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選型手冊:MOT65R600F 系列 N 溝道超級結(jié)功率 MOSFET 晶體管

深圳市首質(zhì)誠科技有限公司 ? 2025-10-31 17:28 ? 次閱讀
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仁懋電子(MOT)推出的MOT65R600F是一款基于超級結(jié)技術(shù)的 N 溝道功率 MOSFET,憑借 650V 耐壓、低導(dǎo)通損耗及高魯棒性,廣泛適用于功率因數(shù)校正(PFC)、開關(guān)模式電源(SMPS)、不間斷電源(UPS)等高壓功率轉(zhuǎn)換場景。以下從器件特性、電氣參數(shù)、應(yīng)用場景等維度展開說明。

一、產(chǎn)品基本信息

MOT65R600F 為N 溝道超級結(jié)功率 MOSFET,核心參數(shù)表現(xiàn)為:

  • 漏源極耐壓(\(V_{DSS}\)):650V,適配高壓功率轉(zhuǎn)換場景;
  • 導(dǎo)通電阻(\(R_{DS(on)}\),\(V_{GS}=10V\)):典型值0.54Ω,高壓場景下有效降低導(dǎo)通損耗;
  • 連續(xù)漏極電流(\(I_D\)):7.3A(\(T_c=25^\circ\text{C}\)),滿足負(fù)載持續(xù)工作的電流需求;
  • 柵極電荷(\(Q_g\)):典型值13.8nC,降低驅(qū)動電路功耗,提升開關(guān)頻率適配性。

二、核心特性

  • 超級結(jié)架構(gòu):通過垂直結(jié)構(gòu)優(yōu)化,實(shí)現(xiàn)高耐壓與低導(dǎo)通電阻的平衡,650V 耐壓下\(R_{DS(on)}\)僅 0.54Ω,顯著降低高壓轉(zhuǎn)換損耗;
  • 低柵極電荷:13.8nC 的柵極電荷特性,減少驅(qū)動功耗,支持高頻開關(guān)應(yīng)用(如 PFC 拓?fù)涞母哳l切換);
  • 高魯棒性設(shè)計:單脈沖雪崩能量達(dá) 144mJ,dv/dt 耐受能力 50V/ns,在感性負(fù)載開關(guān)、異常過壓工況下可靠性強(qiáng);
  • 環(huán)保合規(guī)性:符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn),適配綠色電子制造要求。

三、關(guān)鍵電氣參數(shù)(\(T_c=25^\circ\text{C}\),除非特殊說明)

  • 柵源極電壓(\(V_{GS}\)):最大值 ±30V,柵極驅(qū)動需控制在該范圍以避免氧化層損壞;
  • 脈沖漏極電流(\(I_{DM}\),脈沖寬度≤10ms):21.9A,支持負(fù)載短時過載需求;
  • 功耗(\(P_D\)):125W,實(shí)際應(yīng)用需搭配散熱措施(如散熱片)保障長期可靠工作;
  • 結(jié)溫范圍(\(T_J\)):-55~+150℃,存儲溫度范圍與結(jié)溫區(qū)間一致;
  • 熱特性:結(jié)殼熱阻(\(R_{JC}\))5℃/W,結(jié)環(huán)境熱阻(\(R_{JA}\))75℃/W,需結(jié)合 PCB 散熱設(shè)計優(yōu)化結(jié)溫。

四、封裝與應(yīng)用場景

  • 封裝形式:采用TO-220F 直插封裝,包裝規(guī)格為 50 片 / 管,適配傳統(tǒng)插裝式高壓電路設(shè)計;
  • 典型應(yīng)用
    • 功率因數(shù)校正(PFC):在 AC-DC 轉(zhuǎn)換器的 PFC 前端電路中作為主開關(guān)管,提升電網(wǎng)功率因數(shù)與電源效率;
    • 開關(guān)模式電源(SMPS):適配反激、正激等拓?fù)涞母邏?a target="_blank">開關(guān)電源,如工業(yè)電源、服務(wù)器電源;
    • 不間斷電源(UPS):在 UPS 系統(tǒng)的功率轉(zhuǎn)換回路中,實(shí)現(xiàn)市電與電池供電的高效切換。

五、信息來源

仁懋電子(MOT)官方產(chǎn)品手冊(注:以上參數(shù)基于手冊標(biāo)注整理,實(shí)際應(yīng)用需以最新版手冊及器件批次測試數(shù)據(jù)為準(zhǔn)。)

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