仁懋電子（MOT）推出的MOT4N65D是一款面向 650V 高壓高頻場(chǎng)景的 N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET，憑借高開(kāi)關(guān)速度、穩(wěn)定雪崩能力及 650V 耐壓特性，廣泛適用于高頻開(kāi)關(guān)電源、電子鎮(zhèn)流器、LED 電源等領(lǐng)域。以下從品牌定位、器件特性、電氣參數(shù)等維度展開(kāi)詳細(xì)說(shuō)明。

一、品牌背景：仁懋電子（MOT）與高壓高頻功率半導(dǎo)體布局

仁懋電子（MOT）深耕高壓功率半導(dǎo)體器件研發(fā)，在650V 級(jí)高頻 MOSFET 領(lǐng)域具備技術(shù)積累，產(chǎn)品以 “高耐壓、快開(kāi)關(guān)、高魯棒性” 為核心優(yōu)勢(shì)，服務(wù)于高頻電源、照明電子、工業(yè)控制等場(chǎng)景。MOT4N65 系列作為其高壓高頻產(chǎn)品線(xiàn)的代表型號(hào)，針對(duì) 650V 高頻開(kāi)關(guān)場(chǎng)景優(yōu)化了導(dǎo)通電阻與開(kāi)關(guān)速度，在高頻轉(zhuǎn)換、感性負(fù)載驅(qū)動(dòng)等場(chǎng)景中表現(xiàn)突出。

二、MOT4N65D 基本信息

MOT4N65D 為N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET，核心定位 “650V 級(jí)高頻高效開(kāi)關(guān)器件”，適配 650V 系統(tǒng)的功率控制需求（如高頻開(kāi)關(guān)電源、電子鎮(zhèn)流器等）。其核心特性包括：

電壓適配：漏源極耐壓（VDS）達(dá)650V，兼容高壓高頻供電系統(tǒng)；

電流能力：25℃下連續(xù)漏極電流（ID）為4A，脈沖漏極電流（IDpk）達(dá)16A，滿(mǎn)足負(fù)載瞬間啟動(dòng)與持續(xù)工作需求；

導(dǎo)通損耗：柵源電壓（VGS=10V）下導(dǎo)通電阻（RDS (on)）典型值為2.4Ω，在高壓高頻場(chǎng)景中平衡損耗與開(kāi)關(guān)速度；

封裝形式：采用TO-252 貼片封裝，每卷 2500 片，適配高密度電路板的高頻設(shè)計(jì)需求；同時(shí)提供 TO-251 直插封裝（對(duì)應(yīng)型號(hào) MOT4N65C，70 片 / 管），滿(mǎn)足傳統(tǒng)插裝需求。

三、核心特性

MOT4N65D 圍繞 “高壓高頻高效開(kāi)關(guān)” 需求打造，具備以下技術(shù)優(yōu)勢(shì)：

快速開(kāi)關(guān)能力：優(yōu)化芯片設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)快速開(kāi)關(guān)特性，適合高頻開(kāi)關(guān)電源（如 LLC 拓?fù)洌?、電子?zhèn)流器等對(duì)開(kāi)關(guān)速度敏感的場(chǎng)景；

雪崩能量保障：?jiǎn)蚊}沖雪崩能量典型值 200mJ，在感性負(fù)載開(kāi)關(guān)、異常過(guò)壓等場(chǎng)景下可靠性更高；

高 dv/dt 魯棒性：峰值反向恢復(fù) dv/dt 典型值 5.0V/ns，適應(yīng)高頻高壓環(huán)境的嚴(yán)苛工作條件。

四、關(guān)鍵電氣參數(shù)（Tc=25℃，除非特殊說(shuō)明）

1. 絕對(duì)最大額定值

漏源極電壓（VDS）：最大值650V，超過(guò)此值易導(dǎo)致器件擊穿；

柵源極電壓（VGS）：±30V，柵極驅(qū)動(dòng)需控制在該范圍以避免氧化層損壞；

連續(xù)漏極電流（ID）：4A（Tc=25℃），隨結(jié)溫升高需降額使用；

脈沖漏極電流（IDpk）：16A（脈沖寬度≤300μs，占空比≤2%），支持負(fù)載短時(shí)過(guò)載；

雪崩能量（EAS）：?jiǎn)蚊}沖最大值200mJ，應(yīng)對(duì)感性負(fù)載關(guān)斷時(shí)的能量沖擊；

峰值反向恢復(fù) dv/dt：5.0V/ns，在高速開(kāi)關(guān)場(chǎng)景中抑制電壓尖峰；

功耗（PD）：50W（TO-252/TO-251 封裝，Tc=25℃），需搭配散熱措施保障長(zhǎng)期可靠工作；

結(jié)溫范圍（TJ）：-55~+150℃，存儲(chǔ)溫度范圍與結(jié)溫區(qū)間一致。

五、封裝與型號(hào)釋義

MOT4N65 系列通過(guò)后綴區(qū)分封裝類(lèi)型，型號(hào)釋義如下：

MOT4N65D：“MOT” 為品牌標(biāo)識(shí)（仁懋電子），“4N” 代表 “4A 額定電流（N 溝道）”，“65” 代表 “650V 漏源耐壓”，“D” 為版本標(biāo)識(shí)（TO-252 貼片封裝，2500 片 / 卷）；

MOT4N65C：后綴 “C” 對(duì)應(yīng) TO-251 直插封裝，每管 70 片，適配傳統(tǒng)插裝式高壓電路設(shè)計(jì)。

六、典型應(yīng)用場(chǎng)景

MOT4N65D 憑借 650V 耐壓與高開(kāi)關(guān)速度特性，典型應(yīng)用包括：

高頻開(kāi)關(guān)模式電源：適配 LLC、反激等高頻拓?fù)涞?AC-DC/DC-DC 轉(zhuǎn)換器，在服務(wù)器電源、工業(yè)電源中實(shí)現(xiàn)高效能量轉(zhuǎn)換；

電子鎮(zhèn)流器：用于熒光燈、高壓氣體放電燈的鎮(zhèn)流器電路，通過(guò)高速開(kāi)關(guān)實(shí)現(xiàn)燈光穩(wěn)定驅(qū)動(dòng)；

LED 電源：在高壓 LED 驅(qū)動(dòng)電源中作為主開(kāi)關(guān)管，兼顧耐壓與高頻開(kāi)關(guān)需求。

七、信息來(lái)源

仁懋電子（MOT）官方產(chǎn)品手冊(cè)（注：上述參數(shù)基于手冊(cè)標(biāo)注整理，實(shí)際應(yīng)用需以最新版手冊(cè)及器件批次測(cè)試數(shù)據(jù)為準(zhǔn)。）