仁懋電子（MOT）推出的MOT70R280D是一款 N 溝道超級(jí)結(jié)功率 MOSFET，憑借 700V 耐壓、超低導(dǎo)通電阻及高頻開(kāi)關(guān)特性，適用于功率因數(shù)校正、開(kāi)關(guān)模式電源、不間斷電源等領(lǐng)域。

一、產(chǎn)品基本信息

• 器件類(lèi)型：N 溝道超級(jí)結(jié)功率 MOSFET
• 核心參數(shù)：
  • 漏源極耐壓（\(V_{DSS}\)）：700V，適配高壓功率轉(zhuǎn)換場(chǎng)景；
  • 導(dǎo)通電阻（\(R_{DS(on)}\)，\(V_{GS}=10V\)）：典型值0.28Ω，高壓場(chǎng)景下導(dǎo)通損耗極低；
  • 柵極電荷（\(Q_g\)）：典型值27nC，降低驅(qū)動(dòng)電路功耗，提升開(kāi)關(guān)頻率適配性；
  • 連續(xù)漏極電流（\(I_D\)）：15A（\(T_c=25^\circ\text{C}\)），脈沖漏極電流（\(I_{DM}\)）達(dá)38A，滿(mǎn)足負(fù)載瞬時(shí)功率需求。

二、核心特性

• 超低導(dǎo)通電阻與柵極電荷：0.28Ω 導(dǎo)通電阻與 27nC 柵極電荷的組合，大幅降低導(dǎo)通損耗與開(kāi)關(guān)損耗，適配高頻功率轉(zhuǎn)換（如 PFC 拓?fù)洹MPS 拓?fù)洌?/li>
• 100% UIS 測(cè)試驗(yàn)證：通過(guò)單向雪崩耐量（UIS）測(cè)試，單脈沖雪崩能量達(dá)280mJ，在感性負(fù)載開(kāi)關(guān)、異常過(guò)壓工況下可靠性強(qiáng)；
• 高 dv/dt 魯棒性：峰值反向恢復(fù) dv/dt 達(dá)50V/ns，適應(yīng)高壓高頻環(huán)境的嚴(yán)苛工作條件；
• RoHS 合規(guī)：采用無(wú)鉛工藝，符合環(huán)保制造要求，適配綠色電子產(chǎn)業(yè)需求。

三、關(guān)鍵電氣參數(shù)（\(T_c=25^\circ\text{C}\)，除非特殊說(shuō)明）

• 柵源極電壓（\(V_{GS}\)）：最大值 ±30V，柵極驅(qū)動(dòng)需控制在該范圍以避免氧化層損壞；
• 功耗（\(P_D\)）：104W，實(shí)際應(yīng)用需搭配散熱措施（如 PCB 敷銅、散熱焊盤(pán)）保障長(zhǎng)期可靠工作；
• 雪崩電流（\(I_{AR}\)）：24A；
• 結(jié)溫范圍（\(T_J\)）：-55~+150℃，存儲(chǔ)溫度范圍與結(jié)溫區(qū)間一致；
• 熱阻（\(R_{thJA}\)）：62℃/W，需通過(guò)封裝與 PCB 設(shè)計(jì)優(yōu)化熱管理。

四、封裝與應(yīng)用場(chǎng)景

• 封裝形式：
  • TO-251 直插封裝，包裝規(guī)格 70 片 / 管，適配傳統(tǒng)插裝式高壓電路設(shè)計(jì)；
  • TO-252 貼片封裝，包裝規(guī)格 2500 片 / 卷，滿(mǎn)足高密度電路板的高頻設(shè)計(jì)需求；
• 典型應(yīng)用：
  • 功率因數(shù)校正（PFC）：在 AC-DC 電源的 PFC 拓?fù)渲凶鳛橹鏖_(kāi)關(guān)管，超低損耗特性提升功率因數(shù)與能量轉(zhuǎn)換效率；
  • 開(kāi)關(guān)模式電源（SMPS）：適配反激、LLC 等高頻拓?fù)?，?shí)現(xiàn) 700V 級(jí)高壓功率轉(zhuǎn)換；
  • 不間斷電源（UPS）：在 UPS 系統(tǒng)的功率回路中，兼顧高壓耐壓與大電流承載需求，保障供電穩(wěn)定性。

五、信息來(lái)源

仁懋電子（MOT）官方產(chǎn)品手冊(cè)（注：以上參數(shù)基于手冊(cè)標(biāo)注整理，實(shí)際應(yīng)用需以最新版手冊(cè)及器件批次測(cè)試數(shù)據(jù)為準(zhǔn)。）