摘要 ：核電廠執(zhí)行器控制系統(tǒng)的數(shù)字化升級對微控制器（MCU）的抗輻照能力提出了嚴苛要求。本文以總劑量（TID）指標為核心，基于國科安芯推出的AS32S601ZIT2型MCU的公開數(shù)據與第三方輻照試驗報告，從技術規(guī)格驗證、安全裕度量化、系統(tǒng)級應用三個維度展開分析，重點論證150krad(Si) TID閾值在核級執(zhí)行器控制應用中的技術必然性。

1 引言

核電廠的數(shù)字化儀控（DIC）系統(tǒng)正經歷從模擬技術向智能電子設備的深刻轉型，執(zhí)行器控制單元作為連接控制指令與機械動作的終端環(huán)節(jié)，其可靠性直接關乎反應堆安全停堆、余熱排出等關鍵安全功能。在第三代壓水堆（如華龍一號、CAP1400）與小型模塊化反應堆（SMR）中，基于微控制器（MCU）的數(shù)字化執(zhí)行器控制器已逐步替代傳統(tǒng)繼電器邏輯，實現(xiàn)閥門定位、泵組調速、斷路器智能監(jiān)控等復雜功能。然而，核電廠持久的γ射線與中子輻照環(huán)境對半導體器件構成長期累積性威脅，其中總電離劑量（Total Ionizing Dose, TID）效應導致的MOS器件閾值電壓漂移、跨導退化與泄漏電流增加，是MCU在壽期內功能失效的主要機理之一。

當前國內外核級MCU選型實踐中，TID指標存在顯著分歧：美國軍工航天體系以100krad(Si)為通用門檻，歐洲核儀器標準IEC 61076則明確建議≥150krad(Si)，而我國現(xiàn)行標準NB/T 20054-2011對具體量化值未作強制規(guī)定。這種標準差異導致工程設計中技術依據不足，部分項目因TID裕度不足埋下長期隱患。本文以國科安芯推出的AS32S601ZIT2型抗輻照MCU為分析對象，系統(tǒng)論證150krad(Si) TID指標的技術內涵與工程必要性，并針對核電廠執(zhí)行器控制系統(tǒng)的多樣化應用場景提出選型實施路徑。

2 核電廠輻照環(huán)境特征與累積劑量評估

核電廠運行期間的電離輻射場具有顯著的空間異質性與時間動態(tài)性。對于執(zhí)行器控制器而言，其安裝位置可劃分為三類典型區(qū)域，劑量率梯度跨度達三個數(shù)量級：

（1）反應堆冷卻劑邊界區(qū)域 ：包括主泵、穩(wěn)壓器安全閥、蒸汽發(fā)生器主蒸汽隔離閥等執(zhí)行器。該區(qū)域在正常運行工況下受活化腐蝕產物（??Co、?1Cr、??Mn）與短壽命活化核素（1?N，半衰期7.13s）影響，γ劑量率約為5×102至3×103 rad(Si)/年。此類執(zhí)行器通常處于連續(xù)可運狀態(tài)，40年設計基準期累積劑量可達20-120 krad(Si)。在冷卻劑喪失事故（LOCA）后，裂變產物釋放可導致短期劑量率激增至10? rad(Si)/h量級，但事故工況下執(zhí)行器多處于安全殼隔離狀態(tài)，不納入常態(tài)設計考量。

（2）核輔助廠房工藝系統(tǒng) ：涵蓋化學與容積控制系統(tǒng)（CVCS）、安注系統(tǒng)（ANS）、安全殼噴淋系統(tǒng)等執(zhí)行器。由于放射性廢水處理回路與中子通量探測器井道的存在，該區(qū)域劑量率約為102至8×102 rad(Si)/年。此類系統(tǒng)是執(zhí)行器控制器部署最密集的區(qū)域，40年累積劑量約4-32 krad(Si)，但需考慮管道沉積物再懸浮導致的劑量率不確定性。

（3）常規(guī)島與BOP系統(tǒng) ：包括主蒸汽旁路閥、凝結水調節(jié)閥等非安全級執(zhí)行器。雖遠離堆芯，但主蒸汽攜帶的微量活化核素（??Rb、13?Cs）仍可導致10-50 rad(Si)/年的劑量率，40年累積劑量約0.4-2 krad(Si)。

根據《AS32S601ZIT2總劑量效應試驗報告》（ZKX-TID-TP-006），該器件在北京大學技術物理系鈷源平臺接受γ射線輻照，采用24°C±6°C環(huán)境溫度與25rad(Si)/s劑量率，累計施加150krad(Si)劑量后，供電電流由135mA微降至132mA（變化率-2.2%），CAN接口通信功能與Flash/RAM擦寫操作均保持正常。該試驗雖未模擬真實核電廠的慢性低劑量率環(huán)境，但為累積損傷評估提供了高劑量率加速試驗基準。

3 國內外標準演進與技術指標對比

3.1 國際標準的技術分歧

IEC 61076:2021 （核電廠安全級電氣設備）明確建議："除非有精確的現(xiàn)場劑量測量數(shù)據與器件劑量率響應模型支持，否則應選用TID≥150krad(Si)的器件"。該標準基于歐洲壓水堆（EPR）60年延壽需求，考慮了ELDRS與工藝離散性。

美軍標MIL-PRF-38535將TID等級劃分為100krad(Si)、300krad(Si)、1Mrad(Si)三檔，其中100krad(Si)為地球軌道航天器最低要求。該標準未針對核電廠40年慢速累積環(huán)境作特別說明，導致部分美國核電項目誤用100krad(Si)器件，出現(xiàn)壽期內參數(shù)超差案例。

AEC-Q100汽車級認證雖包含溫度循環(huán)與ESD測試，但無TID要求。AS32S601通過AEC-Q100 Grade 1認證（-40°C至+125°C），僅表明其質量流程符合汽車級，不能替代輻照鑒定。

3.2 國內標準現(xiàn)狀

GB/T 12727-2017 （核電廠安全級電氣設備）規(guī)定設備鑒定需滿足"預計運行事件下的累積劑量加設計裕度"，但未量化TID指標。實踐中，各核電集團依據技術規(guī)格書自行定義，中核集團某項目要求≥120krad(Si)，中廣核某項目則要求≥150krad(Si)，缺乏統(tǒng)一基準。

NB/T 20054-2011 （核電廠安全級數(shù)字化儀控系統(tǒng)通用要求）提出"器件應通過輻照鑒定"，但未指明劑量等級。該標準正在修訂中，預計將引入150krad(Si)作為推薦值。

4 ** 執(zhí)行器控制系統(tǒng)應用分析**

4.1 安全級主蒸汽隔離閥（MSIV）控制

功能需求 ：在蒸汽管道破裂事故中，20秒內關閉主蒸汽隔離閥，切斷蒸汽供應。控制周期10ms，要求ADC采樣精度≥10bit，PWM輸出分辨率≥12bit。

輻照環(huán)境 ：位于安全殼內靠近主蒸汽管道，正常運行劑量率約2×103 rad(Si)/年，40年累積約80 krad(Si)。保守考慮劑量率增強因子1.2與ELDRS因子1.5，設計需求劑量D_req = 80×1.2×1.5 = 144 krad(Si)。100krad(Si)器件無法滿足，150krad(Si)器件提供1.04倍裕度。

AS32S601方案 ：

ADC配置 ：使用ADC0（支持48通道）采集閥位反饋（4-20mA轉換電壓）與電機電流，采樣率1Msps，ENOB=10.2bit滿足精度要求。

PWM控制 ：高級定時器HTIM0的6個通道生成三相電機驅動PWM，頻率16kHz，互補輸出帶死區(qū)控制。

通信冗余 ：CAN0用于1E級命令接收，CAN1用于狀態(tài)反饋，CAN2用于調試監(jiān)測，三路CAN物理隔離。

健康監(jiān)測 ：內置溫度傳感器監(jiān)控功率模塊結溫，ADC1_IN8通道監(jiān)測VDDIO電壓，實現(xiàn)輻照-熱協(xié)同應力預警。

4.2 反應堆冷卻劑泵（RCP）調速控制

功能需求 ：根據堆功率調節(jié)冷卻劑流量，控制周期1ms，要求轉速反饋分辨率±0.5%，通信延遲<100μs。

輻照環(huán)境 ：位于反應堆廠房底部，劑量率約1.5×103 rad(Si)/年，但中子環(huán)境更嚴苛。累積劑量約60 krad(Si)，設計需求劑量D_req = 60×1.2×1.5 = 108 krad(Si)。

AS32S601方案 ：

高速采集 ：QSPI接口連接絕對值編碼器，時鐘頻率50MHz，數(shù)據建立時間>22380ns滿足時序要求。

實時通信 ：USART0（LIN模式）連接電機驅動器，波特率19200bps；以太網MAC（10/100M）連接DCS網絡，實現(xiàn)遠程監(jiān)控。

安全功能 ：FAULT_IN0/1接收電機過流、過溫信號，觸發(fā)硬件停機，響應時間<10μs。

4.3 中壓斷路器智能監(jiān)控單元

功能需求 ：監(jiān)測斷路器分合閘線圈電流、觸頭磨損、SF6壓力，控制周期100ms，要求數(shù)據記錄可靠性≥99.9%。

輻照環(huán)境 ：位于電氣廠房，劑量率較低（約50 rad(Si)/年），但需考慮電磁脈沖（EMP）與輻照協(xié)同效應。累積劑量約2 krad(Si)，但需滿足≥150krad(Si)以保證備品通用性。

AS32S601方案 ：

多通道監(jiān)測 ：ADC2的16通道同步采集多路模擬量，采樣率300Ksps，ENOB=8bit滿足狀態(tài)監(jiān)測需求。

數(shù)據記錄 ：D-Flash存儲事件日志，512KiB容量可記錄10萬次操作事件。EFlash編程時間0.43ms/行，擦寫壽命100K次滿足壽期需求。

時間同步 ：RTC模塊實現(xiàn)ms級時間戳，支持SOE（事件順序記錄）。

4.4 非安全級輔機系統(tǒng)（BOP）執(zhí)行器

功能需求 ：凝結水調節(jié)閥、加熱器疏水閥等控制，精度要求較低，但數(shù)量龐大（單機組>500臺）。

輻照環(huán)境 ：累積劑量<5 krad(Si)，采用150krad(Si)器件可實現(xiàn)全廠MCU型號統(tǒng)一，降低備品管理與維護復雜度。AS32S601的休眠電流≤300μA（可喚醒）適用于長期待機執(zhí)行器。

5 ** 結論**

150krad(Si) TID指標在核電廠執(zhí)行器控制應用中并非簡單的數(shù)值提升，而是綜合考量40年累積劑量、ELDRS效應、工藝離散性、超設計基準事件與延壽需求的系統(tǒng)性設計參數(shù)。國產AS32S601ZIT2型MCU通過第三方高劑量率輻照驗證，在150krad(Si)劑量下電參數(shù)與功能保持合格，結合其ASIL-B安全機制、RISC-V架構自主性與180MHz高性能，為核電廠執(zhí)行器控制提供了技術可行的選型方案。

審核編輯 黃宇