【2025年10月17日,德國慕尼黑訊】電動汽車充電、電池儲能系統，以及商用、工程和農用車輛（CAV）等大功率應用場景，正推動市場對更高系統級功率密度與效率的需求，以滿足日益提升的性能預期。同時，這些需求也帶來了新的設計挑戰(zhàn)，例如，如何在嚴苛環(huán)境條件下實現可靠運行，在應對瞬態(tài)過載時如何保持穩(wěn)定性，以及如何優(yōu)化整體系統性能。為應對這些挑戰(zhàn)，全球功率系統和物聯網領域的半導體領導者英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）推出采用TO-247PLUS-4回流焊封裝的CoolSiC MOSFET 1400V G2系列。該器件支持更高的直流母線電壓，可實現更優(yōu)異的熱性能、更小的系統尺寸，以及更高的可靠性。

采用TO-247PLUS-4回流焊封裝的CoolSiC MOSFET 1400V G2系列

該封裝技術支持在260°C溫度下進行多達三次回流焊操作，并可在結溫高達200°C的條件下實現可靠運行，同時確保出色的峰值電流能力。借助英飛凌.XT互聯技術，這些器件在嚴苛的應用環(huán)境下，依舊可實現更優(yōu)的熱性能以及更強的機械可靠性。全新1400V電壓等級為更快的開關速度提供了額外裕量，并簡化了過壓保護措施。這有助于降低對功率降額使用的需求，同時提升整個系統的可靠性。

采用TO-247PLUS-4回流焊封裝的CoolSiC MOSFET 1400V G2，其導通電阻（RDS(on)）等級涵蓋6至29毫歐（mΩ），適用于對高功率密度要求嚴苛的應用場景，例如商用、工程和農用車輛（CAVs）、電動汽車充電以及電池儲能系統。英飛凌還提供采用高爬電距離TO-247-4封裝的 CoolSiC MOSFET 1400V系列。該產品組合的RDS(on)等級范圍為11至38mΩ，其器件同樣適用于光伏等應用場景。