仁懋電子(MOT)推出的 MOT5N65C 是一款面向 650V 高壓高頻場景的 N 溝道增強型功率 MOSFET,憑借高開關(guān)速度、穩(wěn)定雪崩能力及 650V 耐壓特性,廣泛適用于高頻開關(guān)電源、電子鎮(zhèn)流器、LED 電源等領(lǐng)域。以下從品牌定位、器件特性、電氣參數(shù)等維度展開詳細說明。
一、品牌背景:仁懋電子(MOT)與高壓高頻功率半導體布局
仁懋電子(MOT)深耕高壓功率半導體器件研發(fā),在650V 級高頻 MOSFET 領(lǐng)域具備技術(shù)積累,產(chǎn)品以 “高耐壓、快開關(guān)、高魯棒性” 為核心優(yōu)勢,服務(wù)于高頻電源、照明電子、工業(yè)控制等場景。MOT5N65 系列作為其高壓高頻產(chǎn)品線的代表型號,針對 650V 高頻開關(guān)場景優(yōu)化了導通電阻與開關(guān)速度,在高頻轉(zhuǎn)換、感性負載驅(qū)動等場景中表現(xiàn)突出。
二、MOT5N65C 基本信息
MOT5N65C 為N 溝道增強型功率 MOSFET,核心定位 “650V 級高頻高效開關(guān)器件”,適配 650V 系統(tǒng)的功率控制需求(如高頻開關(guān)電源、電子鎮(zhèn)流器等)。其核心特性包括:
- 電壓適配:漏源極耐壓(VDS)達 650V,兼容高壓高頻供電系統(tǒng);
- 電流能力:25℃下連續(xù)漏極電流(ID)為 5A,脈沖漏極電流(IDpk)達 10A,滿足負載瞬間啟動與持續(xù)工作需求;
- 導通損耗:柵源電壓(VGS=10V)下導通電阻(RDS (on))典型值為 2.2Ω,在高壓高頻場景中平衡損耗與開關(guān)速度;
- 封裝形式:采用 TO-251 直插封裝,每管 70 片,適配傳統(tǒng)插裝式高壓電路設(shè)計;同時提供 TO-252 貼片封裝(對應(yīng)型號 MOT5N65D),2500 片 / 卷,滿足高密度電路板需求。
三、核心特性
MOT5N65C 圍繞 “高壓高頻高效開關(guān)” 需求打造,具備以下技術(shù)優(yōu)勢:
- 高開關(guān)速度:優(yōu)化芯片設(shè)計實現(xiàn)快速開關(guān)特性,適合高頻開關(guān)電源(如 LLC 拓撲)、電子鎮(zhèn)流器等對開關(guān)速度敏感的場景;
- 雪崩能量保障:單脈沖雪崩能量典型值 112mJ,在感性負載開關(guān)、異常過壓等場景下可靠性更高;
- 高 dv/dt 魯棒性:峰值反向恢復 dv/dt 典型值 32V/ns,適應(yīng)高頻高壓環(huán)境的嚴苛工作條件。
四、關(guān)鍵電氣參數(shù)(Tc=25℃,除非特殊說明)
1. 絕對最大額定值
- 漏源極電壓(VDS):最大值 650V,超過此值易導致器件擊穿;
- 柵源極電壓(VGS):±30V,柵極驅(qū)動需控制在該范圍以避免氧化層損壞;
- 連續(xù)漏極電流(ID):5A(Tc=25℃),隨結(jié)溫升高需降額使用;
- 脈沖漏極電流(IDpk):10A(脈沖寬度≤300μs,占空比≤2%),支持負載短時過載;
- 雪崩能量(EAS):單脈沖最大值 112mJ,應(yīng)對感性負載關(guān)斷時的能量沖擊;
- 峰值反向恢復 dv/dt:32V/ns,在高速開關(guān)場景中抑制電壓尖峰;
- 功耗(PD):54W(TO-251/TO-252 封裝,Tc=25℃),需搭配散熱措施保障長期可靠工作;
- 結(jié)溫范圍(TJ):-55~+150℃,存儲溫度范圍與結(jié)溫區(qū)間一致。
五、封裝與型號釋義
MOT5N65 系列通過后綴區(qū)分封裝類型,型號釋義如下:
- MOT5N65C:“MOT” 為品牌標識(仁懋電子),“5N” 代表 “5A 額定電流(N 溝道)”,“65” 代表 “650V 漏源耐壓”,“C” 為版本標識(TO-251 直插封裝,每管 70 片);
- MOT5N65D:后綴 “D” 對應(yīng) TO-252 貼片封裝,每卷 2500 片,適配高密度高頻電路板設(shè)計。
六、典型應(yīng)用場景
MOT5N65C 憑借 650V 耐壓與高開關(guān)速度特性,典型應(yīng)用包括:
- 高頻開關(guān)模式電源:適配 LLC、反激等高頻拓撲的 AC-DC/DC-DC 轉(zhuǎn)換器,在服務(wù)器電源、工業(yè)電源中實現(xiàn)高效能量轉(zhuǎn)換;
- 電子鎮(zhèn)流器:用于熒光燈、高壓氣體放電燈的鎮(zhèn)流器電路,通過高速開關(guān)實現(xiàn)燈光穩(wěn)定驅(qū)動;
- LED 電源:在高壓 LED 驅(qū)動電源中作為主開關(guān)管,兼顧耐壓與高頻開關(guān)需求。
七、信息來源
仁懋電子(MOT)官方產(chǎn)品手冊(注:上述參數(shù)基于手冊標注整理,實際應(yīng)用需以最新版手冊及器件批次測試數(shù)據(jù)為準。)
-
晶體管
+關(guān)注
關(guān)注
78文章
10111瀏覽量
145313 -
MOS
+關(guān)注
關(guān)注
32文章
1472瀏覽量
99283 -
仁懋電子
+關(guān)注
關(guān)注
0文章
102瀏覽量
396
發(fā)布評論請先 登錄
BRD4N60(CS4N60D)_N-CHANNEL_MOSFET_N溝道MOS晶體管
P溝道和N溝道MOSFET在開關(guān)電源中的應(yīng)用
開關(guān)電源設(shè)計之:P溝道和N溝道MOSFET比較
N溝道和P溝道MOSFET的區(qū)別是什么
CISSOID的N溝道功率MOSFET晶體管的性能特點及應(yīng)用范圍
N溝道增強型場效應(yīng)晶體管JHW10N60數(shù)據(jù)手冊
選型手冊:MOT65R380D 系列 N 溝道超級結(jié)功率 MOSFET 晶體管

選型手冊:MOT5N65C 系列 N 溝道功率 MOSFET 晶體管
評論