仁懋電子（MOT）推出的MOT65R600F是一款基于超級(jí)結(jié)技術(shù)的 N 溝道功率 MOSFET，憑借 650V 耐壓、低導(dǎo)通損耗及高魯棒性，廣泛適用于功率因數(shù)校正（PFC）、開關(guān)模式電源（SMPS）、不間斷電源（UPS）等高壓功率轉(zhuǎn)換場(chǎng)景。以下從器件特性、電氣參數(shù)、應(yīng)用場(chǎng)景等維度展開說明。

一、產(chǎn)品基本信息

MOT65R600F 為N 溝道超級(jí)結(jié)功率 MOSFET，核心參數(shù)表現(xiàn)為：

• 漏源極耐壓（\(V_{DSS}\)）：650V，適配高壓功率轉(zhuǎn)換場(chǎng)景；
• 導(dǎo)通電阻（\(R_{DS(on)}\)，\(V_{GS}=10V\)）：典型值0.54Ω，高壓場(chǎng)景下有效降低導(dǎo)通損耗；
• 連續(xù)漏極電流（\(I_D\)）：7.3A（\(T_c=25^\circ\text{C}\)），滿足負(fù)載持續(xù)工作的電流需求；
• 柵極電荷（\(Q_g\)）：典型值13.8nC，降低驅(qū)動(dòng)電路功耗，提升開關(guān)頻率適配性。

二、核心特性

• 超級(jí)結(jié)架構(gòu)：通過垂直結(jié)構(gòu)優(yōu)化，實(shí)現(xiàn)高耐壓與低導(dǎo)通電阻的平衡，650V 耐壓下\(R_{DS(on)}\)僅 0.54Ω，顯著降低高壓轉(zhuǎn)換損耗；
• 低柵極電荷：13.8nC 的柵極電荷特性，減少驅(qū)動(dòng)功耗，支持高頻開關(guān)應(yīng)用（如 PFC 拓?fù)涞母哳l切換）；
• 高魯棒性設(shè)計(jì)：?jiǎn)蚊}沖雪崩能量達(dá) 144mJ，dv/dt 耐受能力 50V/ns，在感性負(fù)載開關(guān)、異常過壓工況下可靠性強(qiáng)；
• 環(huán)保合規(guī)性：符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)，適配綠色電子制造要求。

三、關(guān)鍵電氣參數(shù)（\(T_c=25^\circ\text{C}\)，除非特殊說明）

• 柵源極電壓（\(V_{GS}\)）：最大值 ±30V，柵極驅(qū)動(dòng)需控制在該范圍以避免氧化層損壞；
• 脈沖漏極電流（\(I_{DM}\)，脈沖寬度≤10ms）：21.9A，支持負(fù)載短時(shí)過載需求；
• 功耗（\(P_D\)）：125W，實(shí)際應(yīng)用需搭配散熱措施（如散熱片）保障長(zhǎng)期可靠工作；
• 結(jié)溫范圍（\(T_J\)）：-55~+150℃，存儲(chǔ)溫度范圍與結(jié)溫區(qū)間一致；
• 熱特性：結(jié)殼熱阻（\(R_{JC}\)）5℃/W，結(jié)環(huán)境熱阻（\(R_{JA}\)）75℃/W，需結(jié)合 PCB 散熱設(shè)計(jì)優(yōu)化結(jié)溫。

四、封裝與應(yīng)用場(chǎng)景

• 封裝形式：采用TO-220F 直插封裝，包裝規(guī)格為 50 片 / 管，適配傳統(tǒng)插裝式高壓電路設(shè)計(jì)；
• 典型應(yīng)用：
  • 功率因數(shù)校正（PFC）：在 AC-DC 轉(zhuǎn)換器的 PFC 前端電路中作為主開關(guān)管，提升電網(wǎng)功率因數(shù)與電源效率；
  • 開關(guān)模式電源（SMPS）：適配反激、正激等拓?fù)涞母邏?a target="_blank">開關(guān)電源，如工業(yè)電源、服務(wù)器電源；
  • 不間斷電源（UPS）：在 UPS 系統(tǒng)的功率轉(zhuǎn)換回路中，實(shí)現(xiàn)市電與電池供電的高效切換。

五、信息來源

仁懋電子（MOT）官方產(chǎn)品手冊(cè)（注：以上參數(shù)基于手冊(cè)標(biāo)注整理，實(shí)際應(yīng)用需以最新版手冊(cè)及器件批次測(cè)試數(shù)據(jù)為準(zhǔn)。）