接觸電阻率（ρc）是評估兩種材料接觸性能的關(guān)鍵參數(shù)。傳統(tǒng)的傳輸長度法（TLM）等方法在提取金屬電極與c-Si基底之間的ρc時需要較多的制造和測量步驟。而四探針法因其相對簡單的操作流程而備受關(guān)注，但其廣泛應(yīng)用受限于所需的3D模擬數(shù)據(jù)擬合過程。本文通過引入結(jié)合Xfilm埃利四探針方阻儀與擴(kuò)展電阻模型（SRM）的方法快速準(zhǔn)確的提取ρc。

四點(diǎn)探針法基礎(chǔ)

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四點(diǎn)探針（4PP）多層結(jié)構(gòu)測量示意圖四點(diǎn)探針法通過測量表觀電阻（Rapp）評估材料電學(xué)特性，其計(jì)算公式為：其中，C 為幾何修正因子，與探針間距（s）、樣品尺寸（b）和接觸直徑（d）相關(guān)。

• 單層材料，薄層電阻（Rsh）定義為電阻率（ρ）與厚度（t）的比值（Rsh= ρ/t）；
• 多層結(jié)構(gòu)（如接觸層 - 基板堆疊，CL - 基板），堆疊電阻（Rstack）與接觸電阻率（ρc）、接觸層電阻（RCL）、基板電阻（Rs）及幾何參數(shù)緊密耦合，需通過模型解耦各參數(shù)。

擴(kuò)展電阻模型（SRM）

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CL側(cè)接觸，Rstack隨ρc變化；(b) 多層電流分布示意圖；(c) 歸一化Rstack隨ρc變化擴(kuò)展電阻模型（SRM）基于點(diǎn)電流源假設(shè)，通過貝塞爾函數(shù)積分和遞歸關(guān)系計(jì)算電勢分布。其核心公式為：

式中，F(xiàn)N為多層結(jié)構(gòu)的積分核函數(shù)，通過遞歸公式逐層計(jì)算各層電導(dǎo)率（σj）和厚度（tj）的影響。特別地，接觸層（CL）與基板的界面通過等效薄層（厚度 10?? nm）模擬接觸電阻率（ρc），結(jié)合 MATLAB 數(shù)值求解，單次計(jì)算時間可控制在0.2 秒以內(nèi)，顯著提升了求解效率。

擴(kuò)展4PP方法（E4PP）

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E4PP方法僅需三個測量步驟：

• 基板電阻（Rs）測量：在未覆蓋接觸層（CL）的基板上進(jìn)行四點(diǎn)探針測量，獲取基板本身的薄層電阻。
• 正向堆疊電阻（Rstack1）測量：從接觸層（CL）一側(cè)對 CL - 基板堆疊結(jié)構(gòu)進(jìn)行測量，獲取正向電流下的堆疊電阻。
• 反向堆疊電阻（Rstack2）測量：從基板一側(cè)對同一堆疊結(jié)構(gòu)進(jìn)行反向測量，獲取反向電流下的堆疊電阻。

通過非線性最小二乘求解方程組：

其中，RCL為接觸層電阻，tCL和 ts分別為接觸層與基板的厚度。當(dāng) Rstack1< Rstack2?時，方程組可唯一確定 RCL和 ρc；若出現(xiàn)雙解，需結(jié)合物理意義（如接觸電阻率非負(fù)性）選擇合理值。

模型驗(yàn)證與參數(shù)優(yōu)化

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SRM與FEM模擬結(jié)果對比顯示，對于10×10 cm2基板，相對誤差δ < 0.1%；2×2 cm2基板誤差δ < 1.9%，驗(yàn)證了SRM的準(zhǔn)確性。SRM計(jì)算耗時僅0.2秒，較FEM（15–30分鐘）顯著提升。

(a) Qi隨ρc變化曲線；(b) Q=Qstack隨 ρc變化曲線；(c) Q隨ρc變化曲線

• 探針間距（s）：減小s可提升低ρc（<10?2 Ω·cm2）區(qū)間的靈敏度，但s需大于基板厚度（ts）以避免電流局域化。
• 薄層電阻比（RCL/Rs）：高RCL/Rs比（>10）時，ρc的提取靈敏度顯著提高，尤其在s ≈ ts時。
• 誤差敏感性：定義靈敏度系數(shù)Q = (Ri/ρc)(?ρc/?Ri)，Rstack的測量誤差（Qstack）對ρc影響最大，需控制Q < 102以確保誤差<10%。

實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證

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(a) 制備樣品示意圖；(b) 標(biāo)準(zhǔn)4PP、擴(kuò)展4PP與TLM計(jì)算的ρc對比；(c) E4PP方法計(jì)算的 RCL與直接通過簡單4PP測量提取的 RCL對比通過制備ITO/(n)c-Si和Al/(n)c-Si樣品，對比S4PP、E4PP與TLM結(jié)果：

• S4PP在CL側(cè)測量時，因RCL不確定性（±15%）導(dǎo)致ρc誤差較大（Q ≈ 102）；
• E4PP通過單一樣品測量，ρc與TLM結(jié)果高度一致（偏差<5%），且RCL估算準(zhǔn)確。
• 實(shí)驗(yàn)覆蓋ρc范圍5×10?3–1×10? Ω·cm2，驗(yàn)證了方法的普適性。

通過實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證了擴(kuò)展四點(diǎn)探針方法的有效性，結(jié)果顯示擴(kuò)展四點(diǎn)探針方法與傳輸長度法和標(biāo)準(zhǔn)四點(diǎn)探針方法的結(jié)果非常接近，適用于接觸電阻率在5×10?3到1×100Ω cm2范圍內(nèi)的測量。

Xfilm埃利四探針方阻儀

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Xfilm埃利四探針方阻儀用于測量薄層電阻（方阻）或電阻率，可以對最大230mm 樣品進(jìn)行快速、自動的掃描， 獲得樣品不同位置的方阻/電阻率分布信息。

• 超高測量范圍，測量1mΩ~100MΩ
• 高精密測量，動態(tài)重復(fù)性可達(dá)0.2%
• 全自動多點(diǎn)掃描，多種預(yù)設(shè)方案亦可自定義調(diào)節(jié)
  
• 快速材料表征，可自動執(zhí)行校正因子計(jì)算

本研究通過SRM與Xfilm埃利四探針方阻儀的結(jié)合，實(shí)現(xiàn)了接觸電阻率的高效提取，未來工作可探索更復(fù)雜SRM、微區(qū)測量精度及多探針間距策略，進(jìn)一步拓展方法的應(yīng)用場景。

原文參考：《Spreading resistance modeling for rapid extraction of contact resistivity with a four-point probe 》

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