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TX7364 多通道發(fā)射器技術(shù)文檔總結(jié)

科技綠洲 ? 2025-10-24 15:42 ? 次閱讀
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TX7364是一款用于超聲成像系統(tǒng)的高度集成、高性能的發(fā)射器設備。該器件共有 64 個脈沖發(fā)生器電路、64 個發(fā)射/接收開關(guān)(稱為 T/R 或 TR 開關(guān)),并支持片上波束形成器 (TxBF)。該器件還集成了片內(nèi)浮動電源,可減少所需的高壓電源數(shù)量。

TX7364 有一個脈沖發(fā)生器電路,可產(chǎn)生三級高壓脈沖(高達 ±100 V),用于激發(fā)超聲換能器的多個通道。該設備總共支持 64 個輸出。最大輸出電流為1A。
*附件:tx7364.pdf

該設備可用作許多應用的發(fā)射器解決方案,如超聲成像、無損檢測、聲納、激光雷達、海洋導航系統(tǒng)、腦成像系統(tǒng)等。

特性

  • 發(fā)射器支持:
    • 64 通道 3 電平脈沖發(fā)生器和有源發(fā)射/接收 (T/R) 開關(guān)
  • 3級脈沖發(fā)生器:
    • 最大輸出電壓:±100V
    • 最小輸出電壓:±1V
    • 最大輸出電流:1A
    • 真正歸零,將輸出放電到地
    • 5MHz時的二次諧波為–40dBc
    • –3 dB帶寬,400Ω ||125pF 負載
      • 22MHz,用于±100V電源
    • 極低的接收功率:0.1 mW/ch
  • 有源發(fā)送/接收 (T/R) 開關(guān),具有:
    • 導通電阻為26Ω
    • 開啟和關(guān)閉時間:100ns
    • 瞬態(tài)毛刺:10mVPP
  • 片上光束形成器具有:
    • 基于通道的 T/R 開關(guān)開啟和關(guān)閉控制
    • 延遲分辨率:半波束形成器時鐘周期,最小 2.5ns
    • 最大延遲:214波束形成器時鐘周期
    • 最束形成器時鐘速度:200MHz
    • 用于碼型和延遲配置文件的片上 RAM
    • 一個 512 × 32 存儲器,用于存儲一組 4 個通道的波束形成模式和延遲
    • 存在全局重復功能,可實現(xiàn)長持續(xù)時間模式
  • 高速(最大 400 MHz)、2 通道 LVDS 串行編程接口。
    • 編程時間短:延遲配置文件更新 ≈2.5 us
    • 32位校驗和,用于檢測錯誤的SPI寫入
  • 支持 CMOS 串行編程接口(最大 50 MHz)
  • 高可靠性特點:
    • 內(nèi)部溫度傳感器和自動熱關(guān)斷
    • 無特定的電源排序要求
    • 用于檢測故障情況的錯誤標志寄存器
    • 用于浮動電源和偏置電壓的集成無源器件
    • 小型封裝:FC-BGA-196(12 mm × 12 mm),間距為 0.8 mm

參數(shù)
image.png

TX7364 是德州儀器(TI)推出的 高度集成化 3 電平、64 通道發(fā)射器 ,核心優(yōu)勢為集成片上波束成形器、收發(fā)(T/R)開關(guān)及高壓脈沖發(fā)生器,專為超聲成像系統(tǒng)設計,同時適配壓電驅(qū)動器、探頭內(nèi)超聲成像等場景,具備高電壓輸出、低功耗、快速配置與高可靠性等特性,采用小型化封裝以滿足精密設備設計需求。

一、核心特性

1. 64 通道 3 電平脈沖發(fā)生器

  • 電壓與電流能力 :輸出電壓范圍 ±1V~±100V,最大輸出電流 1A,支持 True Return to Zero(真歸零)功能,可將輸出放電至接地,避免殘留電荷影響超聲換能器性能;
  • 動態(tài)性能 :5MHz 頻率下二次諧波抑制比達 - 40dBc,帶負載(400Ω 并聯(lián) 125pF)時 - 3dB 帶寬為 22MHz(±100V 供電),確保高頻信號傳輸保真度;
  • 接收功耗 :接收模式下每通道功耗僅 0.1mW,顯著降低系統(tǒng)整體功耗。

2. 集成有源 T/R 開關(guān)

  • 電氣性能 :導通電阻低至 26Ω,減少信號衰減;開關(guān)切換速度快(導通 / 關(guān)斷時間均為 100ns),支持高頻脈沖序列快速切換;
  • 信號完整性 :切換瞬態(tài)毛刺僅 10mVpp,避免毛刺干擾超聲信號采集,提升成像精度。

3. 片上波束成形器(TxBF)

  • 延遲控制 :延遲分辨率為波束成形器時鐘周期的一半(最小 2.5ns),最大延遲達214個時鐘周期,支持精細波束角度調(diào)整;
  • 時鐘與存儲 :波束成形器最高時鐘速度 200MHz,集成片上 RAM(512×32 位)存儲 4 通道一組的波束成形圖案與延遲參數(shù),支持全局重復功能,可生成長時間序列圖案;
  • 通道控制 :基于通道的 T/R 開關(guān)啟??刂?,適配多通道協(xié)同波束掃描。

4. 高速配置接口

  • LVDS 接口 :2 通道 LVDS 串行編程接口,最高速率 400MHz,延遲配置文件更新時間約 2.5μs,滿足實時波束調(diào)整需求;
  • CMOS 接口 :支持最高 50MHz CMOS 串行編程接口,兼容傳統(tǒng)低速配置場景;
  • 錯誤檢測 :32 位校驗和(Checksum)功能,可檢測 SPI 寫入錯誤,避免配置數(shù)據(jù)異常導致設備故障。

5. 高可靠性設計

  • 熱保護 :集成內(nèi)部溫度傳感器與自動熱關(guān)斷功能,溫度過高時自動切斷部分電路,防止器件損壞;
  • 電源靈活性 :無特定電源時序要求,簡化系統(tǒng)電源設計;
  • 故障監(jiān)測 :錯誤標志寄存器(Error Flag Register)可檢測故障狀態(tài)(如過溫、配置錯誤),便于系統(tǒng)診斷;
  • 集成無源元件 :片上集成浮動電源與偏置電壓所需的無源元件,減少外部高壓電源數(shù)量,降低 PCB 設計復雜度。

二、封裝與物理規(guī)格

1. 封裝參數(shù)

封裝類型引腳數(shù)封裝尺寸(標稱)引腳間距最大高度訂單型號示例
FC-BGA(倒裝芯片球柵陣列)19612.0mm×12.0mm0.8mm1.321mmTX7364ACP

2. 機械與焊接信息

  • 布局與鋼網(wǎng)設計 :推薦焊盤布局采用對稱設計, solder mask 開口尺寸與金屬焊盤匹配(示例中開口 0.4mm),鋼網(wǎng)厚度建議 0.125mm,激光切割梯形孔與圓角設計可提升焊膏釋放效果;
  • 散熱與可靠性 :底部裸露金屬區(qū)域需與 PCB 接地平面充分焊接,確保散熱效率;封裝符合 ASME Y14.5M 尺寸標準,機械公差適配精密裝配。

三、應用場景

TX7364 核心適配對多通道、高電壓、快速波束控制有需求的精密系統(tǒng),主要應用包括:

  1. 超聲成像系統(tǒng) :64 通道支持多探頭陣列,±100V 高壓脈沖可驅(qū)動超聲換能器,片上波束成形器實現(xiàn)快速波束掃描,提升成像分辨率與幀率;
  2. 壓電驅(qū)動器 :1A 大電流輸出可驅(qū)動高功率壓電元件,適配非破壞性檢測(NDT)、聲吶(SONAR)等場景;
  3. 探頭內(nèi)超聲成像 :小型化 12mm×12mm 封裝與低功耗特性,滿足探頭內(nèi)置電路設計空間與功耗限制;
  4. 其他高頻驅(qū)動場景 :如激光雷達(LIDAR)、海洋導航系統(tǒng)、腦部成像設備等,需高壓高頻脈沖驅(qū)動的精密儀器。

四、訂購信息與可靠性

1. 訂購型號參數(shù)(關(guān)鍵型號)

訂購型號狀態(tài)封裝類型引腳數(shù)包裝數(shù)量環(huán)保標準引腳 / 球鍍層濕度敏感等級(MSL)工作溫度范圍器件標識
TX7364ACP量產(chǎn)(ACTIVE)FC-BGA196189 顆(JEDEC 托盤)RoHS & Green(無銻 / 溴)SnAgCuLevel-3(260°C/168 小時)0°C~70°CTX7364
TX7364ACP.B量產(chǎn)(ACTIVE)FC-BGA196160 顆(JEDEC 托盤)RoHS & Green咨詢 TILevel-3(260°C/168 小時)0°C~70°C-

2. 可靠性特性

  • ESD 防護 :器件易受靜電放電(ESD)損壞,需遵循 TI 推薦的 ESD 防護操作流程(如使用防靜電包裝、接地工作臺);
  • 溫度適應性 :工作溫度 0°C~70°C,存儲溫度需遵循工業(yè)標準,避免高溫高濕環(huán)境導致器件性能退化;
  • 質(zhì)量認證 :量產(chǎn)型號通過 TI 嚴格的質(zhì)量測試,包括熱循環(huán)、濕度偏壓等可靠性驗證,確保長期穩(wěn)定工作。

五、設計與文檔支持

1. 設計資源

  • 硬件設計參考 :提供 PCB 布局示例(含焊盤、鋼網(wǎng)設計細節(jié)),推薦參考 TI 文檔《SPRAA99》獲取封裝布線與散熱設計指南;
  • 工具支持 :TI 提供評估板、代碼生成工具與設計方案,可通過 TI 官網(wǎng)產(chǎn)品文件夾獲取相關(guān)資源。

2. 文檔與支持

  • 術(shù)語定義 :關(guān)鍵術(shù)語說明(如 PRT = 脈沖重復時間、PRF = 脈沖重復頻率、HV = 高壓電源),便于理解技術(shù)參數(shù);
  • 更新通知 :通過 TI 官網(wǎng)產(chǎn)品頁面 “Notifications” 功能訂閱文檔更新,獲取最新修訂歷史與技術(shù)細節(jié);
  • 技術(shù)支持 :可通過 TI E2E?論壇獲取工程師專家解答,解決設計過程中的技術(shù)問題。

六、關(guān)鍵注意事項

  1. 電源設計 :高壓電源(AVDDP_HV/AVDDM_HV)與低壓電源(AVDDP_5/AVDDM_5/AVDDP_1P8)需獨立布線,避免高壓噪聲耦合至低壓電路;
  2. ESD 防護 :裝配與調(diào)試過程中必須采取 ESD 防護措施(如佩戴防靜電手環(huán)、使用防靜電工作臺),防止器件損壞;
  3. 散熱設計 :雖然器件集成熱關(guān)斷功能,但高功率工作時仍需通過 PCB 敷銅、散熱墊等方式增強散熱,避免頻繁觸發(fā)熱保護;
  4. 配置校驗 :使用 SPI 配置時需啟用 32 位校驗和功能,確保延遲參數(shù)、波束圖案等關(guān)鍵配置數(shù)據(jù)正確,避免波束成形錯誤。
聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
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