仁懋電子（MOT）推出的 MOT5N50C 是一款面向 500V 高壓高頻場(chǎng)景的 N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET，憑借 500V 耐壓、快速開(kāi)關(guān)特性及穩(wěn)定雪崩能力，廣泛適用于高頻開(kāi)關(guān)電源、電子鎮(zhèn)流器、LED 電源等領(lǐng)域。以下從品牌定位、器件特性、電氣參數(shù)等維度展開(kāi)詳細(xì)說(shuō)明。

一、品牌背景：仁懋電子（MOT）與高壓高頻功率半導(dǎo)體布局

仁懋電子（MOT）深耕高壓功率半導(dǎo)體器件研發(fā)，在500V 級(jí)高頻 MOSFET 領(lǐng)域具備技術(shù)積累，產(chǎn)品以 “高耐壓、快開(kāi)關(guān)、高魯棒性” 為核心優(yōu)勢(shì)，服務(wù)于高頻電源、照明電子、工業(yè)控制等場(chǎng)景。MOT5N50C 系列作為其高壓高頻產(chǎn)品線的代表型號(hào)，針對(duì) 500V 高頻開(kāi)關(guān)場(chǎng)景優(yōu)化了導(dǎo)通電阻與開(kāi)關(guān)速度，在高頻轉(zhuǎn)換、感性負(fù)載驅(qū)動(dòng)等場(chǎng)景中表現(xiàn)突出。

二、MOT5N50C 基本信息

MOT5N50C 為N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET，核心定位 “500V 級(jí)高頻高效開(kāi)關(guān)器件”，適配 500V 系統(tǒng)的功率控制需求（如高頻開(kāi)關(guān)電源、電子鎮(zhèn)流器等）。其核心特性包括：

• 電壓適配：漏源極耐壓（VDS）達(dá) 500V，兼容高壓高頻供電系統(tǒng)；
• 電流能力：25℃下連續(xù)漏極電流（ID）為 5A，脈沖漏極電流（IDpk）達(dá) 10A，滿足負(fù)載瞬間啟動(dòng)與持續(xù)工作需求；
• 導(dǎo)通損耗：柵源電壓（VGS=10V）下導(dǎo)通電阻（RDS (on)）典型值為 1.2Ω，在高壓高頻場(chǎng)景中平衡損耗與開(kāi)關(guān)速度；
• 封裝形式：采用 TO-252 貼片封裝，無(wú)鹵版本每卷 2500 片，適配高密度高頻電路板設(shè)計(jì)；同時(shí)提供 TO-251 直插封裝（對(duì)應(yīng)型號(hào) MOT5N50D），滿足不同工藝需求。

三、核心特性

MOT5N50C 圍繞 “高壓高頻高效開(kāi)關(guān)” 需求打造，具備以下技術(shù)優(yōu)勢(shì)：

• 快速開(kāi)關(guān)能力：優(yōu)化芯片設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)快開(kāi)關(guān)特性，適合高頻開(kāi)關(guān)電源（如 LLC 拓?fù)洌?、電子?zhèn)流器等對(duì)開(kāi)關(guān)速度敏感的場(chǎng)景；
• 雪崩能量保障：通過(guò)雪崩能量測(cè)試（單脈沖雪崩能量典型值 4.5mJ），在感性負(fù)載開(kāi)關(guān)、異常過(guò)壓等場(chǎng)景下可靠性更高；
• 高 dv/dt 魯棒性：強(qiáng)化 dv/dt 耐受能力（峰值反向恢復(fù) dv/dt 典型值 650V/μs），適應(yīng)高頻高壓環(huán)境的嚴(yán)苛工作條件；
• 環(huán)保與合規(guī)性：無(wú)鹵版本符合綠色電子制造要求，適配 RoHS 合規(guī)的生產(chǎn)場(chǎng)景。

四、關(guān)鍵電氣參數(shù)（Tc=25℃，除非特殊說(shuō)明）

1. 絕對(duì)最大額定值

• 漏源極電壓（VDS）：最大值 500V，超過(guò)此值易導(dǎo)致器件擊穿；
• 柵源極電壓（VGS）：±30V，柵極驅(qū)動(dòng)需控制在該范圍內(nèi)以避免柵極氧化層損壞；
• 連續(xù)漏極電流（ID）：5A（Tc=25℃），隨結(jié)溫升高需降額使用；
• 脈沖漏極電流（IDpk）：10A（脈沖寬度≤300μs，占空比≤2%），支持負(fù)載短時(shí)過(guò)載；
• 功耗（PD）：150W（Tc=25℃），需搭配散熱措施保障長(zhǎng)期可靠工作；
• 結(jié)溫范圍（TJ）：-55~+150℃，存儲(chǔ)溫度范圍與結(jié)溫區(qū)間一致；
• 單脈沖雪崩能量（EAS）：4.5mJ，應(yīng)對(duì)感性負(fù)載關(guān)斷時(shí)的能量沖擊；
• 峰值反向恢復(fù) dv/dt：650V/μs，在高速開(kāi)關(guān)場(chǎng)景中抑制電壓尖峰。

五、封裝與型號(hào)釋義

MOT5N50C 的型號(hào)與封裝對(duì)應(yīng)關(guān)系如下：

• MOT5N50C：“MOT” 為品牌標(biāo)識(shí)（仁懋電子），“5N” 代表 “5A 額定電流（N 溝道）”，“50” 代表 “500V 漏源耐壓”，“C” 為版本標(biāo)識(shí)（貼片封裝 TO-252，無(wú)鹵工藝）；
• MOT5N50D：后綴 “D” 對(duì)應(yīng) TO-251 直插封裝，每管 70 片，適配傳統(tǒng)插裝式高壓電路設(shè)計(jì)。

其貼片封裝 TO-252 為表面貼裝形式，無(wú)鹵版本每卷 2500 片，滿足規(guī)?；a(chǎn)的高密度組裝需求。

六、典型應(yīng)用場(chǎng)景

MOT5N50C 憑借 500V 耐壓與快速開(kāi)關(guān)特性，典型應(yīng)用包括：

• 高頻開(kāi)關(guān)模式電源：適配 LLC、反激等高頻拓?fù)涞?AC-DC/DC-DC 轉(zhuǎn)換器，在服務(wù)器電源、工業(yè)電源中實(shí)現(xiàn)高效能量轉(zhuǎn)換；
• 電子鎮(zhèn)流器：用于熒光燈、高壓氣體放電燈的鎮(zhèn)流器電路，通過(guò)高速開(kāi)關(guān)實(shí)現(xiàn)燈光穩(wěn)定驅(qū)動(dòng)；
• LED 電源：在高壓 LED 驅(qū)動(dòng)電源中作為主開(kāi)關(guān)管，兼顧耐壓與高頻開(kāi)關(guān)需求；
• 高壓負(fù)載控制：如高壓繼電器替代、高壓電磁閥驅(qū)動(dòng)等場(chǎng)景，利用其高耐壓特性簡(jiǎn)化電路設(shè)計(jì)。

七、信息來(lái)源

仁懋電子（MOT）官方產(chǎn)品手冊(cè)（注：上述參數(shù)基于手冊(cè)標(biāo)注整理，實(shí)際應(yīng)用需以最新版手冊(cè)及器件批次測(cè)試數(shù)據(jù)為準(zhǔn)。）