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MOT4162G N 溝道 MOSFET 技術(shù)解析

深圳市首質(zhì)誠科技有限公司 ? 2025-10-27 10:34 ? 次閱讀
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一、產(chǎn)品概述

MOT4162G 是仁懋電子(MOT)推出的N 溝道增強型 MOSFET,采用 PDFN506-8L 封裝形式,聚焦電機控制與驅(qū)動、電池管理等場景,以低導(dǎo)通電阻、優(yōu)異散熱性能和高可靠性為核心技術(shù)亮點,且符合 RoHS 和無鹵環(huán)保標(biāo)準(zhǔn)。

二、核心參數(shù)與技術(shù)價值

  • 電壓電流特性:漏源電壓(V????)最大 40V,連續(xù)漏極電流(I?D?)達 45A(25℃下),脈沖漏極電流(I?DM?)可至 125A,能滿足電機驅(qū)動、電池管理等大電流功率場景的需求。
  • 導(dǎo)通電阻表現(xiàn):柵源電壓(V?????)為 10V 時,導(dǎo)通電阻(R?DS (on)?)低至 6.2mΩ;V?????降至 4.5V 時,R?DS (on)?為 9.6mΩ。低導(dǎo)通電阻特性可顯著降低導(dǎo)通階段的功率損耗,適配高壓、大電流的功率控制場景。
  • 熱與功率特性:最大耗散功率(P?D?)30W(25℃下),結(jié)到殼熱阻(R?thJC?)4.2℃/W,結(jié)到環(huán)境熱阻(R?thJA?)35℃/W,結(jié)溫工作范圍覆蓋 - 55℃至 + 150℃,保障器件在高負(fù)載、寬溫環(huán)境下的熱穩(wěn)定性。

三、技術(shù)特性與優(yōu)勢

高效功率控制能力低導(dǎo)通電阻(6.2mΩ@V?????=10V)與 45A 連續(xù)電流承載能力的結(jié)合,使其在電機控制驅(qū)動中能高效實現(xiàn)大電流通斷與扭矩控制;在電池管理系統(tǒng)中,可精準(zhǔn)調(diào)節(jié)充放電功率,降低能量損耗。

優(yōu)異散熱與可靠性PDFN506-8L 封裝具備出色的散熱設(shè)計,配合 35℃/W 的結(jié)到環(huán)境熱阻,能快速傳導(dǎo)功率損耗產(chǎn)生的熱量;且通過 100% UIS(雪崩耐量)測試,提升了器件在浪涌、過載工況下的可靠性。

多場景適配性40V 耐壓等級與大電流能力,適配電機控制(如工業(yè)小功率電機、消費電子電機驅(qū)動)、電池管理(如儲能設(shè)備、電動工具電池充放電管理)等場景;環(huán)保合規(guī)特性也拓寬了其在高端電子領(lǐng)域的應(yīng)用邊界。

四、典型應(yīng)用場景

  • 電機控制與驅(qū)動:在工業(yè)自動化小型電機、無人機動力電機、電動工具電機的驅(qū)動電路中,作為功率開關(guān)管實現(xiàn)電機的精準(zhǔn)調(diào)速、大扭矩控制。
  • 電池管理系統(tǒng):應(yīng)用于儲能電池、電動工具電池的充放電管理模塊,實現(xiàn)高效功率轉(zhuǎn)換與電池保護,提升電池系統(tǒng)的能效與安全性。
聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
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