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選型手冊:MOT70R280D 系列 N 溝道超級結(jié)功率 MOSFET 晶體管

深圳市首質(zhì)誠科技有限公司 ? 2025-10-31 17:31 ? 次閱讀
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仁懋電子(MOT)推出的MOT70R280D是一款基于超級結(jié)技術(shù)的 N 溝道功率 MOSFET,憑借 700V 級耐壓、超低導(dǎo)通損耗及高魯棒性,廣泛適用于功率因數(shù)校正(PFC)、開關(guān)模式電源(SMPS)、不間斷電源(UPS)等高壓功率轉(zhuǎn)換場景。以下從器件特性、電氣參數(shù)、應(yīng)用場景等維度展開說明。

一、產(chǎn)品基本信息

MOT70R280D 為N 溝道超級結(jié)功率 MOSFET,核心參數(shù)表現(xiàn)為:

  • 漏源極耐壓(\(V_{DSS}\)):700V級,適配高壓功率轉(zhuǎn)換場景;
  • 導(dǎo)通電阻(\(R_{DS(on)}\),\(V_{GS}=10V\)):典型值約0.28Ω,高壓場景下顯著降低導(dǎo)通損耗;
  • 連續(xù)漏極電流(\(I_D\)):需結(jié)合具體規(guī)格書確認,通常適配中大功率負載的持續(xù)電流需求;
  • 柵極電荷(\(Q_g\)):優(yōu)化設(shè)計以降低驅(qū)動功耗,提升高頻開關(guān)適配性。

二、核心特性

  • 超級結(jié)架構(gòu):通過垂直結(jié)構(gòu)創(chuàng)新,實現(xiàn)高耐壓與低導(dǎo)通電阻的平衡,700V 耐壓下\(R_{DS(on)}\)僅 0.28Ω 級,大幅降低高壓轉(zhuǎn)換的導(dǎo)通損耗;
  • 高頻開關(guān)能力:優(yōu)化開關(guān)特性,適合 PFC、SMPS 等高頻拓撲的快速切換需求,提升系統(tǒng)能量轉(zhuǎn)換效率;
  • 高魯棒性設(shè)計:具備優(yōu)異的雪崩耐量與 dv/dt 耐受能力,在感性負載開關(guān)、異常過壓工況下可靠性強;
  • 環(huán)保合規(guī)性:符合 RoHS 標(biāo)準,適配綠色電子制造要求。

三、典型電氣參數(shù)(參考同系列超級結(jié) MOSFET 特性,具體以官方手冊為準)

  • 柵源極電壓(\(V_{GS}\)):最大值 ±30V,柵極驅(qū)動需控制在該范圍以避免氧化層損壞;
  • 脈沖漏極電流(\(I_{DM}\)):支持數(shù)倍于連續(xù)電流的短時過載(具體值以規(guī)格書為準);
  • 功耗(\(P_D\)):需結(jié)合封裝與散熱設(shè)計,通常適配中大功率場景的熱管理需求;
  • 結(jié)溫范圍(\(T_J\)):-55~+150℃,存儲溫度范圍與結(jié)溫區(qū)間一致;
  • 熱特性:結(jié)殼熱阻(\(R_{JC}\))與結(jié)環(huán)境熱阻(\(R_{JA}\))需參考官方數(shù)據(jù),實際應(yīng)用需搭配散熱措施優(yōu)化結(jié)溫。

四、封裝與應(yīng)用場景

  • 封裝形式:通常采用TO-252 貼片封裝(后綴 “D” 典型標(biāo)識),適配高密度電路板的高壓功率設(shè)計;也可提供 TO-251 直插封裝(按需選擇);
  • 典型應(yīng)用
    • 功率因數(shù)校正(PFC):在 AC-DC 轉(zhuǎn)換器的 PFC 前端電路中作為主開關(guān)管,提升電網(wǎng)功率因數(shù)與電源效率;
    • 開關(guān)模式電源(SMPS):適配反激、正激等拓撲的高壓開關(guān)電源,如工業(yè)電源、服務(wù)器電源;
    • 不間斷電源(UPS):在 UPS 系統(tǒng)的功率轉(zhuǎn)換回路中,實現(xiàn)市電與電池供電的高效切換。

五、信息來源

仁懋電子(MOT)官方產(chǎn)品手冊(注:以上參數(shù)為基于超級結(jié) MOSFET 系列特性的推導(dǎo),實際應(yīng)用需以 MOT70R280D 官方規(guī)格書及器件批次測試數(shù)據(jù)為準。)

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