STMicroelectronics EVSPIN32G06Q2S1評(píng)估板是一款基于STSPIN32G0602控制器的三相完整逆變器,它嵌入了一個(gè)三相600V柵極驅(qū)動(dòng)器和一個(gè)Cortex ^?^ -M0+ STM32 MCU。功率級(jí)包含STGB20M65DF2 IGBT,但可適配采用D2PAK或powerFLAT 8x8 HV封裝的IGBT或功率MOSFET。該板支持單分流檢測(cè)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),可在有傳感器或無傳感器模式下支持FOC和6步控制算法。該拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)和算法支持驅(qū)動(dòng)永磁同步電機(jī) (PMSM) 和無刷直流 (BLDC) 電機(jī)。
數(shù)據(jù)手冊(cè):*附件:STMicroelectronics EVSPIN32G06Q2S1 評(píng)估板數(shù)據(jù)手冊(cè).pdf
STMicro EVSPIN32G06Q2S1評(píng)估板兼容35V AC (50V DC )至280V AC (400V DC )寬輸入電壓范圍。該板包括一個(gè)采用反激配置的VIPER06XS的電源級(jí),可產(chǎn)生應(yīng)用所需的+15V和+3.3V電源電壓。
STLINK調(diào)試器可使用標(biāo)準(zhǔn)STM32工具對(duì)固件進(jìn)行調(diào)試和配置。另外還可提供SWD和UART TX?RX連接器。
特性
- 輸入電壓范圍:35VAC (50VDC) 至280VAC (400VDC)
- 適用于約300W功率的應(yīng)用,1.2A
RMS相位電流 - STGB20M65DF2 IGBT功率級(jí)具有如下特性:
- V~(BR)CES~ = 650V
- V
CE(sat)= 1.55V(當(dāng)IC= 20A時(shí))
- 單分流電流檢測(cè),適用于:
- 帶傳感器或無傳感器6步算法
- 有傳感器或無傳感器單分流矢量 (FOC) 算法
- 過流閾值設(shè)置為8.3A
peak - IGBT/MOSFET封裝的雙封裝外形:D^2^PAK或PowerFlat 8x8 HV
- 智能關(guān)斷過流保護(hù)
- 數(shù)字霍爾傳感器和編碼器輸入
- 總線電壓檢測(cè)
- 15V V
CC和3.3V VDD電源 - 通過STLINK-V3SET進(jìn)行外部連接
- 用戶接口簡(jiǎn)單,帶按鈕和微調(diào)
- 符合RoHS指令
功能塊
元器件布局
EVSPIN32G06Q2S1評(píng)估板深度解析與工程應(yīng)用指南?
?一、核心特性與硬件架構(gòu)?
- ?高性能逆變器設(shè)計(jì)?
- ?集成化MCU方案?
- 內(nèi)置STM32 Cortex?-M0+ MCU與600V柵極驅(qū)動(dòng)器的STSPIN32G0602Q控制器,簡(jiǎn)化外圍電路設(shè)計(jì)。
- 提供數(shù)字霍爾傳感器/編碼器接口,支持有感/無感模式切換。
- ?安全與擴(kuò)展性?
?二、關(guān)鍵電路設(shè)計(jì)解析?
- ?電源管理模塊?
- ?功率級(jí)布局優(yōu)化?
- 單電阻電流檢測(cè)拓?fù)湫杩拷麵GBT布局,減少寄生電感影響(圖1中R34/R103為0.1Ω/2W采樣電阻)。
- 柵極驅(qū)動(dòng)電阻(如R1/R15=27Ω)需根據(jù)開關(guān)頻率調(diào)整以抑制振鈴。
- ?反饋網(wǎng)絡(luò)設(shè)計(jì)?
?三、典型應(yīng)用場(chǎng)景與調(diào)試建議?
- ?應(yīng)用領(lǐng)域?
- 工業(yè)驅(qū)動(dòng)(壓縮機(jī)/泵/風(fēng)扇)、家電(空調(diào)/冰箱)、電動(dòng)工具等。
- ?上電調(diào)試流程?
- ?常見問題排查?
- ?過流誤觸發(fā)?:檢查U3(TS3021ILT)比較器基準(zhǔn)電壓與R60/R93(33kΩ)分壓比例。
- ?IGBT過熱?:優(yōu)化散熱設(shè)計(jì)(評(píng)估板布局見圖6-8),確認(rèn)柵極驅(qū)動(dòng)電壓≥15V。
?四、擴(kuò)展開發(fā)資源?
- ?BOM選型替代?:表1列出關(guān)鍵器件備選方案(如STGB20M65DF2可替換為同規(guī)格IGBT)。
- ?參考設(shè)計(jì)?:ST官網(wǎng)提供基于STSPIN32G0602的電機(jī)控制庫(kù)(FOC算法源碼)。
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