仁懋電子（MOT）推出的MOT70R280D是一款基于超級(jí)結(jié)技術(shù)的 N 溝道功率 MOSFET，憑借 700V 級(jí)耐壓、超低導(dǎo)通損耗及高魯棒性，廣泛適用于功率因數(shù)校正（PFC）、開(kāi)關(guān)模式電源（SMPS）、不間斷電源（UPS）等高壓功率轉(zhuǎn)換場(chǎng)景。以下從器件特性、電氣參數(shù)、應(yīng)用場(chǎng)景等維度展開(kāi)說(shuō)明。

一、產(chǎn)品基本信息

MOT70R280D 為N 溝道超級(jí)結(jié)功率 MOSFET，核心參數(shù)表現(xiàn)為：

• 漏源極耐壓（\(V_{DSS}\)）：700V級(jí)，適配高壓功率轉(zhuǎn)換場(chǎng)景；
• 導(dǎo)通電阻（\(R_{DS(on)}\)，\(V_{GS}=10V\)）：典型值約0.28Ω，高壓場(chǎng)景下顯著降低導(dǎo)通損耗；
• 連續(xù)漏極電流（\(I_D\)）：需結(jié)合具體規(guī)格書(shū)確認(rèn)，通常適配中大功率負(fù)載的持續(xù)電流需求；
• 柵極電荷（\(Q_g\)）：優(yōu)化設(shè)計(jì)以降低驅(qū)動(dòng)功耗，提升高頻開(kāi)關(guān)適配性。

二、核心特性

• 超級(jí)結(jié)架構(gòu)：通過(guò)垂直結(jié)構(gòu)創(chuàng)新，實(shí)現(xiàn)高耐壓與低導(dǎo)通電阻的平衡，700V 耐壓下\(R_{DS(on)}\)僅 0.28Ω 級(jí)，大幅降低高壓轉(zhuǎn)換的導(dǎo)通損耗；
• 高頻開(kāi)關(guān)能力：優(yōu)化開(kāi)關(guān)特性，適合 PFC、SMPS 等高頻拓?fù)涞目焖偾袚Q需求，提升系統(tǒng)能量轉(zhuǎn)換效率；
• 高魯棒性設(shè)計(jì)：具備優(yōu)異的雪崩耐量與 dv/dt 耐受能力，在感性負(fù)載開(kāi)關(guān)、異常過(guò)壓工況下可靠性強(qiáng)；
• 環(huán)保合規(guī)性：符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)，適配綠色電子制造要求。

三、典型電氣參數(shù)（參考同系列超級(jí)結(jié) MOSFET 特性，具體以官方手冊(cè)為準(zhǔn)）

• 柵源極電壓（\(V_{GS}\)）：最大值 ±30V，柵極驅(qū)動(dòng)需控制在該范圍以避免氧化層損壞；
• 脈沖漏極電流（\(I_{DM}\)）：支持?jǐn)?shù)倍于連續(xù)電流的短時(shí)過(guò)載（具體值以規(guī)格書(shū)為準(zhǔn)）；
• 功耗（\(P_D\)）：需結(jié)合封裝與散熱設(shè)計(jì)，通常適配中大功率場(chǎng)景的熱管理需求；
• 結(jié)溫范圍（\(T_J\)）：-55~+150℃，存儲(chǔ)溫度范圍與結(jié)溫區(qū)間一致；
• 熱特性：結(jié)殼熱阻（\(R_{JC}\)）與結(jié)環(huán)境熱阻（\(R_{JA}\)）需參考官方數(shù)據(jù)，實(shí)際應(yīng)用需搭配散熱措施優(yōu)化結(jié)溫。

四、封裝與應(yīng)用場(chǎng)景

• 封裝形式：通常采用TO-252 貼片封裝（后綴 “D” 典型標(biāo)識(shí)），適配高密度電路板的高壓功率設(shè)計(jì)；也可提供 TO-251 直插封裝（按需選擇）；
• 典型應(yīng)用：
  • 功率因數(shù)校正（PFC）：在 AC-DC 轉(zhuǎn)換器的 PFC 前端電路中作為主開(kāi)關(guān)管，提升電網(wǎng)功率因數(shù)與電源效率；
  • 開(kāi)關(guān)模式電源（SMPS）：適配反激、正激等拓?fù)涞母邏?a target="_blank">開(kāi)關(guān)電源，如工業(yè)電源、服務(wù)器電源；
  • 不間斷電源（UPS）：在 UPS 系統(tǒng)的功率轉(zhuǎn)換回路中，實(shí)現(xiàn)市電與電池供電的高效切換。

五、信息來(lái)源

仁懋電子（MOT）官方產(chǎn)品手冊(cè)（注：以上參數(shù)為基于超級(jí)結(jié) MOSFET 系列特性的推導(dǎo)，實(shí)際應(yīng)用需以 MOT70R280D 官方規(guī)格書(shū)及器件批次測(cè)試數(shù)據(jù)為準(zhǔn)。）