MOT2165J 是仁懋電子（MOT）推出的一款N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET，采用 PDFN3X3 封裝形式，聚焦于功率開關(guān)控制、筆記本核心供電等場(chǎng)景，以低導(dǎo)通損耗、快速開關(guān)特性和小型化封裝為核心技術(shù)亮點(diǎn)。

一、核心參數(shù)與技術(shù)意義

• 電壓電流特性：漏源電壓（VDS）最大 20V，適配 20V 及以下低壓電路；連續(xù)漏極電流（ID）達(dá) 55A，脈沖漏極電流（IDM）可至 200A，能滿足持續(xù)高負(fù)載與瞬時(shí)峰值電流的雙重需求，在工業(yè)功率切換、消費(fèi)電子供電等場(chǎng)景中具備可靠的電流承載能力。
• 導(dǎo)通電阻表現(xiàn)：柵源電壓（VGS）為 4.5V 時(shí)，導(dǎo)通電阻（RDS (on)）僅 5.2mΩ；VGS 降至 2.5V 時(shí)，RDS (on) 為 6.8mΩ。低導(dǎo)通電阻特性可顯著降低大電流導(dǎo)通階段的功率損耗，尤其適配低功耗驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)與高功率密度應(yīng)用。
• 電容與開關(guān)性能：輸入電容（Ciss）1166pF、輸出電容（Coss）189pF、反向傳輸電容（Crss）141pF，配合 3.9Ω 的開關(guān)電阻（Rg），既保障了柵極驅(qū)動(dòng)的響應(yīng)速度，又通過(guò)低反向傳輸電容減少 “米勒效應(yīng)” 干擾，實(shí)現(xiàn)快速開關(guān)動(dòng)作，降低高頻切換時(shí)的損耗。
• 熱穩(wěn)定性：結(jié)溫工作范圍覆蓋 - 55℃至 + 150℃，滿足工業(yè)級(jí)寬溫環(huán)境需求；結(jié)到環(huán)境熱阻（RthJA）40℃/W，結(jié)合 PDFN3X3 封裝的底部散熱焊盤設(shè)計(jì)，可高效傳導(dǎo)功率損耗產(chǎn)生的熱量，避免結(jié)溫過(guò)高導(dǎo)致器件性能衰減。

二、技術(shù)特性與優(yōu)勢(shì)

高效開關(guān)能力低反向傳輸電容（Crss）與快速開關(guān)特性的結(jié)合，使其在 DC-DC 變換器等高頻功率轉(zhuǎn)換場(chǎng)景中，能有效減少開關(guān)損耗，提升系統(tǒng)能量轉(zhuǎn)換效率。

低功耗設(shè)計(jì)5.2mΩ（@VGS=4.5V）的低導(dǎo)通電阻，在大電流導(dǎo)通時(shí)可大幅降低功率損耗；同時(shí)適配 2.5V 低壓驅(qū)動(dòng)場(chǎng)景，滿足低功耗控制系統(tǒng)的設(shè)計(jì)需求。

小型化與散熱兼顧PDFN3X3 封裝的尺寸僅 3.0mm×3.0mm，適配小型化電子設(shè)備布局；底部裸露的散熱焊盤配合 40℃/W 的熱阻，保障了器件在高負(fù)載下的熱穩(wěn)定性，平衡了 “小型化” 與 “散熱能力” 的技術(shù)矛盾。

三、典型應(yīng)用場(chǎng)景

• 功率開關(guān)模塊：憑借 55A 連續(xù)電流和 200A 脈沖電流的承載能力，可用于工業(yè)設(shè)備的直流功率切換、消費(fèi)電子的電源控制環(huán)節(jié)，實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定可靠的大電流通斷。
• 筆記本核心供電：PDFN3X3 的小型化封裝與低功耗特性，完美適配筆記本電腦內(nèi)部 CPU、GPU 等核心部件的供電需求，在有限空間內(nèi)實(shí)現(xiàn)高效電能轉(zhuǎn)換，同時(shí)降低設(shè)備運(yùn)行功耗。