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MOT3712J P 溝道 MOSFET 技術(shù)解析

深圳市首質(zhì)誠(chéng)科技有限公司 ? 2025-10-24 15:59 ? 次閱讀
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一、產(chǎn)品概述

MOT3712J 是仁懋電子(MOT)推出的P 溝道增強(qiáng)型 MOSFET,采用 PDFN3X3-8L 表面貼裝封裝,具備高功率與電流處理能力,聚焦 PWM 控制、負(fù)載開(kāi)關(guān)電源管理等場(chǎng)景,以低導(dǎo)通損耗、小型化封裝為核心技術(shù)亮點(diǎn),且為無(wú)鉛產(chǎn)品,滿(mǎn)足環(huán)保合規(guī)要求。

二、核心參數(shù)與技術(shù)價(jià)值

  • 電壓電流特性:漏源電壓(V????)最大 - 30V,柵源電壓(V?????)范圍 ±20V;連續(xù)漏極電流(I?D?)達(dá) - 20A,脈沖漏極電流(I?DM?)可至 - 80A,能滿(mǎn)足大電流負(fù)載切換與功率管理的電流需求。
  • 導(dǎo)通電阻表現(xiàn):柵源電壓(V?????)為 - 4.5V 時(shí),導(dǎo)通電阻(R?DS (on)?)僅 14mΩ;V?????降至 - 10V 時(shí),R?DS (on)?低至 9.5mΩ。低導(dǎo)通電阻特性可顯著降低導(dǎo)通階段的功率損耗,尤其適配低壓驅(qū)動(dòng)與大電流功率控制場(chǎng)景。
  • 熱與功率特性:最大耗散功率(P?D?)35W(25℃下),結(jié)溫工作范圍覆蓋 - 55℃至 + 150℃,滿(mǎn)足工業(yè)級(jí)寬溫環(huán)境與高功率密度應(yīng)用的熱穩(wěn)定性需求。

三、技術(shù)特性與優(yōu)勢(shì)

高效功率控制能力低導(dǎo)通電阻(9.5mΩ@V?????=-10V)與 - 20A 連續(xù)電流承載能力的結(jié)合,使其在電源管理(如電池供電系統(tǒng)的負(fù)載開(kāi)關(guān))中,能高效實(shí)現(xiàn)大電流通斷,同時(shí)降低功耗;PWM 應(yīng)用中,可通過(guò)精準(zhǔn)的導(dǎo)通電阻控制實(shí)現(xiàn)功率的精細(xì)調(diào)節(jié)。

小型化與環(huán)保適配PDFN3X3-8L 封裝的表面貼裝設(shè)計(jì),適配高密度 PCB 布局,滿(mǎn)足消費(fèi)電子、工業(yè)設(shè)備的小型化需求;無(wú)鉛工藝符合 RoHS 環(huán)保標(biāo)準(zhǔn),拓寬在高端電子領(lǐng)域的應(yīng)用邊界。

高可靠性設(shè)計(jì)寬溫工作范圍(-55℃~+150℃)與 35W 耗散功率的冗余設(shè)計(jì),保障器件在惡劣工況(如工業(yè)設(shè)備的電源模塊)中穩(wěn)定運(yùn)行,提升系統(tǒng)整體可靠性。

四、典型應(yīng)用場(chǎng)景

  • PWM 控制場(chǎng)景:憑借低導(dǎo)通電阻與大電流能力,可作為 PWM 調(diào)制電路的功率開(kāi)關(guān)管,應(yīng)用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)、LED 調(diào)光等場(chǎng)景,實(shí)現(xiàn)功率的精準(zhǔn)動(dòng)態(tài)調(diào)節(jié)。
  • 負(fù)載開(kāi)關(guān)與電源管理:在消費(fèi)電子(如筆記本電腦、平板的電源管理模塊)、工業(yè)設(shè)備(如自動(dòng)化控制的電源分配單元)中,作為負(fù)載開(kāi)關(guān)實(shí)現(xiàn)大電流負(fù)載的高效通斷,或參與電源路徑的智能管理。
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