仁懋電子（MOT）推出的MOT4529J是一款面向 40V 低壓場景的 N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET，憑借超低導(dǎo)通電阻、無鉛環(huán)保封裝特性，適用于 DC/DC 轉(zhuǎn)換器等低壓功率轉(zhuǎn)換場景。

一、產(chǎn)品基本信息

• 器件類型：N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET
• 核心參數(shù)：
  • 漏源極耐壓（\(V_{DSS}\)）：40V，適配低壓供電場景；
  • 導(dǎo)通電阻（\(R_{DS(on)}\)）：\(V_{GS}=4.5V\)時典型值28mΩ，\(V_{GS}=10V\)時典型值24mΩ，低壓場景下導(dǎo)通損耗極低；
  • 連續(xù)漏極電流（\(I_D\)）：9A（\(T_A=25^\circ\text{C}\)），\(T_A=100^\circ\text{C}\)時降額為6.4A；脈沖漏極電流（\(I_{DM}\)）達(dá)40A，滿足負(fù)載瞬時過載需求。

二、核心特性

• 超低導(dǎo)通電阻：24~28mΩ 導(dǎo)通電阻設(shè)計，大幅降低低壓大電流場景下的傳導(dǎo)損耗，提升電源轉(zhuǎn)換效率；
• 無鉛環(huán)保封裝：采用無鉛引腳鍍層，符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)，適配綠色電子制造需求；
• 小型化封裝適配：采用PDFN3X3表面貼裝封裝，每卷 5000 片，適配高密度電路板的空間約束。

三、關(guān)鍵電氣參數(shù)（\(T_A=25^\circ\text{C}\)，除非特殊說明）

• 柵源極電壓（\(V_{GS}\)）：最大值 ±20V，柵極驅(qū)動需控制在該范圍以避免氧化層損壞；
• 功耗（\(P_D\)）：2W，實(shí)際應(yīng)用需結(jié)合 PCB 敷銅、散熱焊盤等設(shè)計保障長期可靠工作；
• 熱特性：結(jié) - 環(huán)境熱阻（\(R_{thJA}\)）62.5℃/W，需通過封裝與 PCB 設(shè)計優(yōu)化熱管理；
• 結(jié)溫范圍（\(T_J\)）：-55~+150℃，存儲溫度范圍與結(jié)溫區(qū)間一致。

四、封裝與應(yīng)用場景

• 封裝形式：PDFN3X3 表面貼裝封裝，每卷 5000 片，適配高密度電路板的小型化設(shè)計需求；
• 典型應(yīng)用：
  • DC/DC 轉(zhuǎn)換器：在低壓同步整流、降壓拓?fù)渲凶鳛殚_關(guān)管，低損耗特性提升電源轉(zhuǎn)換效率。

五、信息來源

仁懋電子（MOT）官方產(chǎn)品手冊（注：以上參數(shù)基于手冊標(biāo)注整理，實(shí)際應(yīng)用需以最新版手冊及器件批次測試數(shù)據(jù)為準(zhǔn)。）