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中芯14納米FinFET制程良率達95%,預(yù)計2019量產(chǎn)

jXID_bandaotigu ? 來源:電子發(fā)燒友網(wǎng) ? 作者:工程師譚軍 ? 2018-07-06 15:23 ? 次閱讀
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中芯國際最新的14納米FinFET制程已接近研發(fā)完成階段,其試產(chǎn)的良率已經(jīng)可以達到95%的水準(zhǔn),距離2019年正式量產(chǎn)的目標(biāo)似乎已經(jīng)不遠......

根據(jù)供應(yīng)鏈傳出的消息指出,中國大陸最大的晶圓代工廠中芯國際,目前最新的14納米FinFET制程已接近研發(fā)完成階段,其試產(chǎn)的良率已經(jīng)可以達到95%的水準(zhǔn)。因此,距離2019年正式量產(chǎn)的目標(biāo)似乎已經(jīng)不遠了。

據(jù)了解,根據(jù)中芯國際最新的財報顯示,目前中芯國際最先進的制程為28納米。但是以2018年第1季的財報數(shù)字來看,28納米占其營收不過3.2%,相較聯(lián)電、英特爾等先進制程發(fā)展較慢的廠商來說,落后的一個世代以上,更罔論與先進制程開發(fā)進度較快的臺積電、格羅方德、三星等企業(yè)已經(jīng)準(zhǔn)備切入7納米制程相較,更是足足落后3個世代以上。

為了追趕這樣的落差,中芯國際不但在2017年底延攬三星電子及臺積電的前高層梁孟松來擔(dān)任聯(lián)席首席執(zhí)行長的職務(wù),主要就是希望藉由他過去的經(jīng)驗,指導(dǎo)中芯國際在發(fā)展14納米FinFET制程上的進程,使中芯國際的14納米FinFET制程能在2019年達成量產(chǎn)的目標(biāo)之外,還在2018年初宣布,將聯(lián)同兩大政府產(chǎn)業(yè)基金共同投資102.4億美元,以加快14納米及以下先進制程研發(fā)和量產(chǎn)計劃,最終達成每月量產(chǎn)3.5萬片的目標(biāo)。如今,在中芯國際的14納米FinFET制程達到良率95%的情況下,等于是向目標(biāo)又邁進了一大步。

事實上,隨著28納米Poly/SiON制程技術(shù)成功量產(chǎn),再加上2018年2月成功試產(chǎn)客戶采用28納米High-K/Metal Gate(HKMG)制程技術(shù)的產(chǎn)品,試產(chǎn)良率高達98%之后,與中國***地區(qū)晶圓代工廠商聯(lián)電有著緊密合作關(guān)系的廈門聯(lián)芯,在28納米節(jié)點上的技術(shù)快速成熟。而這樣的消息對當(dāng)前代表大陸晶圓代工龍頭的中芯來說,因為在28納米HKMG制程良率一直不如預(yù)期,而且在過去14納米FinFET制程上又無法突破的情況下,幾乎要拱手讓出大陸晶圓代工龍頭的位置。如今,在14納米FinFET制程技術(shù)上取得了突破,并向量產(chǎn)目標(biāo)邁開腳步,才讓中芯國際再保住龍頭的位置。

此外,除了對內(nèi)與聯(lián)芯的競爭外,中芯國際在14納米FinFET制程上的突破,也象征著拉近了與國際一線晶圓代工大廠的距離。除了臺積電、格羅方德、三星都在積極布局7納米制程,并且最快2018年底前就能有產(chǎn)品出現(xiàn)之外,包括聯(lián)電、英特爾都還在14納米節(jié)點的位置上。尤其是英特爾,在14納米制程上,預(yù)計還將使用到2019年后。在這方面來說,未來一旦中芯國際14納米FinFET制程正式進入量產(chǎn),則大陸市場上目前交由海外代工的產(chǎn)品,就有可能由中芯國際進行代工。對中芯國際來說會是利多,但對其他的競爭對手而言就可能不是太好的消息。

根據(jù)業(yè)內(nèi)消息人士指出,雖然過去曾有大基金擬向格羅方德購買技術(shù),強化中芯國際14納米FinFET制程的消息。但是,這次似乎是梁孟松及其他所帶領(lǐng)的團隊發(fā)揮的作用,進一步將中芯國際的14納米制程拉上。只是,消息人士也指出,這事情光靠梁孟松一人并不可能辦到,而是梁孟松過去從***及韓國帶走的相關(guān)人員一起努力的結(jié)果。所以,中心國際線在已經(jīng)達到了14納米研發(fā)成功的階段,下一階段就必須看14納米制程能為公司帶來多少效益了。

據(jù)悉,2017年下半年中芯國際延攬前三星電子(Samsung Electronics)、臺積電技術(shù)高層梁孟松后,首次于線上法說會中現(xiàn)“聲”說法,他表示非??春弥行驹诋a(chǎn)業(yè)中的機會與位置,但也深具挑戰(zhàn);針對外界最關(guān)心的高階制程進度,共同執(zhí)行長趙海軍表示,先進制程14納米FinFET將于2019年量產(chǎn),第二代28納米HKMG制程也會于2018年底問世,外界都睜大眼睛等著檢視成績單。

針對外界詢問梁孟松加入中芯國際的最大任務(wù),眾所皆知是高階制程技術(shù)的進度。中芯表示,將在2019年量產(chǎn)14納米FinFET制程技術(shù)。意即,梁孟松要用兩年的時間,幫中芯國際把14納米FinFET制程世代追上來,業(yè)界認(rèn)為,很挑戰(zhàn),但不是不可能,因為已經(jīng)準(zhǔn)備很久了,很期待,也會持續(xù)關(guān)注。

除了先進制程的布局,隨著梁孟松的加入而大踩油門往前沖之外,中芯也表示,公司投入快閃存儲器NOR Flash、微控制器(MCU)、傳感器CMOS Sensor、高壓(HV)等制程技術(shù)平臺,這些都是用到既有成熟制程的fab filter產(chǎn)品,且95%的機臺是相容于邏輯制程,可以根據(jù)客戶對于需求來規(guī)劃,做產(chǎn)能調(diào)配。

展望未來,中芯國際表示,這兩年是進入了過渡期,為下一階段的成長把技術(shù)和產(chǎn)能備妥,而短期方面,看好的成長動力包括28納米制程、快閃存儲器、指紋辨識芯片、電源管理芯片等,會持續(xù)將資源聚焦在關(guān)鍵的技術(shù)平臺。

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原文標(biāo)題:梁孟松加入后 中芯14納米FinFET制程良率達95%,預(yù)計2019量產(chǎn)

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