仁懋電子(MOT)推出的MOT70R280D是一款 N 溝道超級結(jié)功率 MOSFET,憑借 700V 耐壓、超低導(dǎo)通電阻及高頻開關(guān)特性,適用于功率因數(shù)校正、開關(guān)模式電源、不間斷電源等領(lǐng)域。
一、產(chǎn)品基本信息
- 器件類型:N 溝道超級結(jié)功率 MOSFET
- 核心參數(shù):
二、核心特性
- 超低導(dǎo)通電阻與柵極電荷:0.28Ω 導(dǎo)通電阻與 27nC 柵極電荷的組合,大幅降低導(dǎo)通損耗與開關(guān)損耗,適配高頻功率轉(zhuǎn)換(如 PFC 拓撲、SMPS 拓撲);
- 100% UIS 測試驗證:通過單向雪崩耐量(UIS)測試,單脈沖雪崩能量達280mJ,在感性負載開關(guān)、異常過壓工況下可靠性強;
- 高 dv/dt 魯棒性:峰值反向恢復(fù) dv/dt 達50V/ns,適應(yīng)高壓高頻環(huán)境的嚴苛工作條件;
- RoHS 合規(guī):采用無鉛工藝,符合環(huán)保制造要求,適配綠色電子產(chǎn)業(yè)需求。
三、關(guān)鍵電氣參數(shù)(\(T_c=25^\circ\text{C}\),除非特殊說明)
- 柵源極電壓(\(V_{GS}\)):最大值 ±30V,柵極驅(qū)動需控制在該范圍以避免氧化層損壞;
- 功耗(\(P_D\)):104W,實際應(yīng)用需搭配散熱措施(如 PCB 敷銅、散熱焊盤)保障長期可靠工作;
- 雪崩電流(\(I_{AR}\)):24A;
- 結(jié)溫范圍(\(T_J\)):-55~+150℃,存儲溫度范圍與結(jié)溫區(qū)間一致;
- 熱阻(\(R_{thJA}\)):62℃/W,需通過封裝與 PCB 設(shè)計優(yōu)化熱管理。
四、封裝與應(yīng)用場景
- 封裝形式:
- TO-251 直插封裝,包裝規(guī)格 70 片 / 管,適配傳統(tǒng)插裝式高壓電路設(shè)計;
- TO-252 貼片封裝,包裝規(guī)格 2500 片 / 卷,滿足高密度電路板的高頻設(shè)計需求;
- 典型應(yīng)用:
五、信息來源
仁懋電子(MOT)官方產(chǎn)品手冊(注:以上參數(shù)基于手冊標注整理,實際應(yīng)用需以最新版手冊及器件批次測試數(shù)據(jù)為準。)
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