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?基于TE Connectivity IMB高負(fù)載信號(hào)繼電器的技術(shù)解析與應(yīng)用指南

科技觀察員 ? 2025-11-05 16:48 ? 次閱讀
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TE Connectivity (TE) IMB高負(fù)載信號(hào)繼電器屬于IM產(chǎn)品,專注于在與現(xiàn)有IM繼電器相同的形式、配接和功能下切換至高達(dá)400VDC 的更高功率負(fù)載。TE的IMB高負(fù)載信號(hào)繼電器經(jīng)過調(diào)整,可在+85°C處使用更大的電源觸點(diǎn)開關(guān)電源,在較高溫度下可與MOSFET切換能力進(jìn)行激烈競爭。應(yīng)用包括電動(dòng)汽車 (EV) 信息娛樂系統(tǒng)、充電/控制箱、工業(yè)密封、堅(jiān)固耐用的應(yīng)用以及內(nèi)部連接到高電壓的消費(fèi)電子應(yīng)用。

數(shù)據(jù)手冊:*附件:TE Connectivity IMB高負(fù)載信號(hào)繼電器數(shù)據(jù)手冊.pdf

特性

  • SMD和THT焊料安裝的小型繼電器
  • 在高溫下切換至更高功率
  • 提供真正的絕緣

基于TE Connectivity IMB高負(fù)載信號(hào)繼電器的技術(shù)解析與應(yīng)用指南?

一、產(chǎn)品核心特性概述

  1. ?高負(fù)載切換能力?
    • 最高支持400VDC/250VAC切換電壓
    • 可在85℃高溫環(huán)境下穩(wěn)定工作
    • 采用大功率觸點(diǎn)設(shè)計(jì),與MOSFET在高溫工況下形成強(qiáng)勢競爭
  2. ?結(jié)構(gòu)優(yōu)勢?
    • 同時(shí)提供SMD表貼與THT通孔焊接版本
    • 保持標(biāo)準(zhǔn)IM繼電器外形尺寸(Form-Fit-Function)
    • 單觸點(diǎn)結(jié)構(gòu)配合AgNi接觸材料

二、關(guān)鍵電氣參數(shù)解析

參數(shù)類別具體指標(biāo)技術(shù)意義
介電強(qiáng)度斷開觸點(diǎn)間:1000Vrms觸點(diǎn)與線圈間:1800Vrms確保高電壓隔離安全性
UL認(rèn)證等級(jí)400VDC/0.15A/60W125VAC/0.8A/100VA250VAC/0.6A/150VA滿足工業(yè)級(jí)可靠性要求
線圈功耗全系140mW低功耗設(shè)計(jì)

三、典型應(yīng)用場景

  1. ?電動(dòng)汽車領(lǐng)域?
    • 車載信息娛樂系統(tǒng)電源管理
    • 充電控制單元功率分配
  2. ?工業(yè)控制場景?
    • 密封型設(shè)備內(nèi)部高壓切換
    • 惡劣環(huán)境下的耐用型應(yīng)用
  3. ?消費(fèi)電子拓展?
    • 內(nèi)置高壓電路控制(最高400VDC)
    • 封閉空間應(yīng)用無需額外散熱設(shè)計(jì)

四、選型指南

?產(chǎn)品型號(hào)對照表?

  • 2-1462041-2 → IMB02IGR (4.5V線圈)
  • 2-1462041-3 → IMB02ITS (4.5V線圈)
  • 2-1462041-4 → IMB03IGR (5V線圈)
  • 2-1462041-5 → IMB03ITS (5V線圈)
  • 2-1462041-6 → IMB06IGR (12V線圈)
  • 2-1462041-7 → IMB06ITS (12V線圈)

五、設(shè)計(jì)注意事項(xiàng)

  1. ?熱管理優(yōu)勢?
    • 封閉環(huán)境中無需額外冷卻裝置
    • 高溫環(huán)境下保持性能穩(wěn)定性
  2. ?安全特性?
    • 真絕緣設(shè)計(jì)確保操作安全
    • 符合UL標(biāo)準(zhǔn)接觸評(píng)級(jí)
  3. ?空間優(yōu)化?
    • 小型化繼電器節(jié)省PCB面積
    • 雙焊接方式提供布局靈活性
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