DRV8832-Q1 器件為電池供電的玩具、打印機(jī)和其他低壓或電池供電的運(yùn)動(dòng)控制應(yīng)用提供集成電機(jī)驅(qū)動(dòng)器解決方案。該器件具有一個(gè) H 橋驅(qū)動(dòng)器,可以驅(qū)動(dòng)一個(gè)直流電機(jī)或步進(jìn)電機(jī)的一個(gè)繞組,以及螺線管等其他負(fù)載。輸出驅(qū)動(dòng)器模塊由配置為 H 橋的 N 溝道和 P 溝道功率 MOSFET 組成,以驅(qū)動(dòng)電機(jī)繞組。
DRV8832-Q1 具有足夠的 PCB 散熱器,可提供高達(dá) 1A 的 DC/RMS 或峰值輸出電流。它的工作電源電壓為 2.75 V 至 6.8 V。
*附件:drv8832-q1.pdf
為了在不同的電池電壓下保持恒定的電機(jī)速度,同時(shí)保持較長(zhǎng)的電池壽命,提供了一種PWM電壓調(diào)節(jié)方法。輸入引腳允許對(duì)穩(wěn)壓電壓進(jìn)行編程。還提供內(nèi)置基準(zhǔn)電壓源輸出。
提供過(guò)流保護(hù)、短路保護(hù)、欠壓鎖定和過(guò)溫保護(hù)的內(nèi)部保護(hù)功能。
DRV8832-Q1 還提供電流限制功能,用于在電機(jī)啟動(dòng)或失速等情況下調(diào)節(jié)電機(jī)電流,以及故障輸出引腳,用于向主機(jī)處理器發(fā)出故障狀態(tài)信號(hào)。
DRV8832-Q1 采用微型 3 mm x 3 mm 10 引腳 MSOP 封裝,帶 PowerPAD?(環(huán)保:RoHS 和無(wú) Sb/Br)。
特性
- 符合汽車應(yīng)用標(biāo)準(zhǔn)
- AEC-Q100 符合以下標(biāo)準(zhǔn):
- 器件溫度等級(jí) 1:–40°C 至 125°C 環(huán)境工作溫度范圍
- 設(shè)備 HBM ESD 分類等級(jí) H2
- 設(shè)備 CDM ESD 分類級(jí)別 C4B
- H橋壓控電機(jī)驅(qū)動(dòng)器
- 驅(qū)動(dòng)直流電機(jī)、步進(jìn)電機(jī)的一個(gè)繞組或其他執(zhí)行器/負(fù)載
- 高效的PWM電壓控制,可在不同的電源電壓下實(shí)現(xiàn)恒定電機(jī)速度
- 低 MOSFET 導(dǎo)通電阻:
HS + LS 450 mΩ
- 1A 最大 DC/RMS 或峰值驅(qū)動(dòng)電流
- 2.75V 至 6.8V 工作電源電壓范圍
- 300nA(典型值)睡眠模式電流
- 參考電壓輸出
- 限流電路
- 故障輸出
- 熱增強(qiáng)型表面貼裝封裝
參數(shù)
方框圖
?1. 核心特性?
- ?驅(qū)動(dòng)能力?:
- 單H橋設(shè)計(jì),支持直流電機(jī)、步進(jìn)電機(jī)單繞組或其他感性負(fù)載驅(qū)動(dòng)
- 工作電壓范圍:2.75V至6.8V,峰值輸出電流1.3A
- 低MOSFET導(dǎo)通電阻(HS+LS合計(jì)450mΩ)
- ?控制特性?:
- PWM電壓調(diào)節(jié)技術(shù),支持電池供電場(chǎng)景下的恒定轉(zhuǎn)速控制
- 內(nèi)置200mV電流限制功能(通過(guò)外部電阻可調(diào))
- 支持睡眠模式(典型待機(jī)電流300nA)
- ?保護(hù)機(jī)制?:
- 過(guò)流保護(hù)(OCP)、熱關(guān)斷(TSD)、欠壓鎖定(UVLO)
- 故障指示引腳(FAULTn)
?2. 關(guān)鍵功能模塊?
?H橋控制邏輯?:
IN1 IN2 功能 0 0 睡眠/高阻態(tài) 0 1 反向驅(qū)動(dòng) 1 0 正向驅(qū)動(dòng) 1 1 制動(dòng) ?電壓調(diào)節(jié)系統(tǒng)?:
- 通過(guò)VSET引腳設(shè)置目標(biāo)電壓(典型值1.235-1.335V)
- 內(nèi)置參考電壓輸出(VREF)用于分壓電路設(shè)計(jì)
- 自動(dòng)調(diào)整PWM占空比補(bǔ)償電源電壓波動(dòng)
?電流限制?:
- 計(jì)算公式:
R_ISENSE = 0.2V / I_LIMIT
- 持續(xù)275ms過(guò)流觸發(fā)FAULTn報(bào)警
- 計(jì)算公式:
?3. 典型應(yīng)用設(shè)計(jì)?
- ?電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路?:
- ?參數(shù)配置示例?:
目標(biāo)電流限制0.9A→RISENSE=0.2V/0.9A≈0.22Ω目標(biāo)電機(jī)電壓3V→VSET=(3V/4)=0.75V(需電阻分壓)**目標(biāo)電流限制**0.9**A**→**R**I**?**SENSE**=**0.2**V**/0.9**A**≈**0.22Ω**目標(biāo)電機(jī)電壓**3**V**→**V**SET**=**(**3**V**/4**)**=**0.75**V**(需電阻分壓)**
?4. 封裝與性能?
- ?MSOP-PowerPAD(DGQ)封裝?:
- 尺寸:3mm×3mm×1.1mm
- 引腳配置: textCopy Code
1-OUT2 2-ISENSE 3-OUT1 4-VCC 5-GND 6-FAULTn 7-VSET 8-VREF 9-IN1 10-IN2 (底部散熱焊盤)
- ?電氣特性?:
- 效率:典型90%@VCC=5V, IOUT=500mA
- PWM頻率:44.5kHz(典型值)
?5. 設(shè)計(jì)注意事項(xiàng)?
-
MOSFET
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