NAND供應(yīng)過(guò)剩問(wèn)題的可能性正快速提高——隨著存儲(chǔ)器供應(yīng)量的持續(xù)提升，市場(chǎng)很可能無(wú)法消化或者將這些存儲(chǔ)資源轉(zhuǎn)化成令供應(yīng)商滿意的利潤(rùn)空間。

當(dāng)然，沒(méi)有哪家NAND閃存制造商希望看到這種過(guò)剩局面，他們都相信自己的行為理性而客觀——但事實(shí)顯然并非如此。然而就在內(nèi)存與閃存行業(yè)一次又一次享受到稀缺性帶來(lái)的利潤(rùn)增長(zhǎng)之后，如今其終于來(lái)到了虧損的懸崖前。就如繁殖過(guò)剩的旅鼠一般，它們知道懸崖就在前方，但仍然義無(wú)反顧地向前奔跑。

造成這種供過(guò)于求前景的原因有三：第一，供應(yīng)過(guò)度; 第二，預(yù)期價(jià)格往往不像預(yù)期那樣穩(wěn)定; 第三，市場(chǎng)需求有所下滑。

需要注意的是，市場(chǎng)對(duì)閃存存儲(chǔ)資源的需求可能仍在增長(zhǎng)，但如果其年增長(zhǎng)幅度為5%，而行業(yè)的供應(yīng)量每年提升15%，則代表著相對(duì)需求將下降10%。

當(dāng)客戶需要更多閃存資源時(shí)，那么NAND就會(huì)以商品形式面臨市場(chǎng)經(jīng)濟(jì)帶來(lái)的波動(dòng)，過(guò)剩問(wèn)題也由此產(chǎn)生。供應(yīng)商無(wú)法快速提升其速度或者安全性表現(xiàn)，他們只能通過(guò)縮小晶圓尺寸的方式增加NAND產(chǎn)量。目前2D或者叫平面NAND就在采取這種縮小尺寸的作法; 在3D方面，人們努力增加NAND中的層數(shù)，并/或同步提升NAND單元中的單位容量。

目前3D NAND的這兩種發(fā)展趨勢(shì)皆客觀存在，包括64層3D NAND逐步轉(zhuǎn)化為96層，QLC（四級(jí)單元）亦在漸漸取代現(xiàn)有TLC（三級(jí)單元）。

供應(yīng)商當(dāng)然意識(shí)到了存儲(chǔ)行業(yè)正在發(fā)生的這些長(zhǎng)期性變化，即客戶開(kāi)始放棄速度緩慢的磁盤驅(qū)動(dòng)器，轉(zhuǎn)而采用速度更快的閃存存儲(chǔ)資源。供應(yīng)商們認(rèn)為市場(chǎng)的相關(guān)需求空間很大，且這種趨勢(shì)將長(zhǎng)期保持下去。

制造商們很清楚，在這種背景下增加市場(chǎng)份額與利潤(rùn)的最佳方式，無(wú)疑是推出比競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手成本更低的閃存產(chǎn)品。更具體地講，即在單位晶圓上實(shí)現(xiàn)更高容量，從而實(shí)現(xiàn)單位容量?jī)r(jià)格降低。

總體來(lái)講，NAND的降價(jià)態(tài)勢(shì)已成事實(shí); 但供應(yīng)商們認(rèn)為，這將是一波緩慢而長(zhǎng)期的下降過(guò)程，不會(huì)產(chǎn)生斷崖式縮水。

閃存代工廠熱潮

為了擴(kuò)大利益，他們正在建設(shè)更多閃存晶圓廠，而這將大大增加市場(chǎng)供應(yīng)量。

英特爾公司于2015年年底在中國(guó)大連建立了3D NAND工廠，并計(jì)劃在2018年年底將其產(chǎn)能翻番。

三星公司則在中國(guó)西安的3D NAND工廠中努力提升產(chǎn)量。

SK海力士正在利川建設(shè)新工廠，并計(jì)劃于2020年正式投入使用。此外，其還在擴(kuò)大另外兩座韓國(guó)本土工廠的無(wú)塵車間面積。利川的M14工廠與位于無(wú)錫的另一家工廠亦開(kāi)始準(zhǔn)備生產(chǎn)更高層數(shù)的3D NAND芯片。

東芝存儲(chǔ)公司/西部數(shù)據(jù)合資建立的公司正在開(kāi)發(fā)96層3D NAND，其同時(shí)亦制造QLC芯片。另外，東芝還在日本巖手縣北上市建造有一座新工廠。

兩家公司還在對(duì)位于日本四日市的現(xiàn)有FAB 6工廠進(jìn)行擴(kuò)建，預(yù)計(jì)其將在2019年投入運(yùn)營(yíng)。

中國(guó)的清華紫光也在建設(shè)自己的3D NAND工廠。美光公司正在對(duì)其閃存知識(shí)產(chǎn)權(quán)采取法律行動(dòng)，并表示清華紫光從中間商手中竊取到了相關(guān)機(jī)密技術(shù)。

長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技公司等其它中國(guó)NAND供應(yīng)商也在積極興建代工設(shè)施，從而配合中國(guó)全面實(shí)現(xiàn)存儲(chǔ)器生產(chǎn)自給自足的發(fā)展目標(biāo)。

憑借著聯(lián)合貝恩資本對(duì)TMC進(jìn)行采購(gòu)，希捷方面將利用來(lái)自TMC/西部數(shù)據(jù)合資工廠的芯片發(fā)布SSD產(chǎn)品。

那么，市場(chǎng)能否消化這么多代工廠帶來(lái)的額外產(chǎn)能？

一位業(yè)內(nèi)觀察人士認(rèn)為，供應(yīng)過(guò)剩將導(dǎo)致價(jià)格下跌以及NAND滯銷。

DRAMeXchange持悲觀態(tài)度

DRAMeXchange作為TrendForce公司下轄的事業(yè)部，預(yù)計(jì)稱“2018年第三與第四季度，NAND閃存的平均售價(jià)將環(huán)比下降10%左右。盡管2018年第三季度一般而言應(yīng)為消費(fèi)電子產(chǎn)品的傳統(tǒng)銷售旺季，但最終市場(chǎng)需求的增長(zhǎng)仍將低于預(yù)期。與此同時(shí)，3D NAND閃存的供應(yīng)量將持續(xù)擴(kuò)大?！?/p>

該事業(yè)部也對(duì)供應(yīng)過(guò)度問(wèn)題做出了進(jìn)一步說(shuō)明。其表示，價(jià)格下跌的主要原因在于全方位的供過(guò)于求。

今年智能手機(jī)的全年出貨量預(yù)計(jì)與去年相當(dāng)。由于產(chǎn)品在硬件規(guī)格方面缺乏差異，智能手機(jī)的換機(jī)需求一直比較低迷。

筆記本電腦的出貨量在2018年上半年表現(xiàn)出強(qiáng)勁的態(tài)勢(shì)，因此其與上年同期相比將有所增長(zhǎng)。

雖然對(duì)服務(wù)器系統(tǒng)的需求正穩(wěn)步提升，但服務(wù)器固態(tài)驅(qū)動(dòng)器仍處于供過(guò)于求的階段，目前這一利基市場(chǎng)吸引來(lái)了太多希望分一杯羹的廠商。

NAND閃存供應(yīng)商已經(jīng)提高了產(chǎn)量預(yù)期，這主要源自持續(xù)擴(kuò)大產(chǎn)能并加大對(duì)64/72層3D NAND產(chǎn)品的生產(chǎn)比重。

這些因素將引發(fā)供應(yīng)持續(xù)過(guò)剩，各類NAND閃存產(chǎn)品的合約價(jià)格也將在下半年持續(xù)走低。

DRAMeXchange預(yù)計(jì)，2019年上半年傳統(tǒng)淡季期間不夠理想的價(jià)格將繼續(xù)保持下去。另外結(jié)合周期性規(guī)律，明年上半年的智能手機(jī)、筆記本電腦及平板電腦的出貨量預(yù)測(cè)皆相當(dāng)保守。

再有，其表示各大廠商向96層3D NAND的過(guò)渡預(yù)計(jì)將進(jìn)一步增加整體產(chǎn)量，并推動(dòng)供過(guò)于求趨勢(shì)的升溫。

我們認(rèn)為，隨著眾多晶圓制造廠的興建與擴(kuò)建計(jì)劃，2019年、2020年到2021年期間這種過(guò)度供應(yīng)很可能真正轉(zhuǎn)化為實(shí)際性過(guò)剩。