-5'>測量</b>誤差修正

    基于點(diǎn)探針和擴(kuò)展電阻模型的接觸電阻率快速表征方法

    接觸電阻率(ρc)是評(píng)估兩種材料接觸性能的關(guān)鍵參數(shù)。傳統(tǒng)的傳輸長度法(TLM)等方法在提取金屬電極與c-Si基底之間的ρc時(shí)需要較多的制造和測量步驟。而探針法因其相對(duì)簡單的操作流程而
    的頭像 發(fā)表于 09-29 13:45 ?167次閱讀
    基于<b class='flag-5'>四</b>點(diǎn)<b class='flag-5'>探針</b>和擴(kuò)展<b class='flag-5'>電阻</b>模型的接觸<b class='flag-5'>電阻</b>率快速表征方法

    非局域探針法:超導(dǎo)薄膜顆粒度對(duì)電阻特性的影響機(jī)制解析

    技術(shù)支持:4009926602超導(dǎo)薄膜的微觀不均勻性(顆粒度)是影響其宏觀性能的關(guān)鍵因素。在接近臨界溫度(T??)時(shí),傳統(tǒng)探針法常觀測到異常電阻峰,這一現(xiàn)象長期被誤認(rèn)為材料本征特性。然而,研究表明
    的頭像 發(fā)表于 09-29 13:45 ?154次閱讀
    非局域<b class='flag-5'>四</b><b class='flag-5'>探針法</b>:超導(dǎo)薄膜顆粒度對(duì)<b class='flag-5'>電阻</b>特性的影響機(jī)制解析

    消除接觸電阻探針改進(jìn)方法:精確測量傳感器薄膜方塊電阻電阻

    性能。傳統(tǒng)兩端子測量方法因接觸電阻難以控制或減小,導(dǎo)致系統(tǒng)誤差不可忽視。本文提出一種探針改進(jìn)的端子方法,通過多次
    的頭像 發(fā)表于 09-29 13:44 ?229次閱讀
    消除接觸<b class='flag-5'>電阻</b>的<b class='flag-5'>四</b><b class='flag-5'>探針</b>改進(jìn)方法:精確<b class='flag-5'>測量</b>傳感器薄膜方塊<b class='flag-5'>電阻</b>和<b class='flag-5'>電阻</b>率

    非接觸式發(fā)射極片電阻測量:與探針法的對(duì)比驗(yàn)證

    )成像的非接觸式測量技術(shù),通過分離Remitter與體電阻(Rbulk),實(shí)現(xiàn)高精度、無損檢測。實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證表明,該方法與基于點(diǎn)探針法(4pp)的Xfilm埃利在線
    的頭像 發(fā)表于 09-29 13:44 ?130次閱讀
    非接觸式發(fā)射極片<b class='flag-5'>電阻</b><b class='flag-5'>測量</b>:與<b class='flag-5'>四</b><b class='flag-5'>探針法</b>的對(duì)比驗(yàn)證

    探針薄膜測厚技術(shù) | 平板顯示FPD制造中電阻率、方阻與厚度測量實(shí)踐

    平板顯示(FPD)制造過程中,薄膜厚度的實(shí)時(shí)管理是確保產(chǎn)品質(zhì)量的關(guān)鍵因素。傳統(tǒng)方法如機(jī)械觸針法、顯微法和光學(xué)法存在破壞樣品、速度慢、成本高或局限于特定材料等問題。本研究開發(fā)了一種基于探針法的導(dǎo)電
    的頭像 發(fā)表于 09-29 13:43 ?204次閱讀
    <b class='flag-5'>四</b><b class='flag-5'>探針</b>薄膜測厚技術(shù) | 平板顯示FPD制造中<b class='flag-5'>電阻</b>率、方阻與厚度<b class='flag-5'>測量</b>實(shí)踐

    探針法 | 測量射頻(RF)技術(shù)制備的SnO2:F薄膜的表面電阻

    開展表面電阻測量研究。Xfilm埃利探針方阻儀憑借高精度檢測能力,可為此類薄膜電學(xué)性能測量提供可靠技術(shù)保障。下文將重點(diǎn)分析
    的頭像 發(fā)表于 09-29 13:43 ?253次閱讀
    <b class='flag-5'>四</b><b class='flag-5'>探針法</b> | <b class='flag-5'>測量</b>射頻(RF)技術(shù)制備的SnO2:F薄膜的表面<b class='flag-5'>電阻</b>

    低維半導(dǎo)體器件電阻率的測試方法

    評(píng)估和質(zhì)量控制具有重要意義。Xfilm埃利探針方阻儀憑借高精度和智能化特性,可為低維半導(dǎo)體材料的電學(xué)性能檢測提供了可靠解決方案。下文將系統(tǒng)闡述常規(guī)探針法、改進(jìn)的
    的頭像 發(fā)表于 09-29 13:43 ?222次閱讀
    低維半導(dǎo)體器件<b class='flag-5'>電阻</b>率的測試方法

    面向5G通信應(yīng)用:高阻硅晶圓電阻率熱處理穩(wěn)定化與探針技術(shù)精準(zhǔn)測量

    隨著5G通信技術(shù)的快速發(fā)展,高阻絕緣體上硅在微波與毫米波器件、探測器等領(lǐng)域的應(yīng)用需求激增。然而,高阻硅片電阻率的快速準(zhǔn)確測量仍面臨技術(shù)挑戰(zhàn)。點(diǎn)探針法(4PP)因其高精度、寬量程等特點(diǎn)
    的頭像 發(fā)表于 09-29 13:03 ?222次閱讀
    面向5G通信應(yīng)用:高阻硅晶圓<b class='flag-5'>電阻</b>率熱處理穩(wěn)定化與<b class='flag-5'>四</b><b class='flag-5'>探針</b>技術(shù)精準(zhǔn)<b class='flag-5'>測量</b>

    IEC新標(biāo)準(zhǔn)賦能石墨烯產(chǎn)業(yè)化:范德堡法與在線探針法實(shí)現(xiàn)薄層電阻精準(zhǔn)測量

    確保測量的一致性與可重復(fù)性。為此,國際電工委員會(huì)(IEC)發(fā)布了IECTS62607-6-7(范德堡法)和IECTS62607-6-8(在線探針法),旨在規(guī)范大面積
    的頭像 發(fā)表于 09-29 13:03 ?218次閱讀
    IEC新標(biāo)準(zhǔn)賦能石墨烯產(chǎn)業(yè)化:范德堡法與在線<b class='flag-5'>四</b><b class='flag-5'>探針法</b>實(shí)現(xiàn)<b class='flag-5'>薄層</b><b class='flag-5'>電阻</b>精準(zhǔn)<b class='flag-5'>測量</b>

    探針法精準(zhǔn)表征電阻率與接觸電阻 | 實(shí)現(xiàn)Mo/NbN低溫超導(dǎo)薄膜電阻

    低溫薄膜電阻器作為超導(dǎo)集成電路的核心元件,其核心挑戰(zhàn)在于實(shí)現(xiàn)超導(dǎo)材料NbN與金屬電阻層Mo間的低接觸電阻(R?)。本文使用探針法研究鉬(M
    的頭像 發(fā)表于 07-22 09:52 ?292次閱讀
    <b class='flag-5'>四</b><b class='flag-5'>探針法</b>精準(zhǔn)表征<b class='flag-5'>電阻</b>率與接觸<b class='flag-5'>電阻</b> | 實(shí)現(xiàn)Mo/NbN低溫超導(dǎo)薄膜<b class='flag-5'>電阻</b>器

    探針法丨導(dǎo)電薄膜薄層電阻的精確測量、性能驗(yàn)證與創(chuàng)新應(yīng)用

    薄層電阻(SheetResistance,Rs)是表征導(dǎo)電薄膜性能的關(guān)鍵參數(shù),直接影響柔性電子、透明電極及半導(dǎo)體器件的性能。探針法以其高精度和可靠性成為標(biāo)準(zhǔn)
    的頭像 發(fā)表于 07-22 09:52 ?590次閱讀
    <b class='flag-5'>四</b><b class='flag-5'>探針法</b>丨導(dǎo)電薄膜<b class='flag-5'>薄層</b><b class='flag-5'>電阻</b>的精確<b class='flag-5'>測量</b>、性能驗(yàn)證與創(chuàng)新應(yīng)用

    探針電極在多功能壓力測量系統(tǒng)中的原理與應(yīng)用

    的重要工具。 二、探針電極測量原理 (一)基本原理 探針電極由根等間距排列的
    的頭像 發(fā)表于 03-27 14:04 ?668次閱讀
    <b class='flag-5'>四</b><b class='flag-5'>探針</b>電極在多功能壓力<b class='flag-5'>測量</b>系統(tǒng)中的原理與應(yīng)用

    高溫電阻測試儀的探針法中,探針的間距對(duì)測量結(jié)果是否有影響

    在高溫電阻測試儀的探針法中,探針的間距對(duì)測量結(jié)果確實(shí)存在影響,但這一影響可以通過特定的測試方法和儀器設(shè)計(jì)來最小化或消除。
    的頭像 發(fā)表于 01-21 09:16 ?980次閱讀
    高溫<b class='flag-5'>電阻</b>測試儀的<b class='flag-5'>四</b><b class='flag-5'>探針法</b>中,<b class='flag-5'>探針</b>的間距對(duì)<b class='flag-5'>測量</b>結(jié)果是否有影響