DRV8850器件為消費(fèi)類產(chǎn)品、玩具和其他低壓或電池供電的運(yùn)動(dòng)控制應(yīng)用提供電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和LDO穩(wěn)壓器解決方案。該器件具有一個(gè) H 橋驅(qū)動(dòng)器，用于驅(qū)動(dòng)直流電機(jī)、一個(gè)音圈執(zhí)行器、一個(gè)步進(jìn)電機(jī)繞組、一個(gè)螺線管或其他設(shè)備。輸出驅(qū)動(dòng)器模塊由配置為H橋的N溝道功率MOSFET組成，用于驅(qū)動(dòng)負(fù)載。內(nèi)部電荷泵產(chǎn)生所需的柵極驅(qū)動(dòng)電壓。

DRV8850器件提供高達(dá) 5 A 的連續(xù)輸出電流（具有適當(dāng)?shù)?PCB 散熱器）和高達(dá) 8A 的峰值電流。它的工作電源電壓為 2 V 至 5.5 V。
*附件：drv8850.pdf

低壓差線性穩(wěn)壓器與電機(jī)驅(qū)動(dòng)器集成在一起，為微控制器或其他電路供電。LDO穩(wěn)壓器可以在器件睡眠模式下激活，因此可以在不斷開LDO穩(wěn)壓器供電的任何器件的電源的情況下關(guān)閉驅(qū)動(dòng)器。

內(nèi)部關(guān)斷功能提供過流、短路、欠壓、過壓和
過溫保護(hù)。此外，該器件還具有內(nèi)置電流傳感功能，用于精確的電流測(cè)量。

DRV8850器件采用 24 引腳 VQFN
（3.5 mm × 5.5 mm）封裝（環(huán)保：RoHS 且無 Sb/Br）。

特性

• H橋電機(jī)驅(qū)動(dòng)器
  • 驅(qū)動(dòng)直流電機(jī)、步進(jìn)電機(jī)的一個(gè)繞組或其他負(fù)載
  • 低 MOSFET 導(dǎo)通電阻：65 mΩ HS + LS，4.2V、25°C
• 5A 連續(xù) 8A 峰值驅(qū)動(dòng)電流
• 帶電流檢測(cè)輸出的內(nèi)部電流檢測(cè)
• 2至5.5V工作電源電壓范圍
• 過壓和欠壓鎖定
• 低功耗睡眠模式
• 100mA 隔離式低壓差 （LDO） 穩(wěn)壓器
• 24引腳VQFN封裝
  參數(shù)
  

?1. 核心特性?

• ?電機(jī)驅(qū)動(dòng)?：
  • 集成H橋驅(qū)動(dòng)，支持直流電機(jī)、步進(jìn)電機(jī)單繞組或其他負(fù)載驅(qū)動(dòng)。
  • 低MOSFET導(dǎo)通電阻：4.2V/25°C時(shí)高邊+低邊總電阻65mΩ。
  • 連續(xù)輸出電流5A，峰值電流8A。
• ?電源管理?：
  • 工作電壓范圍：2V至5.5V，集成100mA低壓差（LDO）穩(wěn)壓器。
  • 支持獨(dú)立休眠模式（低至120nA靜態(tài)電流）。
• ?保護(hù)功能?：
  • 過流、過壓、欠壓、過熱保護(hù)，內(nèi)置電流檢測(cè)輸出（VPROPI）。

?2. 關(guān)鍵功能模塊?

• ?H橋控制?：
  • 通過INxH/INxL引腳獨(dú)立控制高低邊MOSFET，防直通邏輯保護(hù)。
  • 可調(diào)死區(qū)時(shí)間（100ns基礎(chǔ)+可編程擴(kuò)展）。
• ?電流檢測(cè)?：
  • VPROPI引腳輸出比例電流（1/2000橋電流），需外接電阻（典型1kΩ）。
  • 檢測(cè)范圍500mA-5A，不適用于快衰減模式。
• ?LDO穩(wěn)壓器?：
  • 輸出電壓可調(diào)（1.6V至VCC-VLDO），支持休眠模式下獨(dú)立工作。
• ?斜率控制?：
  • 通過SR引腳外接電阻（0-2.4MΩ）調(diào)節(jié)輸出上升/下降時(shí)間（100ns-100μs）。

?3. 電氣參數(shù)?

• ?電源特性?：
  • 靜態(tài)電流：休眠模式1μA（LDO關(guān)閉），工作模式2.8mA（LDO開啟）。
  • UVLO閾值：1.95V（下降）/2V（上升）。
• ?熱性能?：
  • 結(jié)至環(huán)境熱阻：39.1°C/W（VQFN封裝），過熱關(guān)斷閾值150°C。
• ?開關(guān)時(shí)序?：
  • 傳播延遲：70ns（SR接地），死區(qū)時(shí)間：400ns-165μs（可調(diào)）。

?4. 典型應(yīng)用?

• ?場(chǎng)景?：
  • 電動(dòng)牙刷、剃須刀、玩具、機(jī)器人等電池供電設(shè)備。
• ?設(shè)計(jì)要點(diǎn)?：
  • ?布局?：VCC需并聯(lián)10μF+0.1μF電容，LDOOUT需2.2μF陶瓷電容。
  • ?散熱?：建議使用大面積接地層和散熱過孔。

?5. 封裝與配置?

• ?封裝?：24引腳VQFN（3.5mm×5.5mm），帶裸露焊盤。
• ?配置方式?：
  • 通過INxH/INxL引腳直接控制，LDO反饋電阻分壓設(shè)定輸出電壓。

?總結(jié)?：DRV8850是一款高集成度低電壓電機(jī)驅(qū)動(dòng)IC，適用于需要緊湊設(shè)計(jì)和高效率的電池供電場(chǎng)景，其內(nèi)置LDO和多重保護(hù)功能可顯著簡(jiǎn)化系統(tǒng)設(shè)計(jì)。