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世界級EMI大咖如何看待EMI設(shè)計

0BFC_eet_china ? 作者:工程師飛燕 ? 2018-08-07 09:40 ? 次閱讀
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現(xiàn)代電力電子系統(tǒng)中的EMI分析和設(shè)計

現(xiàn)代電力電子系統(tǒng)通常在開關(guān)模式下工作,產(chǎn)生了較大的電磁干擾(EMI)。 EMI問題一直是電力電子工程師頭疼的問題,解決EMI問題是一項既困難又耗時的工作。 在本次研討會上,將介紹電力電子系統(tǒng)中EMI問題是如何產(chǎn)生,傳播,如何抑制解決,并淺顯的介紹EMI建模,測量和抑制的基本原理和技術(shù)。將會基于三個方面重點介紹:

反激的EMI模型,變壓器建模分析和優(yōu)化設(shè)計介紹

新能源電機驅(qū)動的EMI建模和抑制

如何在沒有暗室和天線的情況下,簡易的測量和調(diào)試EMI問題

汽車電子中的DCDC芯片的EMC設(shè)計

隨著新能源車,自動駕駛和車載互聯(lián)技術(shù)的發(fā)展,這些越來越多的電氣化零部帶來了DCDC芯片的廣泛應(yīng)用,也產(chǎn)生了越來越多的EMI問題。由于汽車電子測試的范圍寬,限制低,在這些小體積多線束的應(yīng)用中,DCDC的EMI問題是亟待解決的新問題:

汽車電子EMC測試的主要特點,DCDC芯片EMI特性分析

DCDC芯片EMI設(shè)計的要點并舉例介紹

MPS EMC新技術(shù)和進展

MPS是很注重產(chǎn)品EMC性能的半導體公司,公司在EMC實驗室以及人才建設(shè)上投入了大量的資金。我們將介紹MPS的EMC方面的團隊,實驗室資源以及一些最新的EMI前沿技術(shù)。

會議議程

10:00-11:00

現(xiàn)代電力電子系統(tǒng)中的EMI分析和設(shè)計

王碩美國佛羅里達大學電子與計算機工程系副教授

11:00-11:40

汽車電子中的DCDC芯片的EMC設(shè)計

謝建宇 MPS汽車電子現(xiàn)場應(yīng)用經(jīng)理

11:40-12:00

MPS EMC新技術(shù)和進展

羅鉦 MPS市場技術(shù)及應(yīng)用工程師經(jīng)理

講師介紹


Shuo Wang (王碩)

于2005年獲得美國弗吉尼亞理工大學博士學位。

2015年起,擔任美國佛羅里達大學(蓋恩斯維爾)電子與計算機工程系副教授。

2010-2014年,先后擔任美國德州大學圣安東尼奧分校助理教授和副教授職位。

2009-2010年,在美國俄亥俄州萬達利亞通用電氣航空從事高級設(shè)計工程師工作。

2005-2009年,擔任美國弗吉尼亞理工大學研究助理教授。

王碩博士現(xiàn)已發(fā)表160多篇IEEE期刊和研討會論文,持有8項美國專利,另有12項專利正在申請中。獲得2006年國際IEEE電力電子學會頒發(fā)的最佳學報論文獎(Best Transaction Paper Award),和2項William M. Portnoy獎,兩篇獲獎?wù)撐姆謩e發(fā)表在IEEE工業(yè)應(yīng)用學會期刊2004期和2012期。于2012年獲得著名的美國國家科學基金“事業(yè)獎”(CAREER Award)?,F(xiàn)擔任 IEEE 工業(yè)應(yīng)用學報期刊副主編,曾作為2014年IEEE國際電動汽車研討會技術(shù)項目聯(lián)合主席。

謝建宇

MPS 汽車電子現(xiàn)場應(yīng)用經(jīng)理

浙江大學電力電子碩士,在MPS工作8年,支持華東區(qū)域的汽車電子客戶,專注于信息娛樂,車燈,ADAS等應(yīng)用,8年芯片級及板級EMI優(yōu)化經(jīng)驗。

羅鉦

MPS市場技術(shù)及應(yīng)用工程師經(jīng)理。

弗吉尼亞理工大學 CPES 電力電子碩士?,F(xiàn)從事汽車電子及工業(yè)產(chǎn)品的市場規(guī)劃,芯片定義,研發(fā),及技術(shù)支持。10年芯片級及板級EMI優(yōu)化經(jīng)驗。持有8項美國專利。

圖注: MPS在杭州研發(fā)中心的汽車電子EMC實驗室

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原文標題:【直播】世界級EMI大咖分享電源EMI分析與優(yōu)化設(shè)計

文章出處:【微信號:eet-china,微信公眾號:電子工程專輯】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。

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    PCB設(shè)計:在真實世界里的EMI控制

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    發(fā)表于 04-19 13:44

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    全文較長,文尾點擊附件支持下載 規(guī)范和測量 噪聲傳播和濾波 了解功率寄生效應(yīng) 輻射發(fā)射 采用集成 FET 設(shè)計的EMI 抑制技術(shù) 采用離散 FET 設(shè)計的EMI 抑制技術(shù) 反激式
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