chinese直男口爆体育生外卖, 99久久er热在这里只有精品99, 又色又爽又黄18禁美女裸身无遮挡, gogogo高清免费观看日本电视,私密按摩师高清版在线,人妻视频毛茸茸,91论坛 兴趣闲谈,欧美 亚洲 精品 8区,国产精品久久久久精品免费

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

MOT3712J P 溝道 MOSFET 技術(shù)解析

深圳市首質(zhì)誠科技有限公司 ? 2025-10-24 15:59 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

一、產(chǎn)品概述

MOT3712J 是仁懋電子(MOT)推出的P 溝道增強(qiáng)型 MOSFET,采用 PDFN3X3-8L 表面貼裝封裝,具備高功率與電流處理能力,聚焦 PWM 控制、負(fù)載開關(guān)、電源管理等場景,以低導(dǎo)通損耗、小型化封裝為核心技術(shù)亮點(diǎn),且為無鉛產(chǎn)品,滿足環(huán)保合規(guī)要求。

二、核心參數(shù)與技術(shù)價(jià)值

  • 電壓電流特性:漏源電壓(V????)最大 - 30V,柵源電壓(V?????)范圍 ±20V;連續(xù)漏極電流(I?D?)達(dá) - 20A,脈沖漏極電流(I?DM?)可至 - 80A,能滿足大電流負(fù)載切換與功率管理的電流需求。
  • 導(dǎo)通電阻表現(xiàn):柵源電壓(V?????)為 - 4.5V 時(shí),導(dǎo)通電阻(R?DS (on)?)僅 14mΩ;V?????降至 - 10V 時(shí),R?DS (on)?低至 9.5mΩ。低導(dǎo)通電阻特性可顯著降低導(dǎo)通階段的功率損耗,尤其適配低壓驅(qū)動與大電流功率控制場景。
  • 熱與功率特性:最大耗散功率(P?D?)35W(25℃下),結(jié)溫工作范圍覆蓋 - 55℃至 + 150℃,滿足工業(yè)級寬溫環(huán)境與高功率密度應(yīng)用的熱穩(wěn)定性需求。

三、技術(shù)特性與優(yōu)勢

高效功率控制能力低導(dǎo)通電阻(9.5mΩ@V?????=-10V)與 - 20A 連續(xù)電流承載能力的結(jié)合,使其在電源管理(如電池供電系統(tǒng)的負(fù)載開關(guān))中,能高效實(shí)現(xiàn)大電流通斷,同時(shí)降低功耗;PWM 應(yīng)用中,可通過精準(zhǔn)的導(dǎo)通電阻控制實(shí)現(xiàn)功率的精細(xì)調(diào)節(jié)。

小型化與環(huán)保適配PDFN3X3-8L 封裝的表面貼裝設(shè)計(jì),適配高密度 PCB 布局,滿足消費(fèi)電子、工業(yè)設(shè)備的小型化需求;無鉛工藝符合 RoHS 環(huán)保標(biāo)準(zhǔn),拓寬在高端電子領(lǐng)域的應(yīng)用邊界。

高可靠性設(shè)計(jì)寬溫工作范圍(-55℃~+150℃)與 35W 耗散功率的冗余設(shè)計(jì),保障器件在惡劣工況(如工業(yè)設(shè)備的電源模塊)中穩(wěn)定運(yùn)行,提升系統(tǒng)整體可靠性。

四、典型應(yīng)用場景

  • PWM 控制場景:憑借低導(dǎo)通電阻與大電流能力,可作為 PWM 調(diào)制電路的功率開關(guān)管,應(yīng)用于電機(jī)驅(qū)動、LED 調(diào)光等場景,實(shí)現(xiàn)功率的精準(zhǔn)動態(tài)調(diào)節(jié)。
  • 負(fù)載開關(guān)與電源管理:在消費(fèi)電子(如筆記本電腦、平板的電源管理模塊)、工業(yè)設(shè)備(如自動化控制的電源分配單元)中,作為負(fù)載開關(guān)實(shí)現(xiàn)大電流負(fù)載的高效通斷,或參與電源路徑的智能管理。
聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • MOSFET
    +關(guān)注

    關(guān)注

    150

    文章

    9198

    瀏覽量

    226938
  • MOS
    MOS
    +關(guān)注

    關(guān)注

    32

    文章

    1443

    瀏覽量

    99194
  • 仁懋電子
    +關(guān)注

    關(guān)注

    0

    文章

    86

    瀏覽量

    387
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評論

    相關(guān)推薦
    熱點(diǎn)推薦

    P溝道和N溝道MOSFET在開關(guān)電源中的應(yīng)用

    MOSFET或N溝道MOSFET作為主開關(guān)。同步整流器應(yīng)用幾乎總是使用N溝道技術(shù),這主要是因?yàn)镹溝道
    發(fā)表于 03-03 13:58

    N溝通和P溝道的功率MOSFET的特征是什么

    功率MOSFET有二種類型:N溝通和P溝道,在系統(tǒng)設(shè)計(jì)的過程中,選擇N管還是P管,要針對實(shí)際的應(yīng)用具體來選擇。下面先討論這二種溝道的功率
    發(fā)表于 03-02 08:40

    開關(guān)電源設(shè)計(jì)之:P溝道和N溝道MOSFET比較

    MOSFET在產(chǎn)品選擇上超過了P溝道。在降壓穩(wěn)壓器應(yīng)用中,基于柵控電壓極性、器件尺寸和串聯(lián)電阻等多種因素,使用P溝道
    發(fā)表于 04-09 09:20

    P溝道MOSFET的基本概念及主要類型

    ,增強(qiáng)型MOSFET分為P溝道增強(qiáng)型和N溝道增強(qiáng)型,耗盡型MOSFET分為P
    發(fā)表于 09-27 08:00

    N溝道P溝道MOSFET的區(qū)別是什么

    為正時(shí),它充當(dāng)增強(qiáng)型MOSFET。N溝道場效應(yīng)管與P溝道場效應(yīng)管介紹N溝道MOSFET的源極接地
    發(fā)表于 02-02 16:26

    MOT (仁懋) MOT8125T 技術(shù)解析

    在工業(yè)電源、新能源充電樁等大功率電力電子系統(tǒng)中,MOSFET的開關(guān)速度與功率承載能力直接決定整機(jī)性能上限。MOT(仁懋)作為國家級專精特新“小巨人”企業(yè),推出的MOT8125TN溝道
    的頭像 發(fā)表于 10-20 16:04 ?339次閱讀
    <b class='flag-5'>MOT</b> (仁懋) <b class='flag-5'>MOT</b>8125T <b class='flag-5'>技術(shù)</b>全<b class='flag-5'>解析</b>

    MOT (仁懋) MOT1126T 技術(shù)解析

    在30kW級工業(yè)電源、60kW直流快充樁等大功率電力電子場景中,MOSFET的電流承載能力與功率密度直接決定系統(tǒng)集成效率。MOT(仁懋)推出的MOT1126TN溝道增強(qiáng)型
    的頭像 發(fā)表于 10-20 16:25 ?344次閱讀
    <b class='flag-5'>MOT</b> (仁懋) <b class='flag-5'>MOT</b>1126T <b class='flag-5'>技術(shù)</b>全<b class='flag-5'>解析</b>

    MOT (仁懋) MOT7136T 技術(shù)解析

    在400V以上高壓工業(yè)電源、100kW級新能源逆變器等場景中,MOSFET的反向耐壓能力與低損耗特性直接決定系統(tǒng)安全性與能效。MOT(仁懋)推出的MOT7136TN溝道增強(qiáng)型
    的頭像 發(fā)表于 10-20 16:32 ?331次閱讀
    <b class='flag-5'>MOT</b> (仁懋) <b class='flag-5'>MOT</b>7136T <b class='flag-5'>技術(shù)</b>全<b class='flag-5'>解析</b>

    MOT (仁懋) MOT1145HD技術(shù)解析

    在12V/24V工業(yè)電源、低壓電機(jī)驅(qū)動等中功率電力電子場景中,MOSFET的導(dǎo)通損耗與電流承載能力直接影響系統(tǒng)能效與穩(wěn)定性。MOT(仁懋)推出的MOT1145HDN溝道增強(qiáng)型
    的頭像 發(fā)表于 10-21 11:40 ?128次閱讀
    <b class='flag-5'>MOT</b> (仁懋) <b class='flag-5'>MOT</b>1145HD<b class='flag-5'>技術(shù)</b>全<b class='flag-5'>解析</b>

    MOT4913J N+N 增強(qiáng)型 MOSFET 技術(shù)解析:參數(shù)、特性與應(yīng)用場景

    解析,為工程師的選型與設(shè)計(jì)提供技術(shù)參考。一、產(chǎn)品基本定位與結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)MOT4913J是一款N+N增強(qiáng)型MOSFET,采用PDFN3X3封裝形式,內(nèi)部集成兩個(gè)獨(dú)立的N
    的頭像 發(fā)表于 10-23 10:50 ?122次閱讀
    <b class='flag-5'>MOT4913J</b> N+N 增強(qiáng)型 <b class='flag-5'>MOSFET</b> <b class='flag-5'>技術(shù)</b><b class='flag-5'>解析</b>:參數(shù)、特性與應(yīng)用場景

    MOT3150J N 溝道 MOSFET 技術(shù)解析:參數(shù)、特性與應(yīng)用場景

    設(shè)計(jì)提供技術(shù)參考。一、產(chǎn)品基本定位與封裝設(shè)計(jì)MOT3150J是一款N溝道增強(qiáng)型MOSFET,采用PDFN3X3-8L封裝形式,包裝規(guī)格為5000片/卷,適配高密度
    的頭像 發(fā)表于 10-23 11:17 ?116次閱讀
    <b class='flag-5'>MOT3150J</b> N <b class='flag-5'>溝道</b> <b class='flag-5'>MOSFET</b> <b class='flag-5'>技術(shù)</b><b class='flag-5'>解析</b>:參數(shù)、特性與應(yīng)用場景

    MOT8576T N 溝道 MOSFET 技術(shù)解析:大功率場景的性能標(biāo)桿

    大功率系統(tǒng)設(shè)計(jì)提供技術(shù)參考。一、產(chǎn)品定位與封裝設(shè)計(jì)MOT8576T是一款N溝道增強(qiáng)型MOSFET,采用表面貼裝封裝,集成先進(jìn)溝槽單元(Supertrench)與to
    的頭像 發(fā)表于 10-23 11:23 ?112次閱讀
    <b class='flag-5'>MOT</b>8576T N <b class='flag-5'>溝道</b> <b class='flag-5'>MOSFET</b> <b class='flag-5'>技術(shù)</b><b class='flag-5'>解析</b>:大功率場景的性能標(biāo)桿

    MOT2165J N 溝道 MOSFET 技術(shù)解析

    MOT2165J是仁懋電子(MOT)推出的一款N溝道增強(qiáng)型MOSFET,采用PDFN3X3封裝形式,聚焦于功率開關(guān)控制、筆記本核心供電等場景,以低導(dǎo)通損耗、快速開關(guān)特性和小型化封裝為核
    的頭像 發(fā)表于 10-24 10:22 ?96次閱讀
    <b class='flag-5'>MOT2165J</b> N <b class='flag-5'>溝道</b> <b class='flag-5'>MOSFET</b> <b class='flag-5'>技術(shù)</b><b class='flag-5'>解析</b>

    MOT3910J 雙 N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET 技術(shù)解析

    一、產(chǎn)品定位與結(jié)構(gòu)MOT3910J是仁懋電子(MOT)推出的雙N溝道增強(qiáng)型MOSFET,采用PDFN3X3封裝形式,將兩只N溝道
    的頭像 發(fā)表于 10-24 11:14 ?45次閱讀
    <b class='flag-5'>MOT3910J</b> 雙 N <b class='flag-5'>溝道</b>增強(qiáng)型 <b class='flag-5'>MOSFET</b> <b class='flag-5'>技術(shù)</b><b class='flag-5'>解析</b>

    MOT1514J N 溝道 MOSFET 技術(shù)解析

    一、產(chǎn)品概述MOT1514J是仁懋電子(MOT)推出的N溝道增強(qiáng)型MOSFET,采用PDFN3X3-8L表面貼裝封裝,聚焦計(jì)算設(shè)備電源管理、快速/無線充電、電機(jī)驅(qū)動等場景,以超低導(dǎo)通電
    的頭像 發(fā)表于 10-24 16:21 ?96次閱讀
    <b class='flag-5'>MOT1514J</b> N <b class='flag-5'>溝道</b> <b class='flag-5'>MOSFET</b> <b class='flag-5'>技術(shù)</b><b class='flag-5'>解析</b>