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選型手冊:MOT70R280D N 溝道超級結(jié)功率 MOSFET 晶體管

深圳市首質(zhì)誠科技有限公司 ? 2025-11-07 10:54 ? 次閱讀
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仁懋電子(MOT)推出的MOT70R280D是一款 N 溝道超級結(jié)功率 MOSFET,憑借 700V 耐壓、超低導(dǎo)通電阻及高頻開關(guān)特性,適用于功率因數(shù)校正、開關(guān)模式電源、不間斷電源等領(lǐng)域。

一、產(chǎn)品基本信息

  • 器件類型:N 溝道超級結(jié)功率 MOSFET
  • 核心參數(shù)
    • 漏源極耐壓(\(V_{DSS}\)):700V,適配高壓功率轉(zhuǎn)換場景;
    • 導(dǎo)通電阻(\(R_{DS(on)}\),\(V_{GS}=10V\)):典型值0.28Ω,高壓場景下導(dǎo)通損耗極低;
    • 柵極電荷(\(Q_g\)):典型值27nC,降低驅(qū)動電路功耗,提升開關(guān)頻率適配性;
    • 連續(xù)漏極電流(\(I_D\)):15A(\(T_c=25^\circ\text{C}\)),脈沖漏極電流(\(I_{DM}\))達38A,滿足負載瞬時功率需求。

二、核心特性

  • 超低導(dǎo)通電阻與柵極電荷:0.28Ω 導(dǎo)通電阻與 27nC 柵極電荷的組合,大幅降低導(dǎo)通損耗與開關(guān)損耗,適配高頻功率轉(zhuǎn)換(如 PFC 拓撲、SMPS 拓撲);
  • 100% UIS 測試驗證:通過單向雪崩耐量(UIS)測試,單脈沖雪崩能量達280mJ,在感性負載開關(guān)、異常過壓工況下可靠性強;
  • 高 dv/dt 魯棒性:峰值反向恢復(fù) dv/dt 達50V/ns,適應(yīng)高壓高頻環(huán)境的嚴苛工作條件;
  • RoHS 合規(guī):采用無鉛工藝,符合環(huán)保制造要求,適配綠色電子產(chǎn)業(yè)需求。

三、關(guān)鍵電氣參數(shù)(\(T_c=25^\circ\text{C}\),除非特殊說明)

  • 柵源極電壓(\(V_{GS}\)):最大值 ±30V,柵極驅(qū)動需控制在該范圍以避免氧化層損壞;
  • 功耗(\(P_D\)):104W,實際應(yīng)用需搭配散熱措施(如 PCB 敷銅、散熱焊盤)保障長期可靠工作;
  • 雪崩電流(\(I_{AR}\)):24A;
  • 結(jié)溫范圍(\(T_J\)):-55~+150℃,存儲溫度范圍與結(jié)溫區(qū)間一致;
  • 熱阻(\(R_{thJA}\)):62℃/W,需通過封裝與 PCB 設(shè)計優(yōu)化熱管理。

四、封裝與應(yīng)用場景

  • 封裝形式
    • TO-251 直插封裝,包裝規(guī)格 70 片 / 管,適配傳統(tǒng)插裝式高壓電路設(shè)計;
    • TO-252 貼片封裝,包裝規(guī)格 2500 片 / 卷,滿足高密度電路板的高頻設(shè)計需求;
  • 典型應(yīng)用
    • 功率因數(shù)校正(PFC):在 AC-DC 電源的 PFC 拓撲中作為主開關(guān)管,超低損耗特性提升功率因數(shù)與能量轉(zhuǎn)換效率;
    • 開關(guān)模式電源(SMPS):適配反激、LLC 等高頻拓撲,實現(xiàn) 700V 級高壓功率轉(zhuǎn)換;
    • 不間斷電源(UPS):在 UPS 系統(tǒng)的功率回路中,兼顧高壓耐壓與大電流承載需求,保障供電穩(wěn)定性。

五、信息來源

仁懋電子(MOT)官方產(chǎn)品手冊(注:以上參數(shù)基于手冊標注整理,實際應(yīng)用需以最新版手冊及器件批次測試數(shù)據(jù)為準。)

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