仁懋電子（MOT）推出的MOT70R380D是一款 N 溝道超級結(jié)功率 MOSFET，憑借 700V 耐壓、低導(dǎo)通電阻及高頻開關(guān)特性，適用于功率因數(shù)校正（PFC）、電源功率級、適配器、電機控制、DC-DC 轉(zhuǎn)換器等領(lǐng)域。

一、產(chǎn)品基本信息

• 器件類型：N 溝道超級結(jié)功率 MOSFET
• 核心參數(shù)：
  • 漏源極耐壓（\(V_{DSS}\)）：700V，適配高壓功率轉(zhuǎn)換場景；
  • 導(dǎo)通電阻（\(R_{DS(on)}\)，\(V_{GS}=10V\)）：典型值0.38Ω，高壓場景下平衡導(dǎo)通損耗與開關(guān)性能；
  • 連續(xù)漏極電流（\(I_D\)）：11A（\(T_c=25^\circ\text{C}\)），脈沖漏極電流（\(I_{DM}\)）達33A（\(T_c=100^\circ\text{C}\)），滿足負載瞬時功率需求。

二、核心特性

• 高速開關(guān)與低功耗：通過高開關(guān)速度設(shè)計降低導(dǎo)通與開關(guān)損耗，適配高頻功率轉(zhuǎn)換場景（如 PFC 拓撲、DC-DC 轉(zhuǎn)換）；
• 100% 雪崩測試驗證：單脈沖雪崩能量（\(E_{AS}\)）達263mJ，在感性負載開關(guān)、異常過壓工況下可靠性強；
• 環(huán)保無鹵封裝：采用無鉛鍍層、無鹵工藝，符合 RoHS 標準，適配綠色電子制造需求。

三、關(guān)鍵電氣參數(shù)（\(T_c=25^\circ\text{C}\)，除非特殊說明）

• 柵源極電壓（\(V_{GS}\)）：最大值 ±30V，柵極驅(qū)動需控制在該范圍以避免氧化層損壞；
• 功耗（\(P_D\)）：78W，實際應(yīng)用需搭配散熱措施（如 PCB 敷銅、散熱焊盤）保障長期可靠工作；
• 熱特性：結(jié)到環(huán)境熱阻（\(R_{thJA}\)）62.5℃/W，結(jié)到外殼熱阻（\(R_{thJC}\)）1.64℃/W，需通過封裝與 PCB 設(shè)計優(yōu)化熱管理；
• 結(jié)溫范圍（\(T_J\)）：-55~+150℃，存儲溫度范圍與結(jié)溫區(qū)間一致。

四、封裝與應(yīng)用場景

• 封裝形式：采用TO-252 貼片封裝，為無鹵版本，包裝規(guī)格 2500 片 / 卷，適配高密度電路板的高頻設(shè)計需求；
• 典型應(yīng)用：
  • 功率因數(shù)校正（PFC）：在 AC-DC 電源的 PFC 拓撲中作為主開關(guān)管，低損耗特性提升功率因數(shù)與能量轉(zhuǎn)換效率；
  • 電源功率級與適配器：適配中高壓開關(guān)電源的功率轉(zhuǎn)換回路，實現(xiàn) 700V 級高效能量傳輸；
  • 電機控制與 DC-DC 轉(zhuǎn)換器：在電機驅(qū)動電路、DC-DC 降壓 / 升壓拓撲中作為功率開關(guān)，兼顧高壓耐壓與開關(guān)速度需求。

五、信息來源

仁懋電子（MOT）官方產(chǎn)品手冊（注：以上參數(shù)基于手冊標注整理，實際應(yīng)用需以最新版手冊及器件批次測試數(shù)據(jù)為準。）