來源:Vishay威世科技
HVCC一類瓷介電容器
具有低直流偏壓特性和低介質(zhì)損耗因子(DF)的一類瓷介徑向引線高壓直插瓷片電容
這些器件可降低工業(yè)和醫(yī)療應(yīng)用中高壓發(fā)生器的功率功耗
Vishay 宣布,推出新系列一類瓷介徑向引線高壓直插瓷片電容,該系列產(chǎn)品具有低介質(zhì)損耗因子(DF)和低直流偏壓的特性,適用于工業(yè)和醫(yī)療應(yīng)用。
Vishay Roederstein HVCC 一類瓷介電容器系列在 15 kV 條件下的電容變化低于 25 %,僅為二類瓷介電容器的一半。此外,這些器件在 1 kHz 時的介質(zhì)損耗因子值小于 1.0 %,比二類瓷介電容器低 0.5 %。使得其在行李安檢機、醫(yī)療和工業(yè) X 射線、空氣凈化器和離子發(fā)生器以及脈沖激光器等應(yīng)用的高壓發(fā)生器電路中的功率損耗更低,且可靠性更高。
HVCC 一類瓷介電容器系列的電容值范圍為 100 pF 至 1 nF,標準容差為 ± 10 %,額定工作電壓為 15 kVDC,工作溫度范圍為 -30 °C 至 + 85 °C。該電容由鍍銀陶瓷瓷片和鍍錫銅包鋼連接引腳組成,可選引腳直徑有 0.65 mm 和 0.80 mm 兩個規(guī)格。該電容符合 RoHS 標準,提供直引腳封裝,引腳間距有 9.5 mm 和 12.5 mm 兩個規(guī)格,采用符合 UL 94 V-0 標準的阻燃環(huán)氧樹脂材料密封封裝。
HVCC一類瓷介電容器系列現(xiàn)可提供樣品并已實現(xiàn)量產(chǎn),供貨周期為12周。
-
Vishay
+關(guān)注
關(guān)注
20文章
907瀏覽量
119689 -
瓷介電容器
+關(guān)注
關(guān)注
0文章
14瀏覽量
9449
原文標題:【儒卓力為您帶來Vishay技術(shù)快訊】HVCC 一類瓷介電容器上線,工業(yè) / 醫(yī)療高壓電路迎大升級!
文章出處:【微信號:儒卓力,微信公眾號:儒卓力】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。
發(fā)布評論請先 登錄
?Vishay MKP1848Se DC-Link薄膜電容器技術(shù)解析與應(yīng)用指南
?Vishay T51 vPolyTan?聚合物電容器技術(shù)解析與應(yīng)用指南
?Vishay 172 RLX系列鋁電解電容器技術(shù)解析與應(yīng)用指南
Vishay SuperTan?液態(tài)鉭電容器技術(shù)解析與應(yīng)用指南
?Vishay BCcomponents 106 PED-ST 鋁電解電容器技術(shù)解析與應(yīng)用指南
Vishay MCN系列厚膜電容器網(wǎng)絡(luò)技術(shù)解析與應(yīng)用指南
Vishay TCN系列厚膜電容器網(wǎng)絡(luò)技術(shù)解析與應(yīng)用指南
Vishay 156 PUM-SI鋁電解電容器技術(shù)解析與應(yīng)用指南
?Vishay M39003/03 固體鉭電容器技術(shù)解析與應(yīng)用指南
Vishay Vitramon VJ系列多層陶瓷片式電容器技術(shù)解析
?Vishay vPolyTan? 聚合物片式電容器技術(shù)解析
?Vishay Roederstein MKP1848e DC-Link薄膜電容器技術(shù)解析
Vishay推出HVCC一類瓷介電容器系列
評論