chinese直男口爆体育生外卖, 99久久er热在这里只有精品99, 又色又爽又黄18禁美女裸身无遮挡, gogogo高清免费观看日本电视,私密按摩师高清版在线,人妻视频毛茸茸,91论坛 兴趣闲谈,欧美 亚洲 精品 8区,国产精品久久久久精品免费

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學習在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認識你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

我國半導體技術(shù)的有一步發(fā)展世界上最大口徑單體碳化硅反射鏡面世

kus1_iawbs2016 ? 來源:未知 ? 作者:易水寒 ? 2018-08-26 11:00 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

歷時15年探索攻關(guān)、9年立項研制,中國科學家打破國外技術(shù)封鎖和產(chǎn)品壟斷,研制成功世界上迄今公開報道的最大口徑單體碳化硅(SiC)反射鏡——直徑4.03米口徑高精度碳化硅非球面反射鏡,并且核心制造設備以及制造工藝都具有自主知識產(chǎn)權(quán),成果可廣泛應用于天文望遠鏡、航天器光學載荷研制等領(lǐng)域,標志著中國大口徑碳化硅非球面光學反射鏡制造領(lǐng)域的技術(shù)水平已躋身國際先進行列。

中國研制成功世界最大口徑單體碳化硅反射鏡項目負責人、中科院長春光機所副所長張學軍研究員向媒體介紹項目科研攻關(guān)情況。孫自法 | 攝

由中國科學院長春光學精密機械與物理研究所(中科院長春光機所)承擔的國家重大科研裝備研制項目“4米量級高精度碳化硅非球面反射鏡集成制造系統(tǒng)”21日在吉林長春通過項目驗收,該所完成的4.03米口徑高精度碳化硅非球面反射鏡就是項目核心成果之一。驗收專家認為,4米口徑碳化硅反射鏡工程產(chǎn)品即將應用于國家地基大型光電系統(tǒng),也為空間大口徑光學系統(tǒng)的研制解決了核心技術(shù)難題。

中科院長春光機所研制成功的直徑4.03米口徑高精度碳化硅非球面反射鏡。孫自法 攝

項目負責人、中科院長春光機所副所長張學軍研究員介紹說,大口徑高精度非球面光學反射鏡是高分辨率空間對地觀測、深空探測和天文觀測系統(tǒng)的核心元件。碳化硅陶瓷材料則是國際光學界公認的高穩(wěn)定性光學反射鏡材料,但歐美國家在大口徑碳化硅光學反射鏡制造技術(shù)方面長期處于壟斷地位,中國必須自主發(fā)展大口徑碳化硅光學制造技術(shù)。

早在2003年,中科院長春光機所就開始對大口徑碳化硅光學反射鏡制造技術(shù)進行探索攻關(guān),2009年底,面向國家對大型光學儀器的戰(zhàn)略需求,中央財政投入1.96億元人民幣的國家重大科研裝備研制項目“4米量級高精度碳化硅非球面反射鏡集成制造系統(tǒng)”,正式在中科院長春光機所立項啟動。

項目啟動后,張學軍領(lǐng)導的研發(fā)團隊通過多年持續(xù)技術(shù)攻關(guān),突破一系列關(guān)鍵技術(shù)瓶頸,先后完成碳化硅鏡坯制備、非球面加工檢測、碳化硅表面改性鍍膜的制造設備研制與制造工藝研究,形成了具有自主知識產(chǎn)權(quán)的“4米量級高精度碳化硅非球面集成制造平臺”,并依托集成制造平臺完成4米量級高精度碳化硅非球面產(chǎn)品研制。

其中,在碳化硅材料制備技術(shù)方面,項目研發(fā)團隊建立大口徑碳化硅鏡坯制造平臺,并先后研制成功可用于可見光成像的2米、2.4米、3米單體碳化硅鏡坯和4米口徑整體碳化硅鏡坯,而此前國際上公認1.5米是單體碳化硅反射鏡的極限口徑,從而實現(xiàn)中國大口徑碳化硅光學材料制備的自主可控。

中科院長春光機所研制成功的直徑4.03米口徑高精度碳化硅非球面反射鏡。孫自法 攝

在大口徑碳化硅非球面加工檢測技術(shù)方面,項目研發(fā)團隊突破大口徑碳化硅非球面高精度高效加工技術(shù)瓶頸,并解決了高精度零位檢測精度標定、調(diào)整誤差分離、投影畸變校正等關(guān)鍵問題,完成4米量級碳化硅非球面高精度加工,加工精度優(yōu)于16納米,全面實現(xiàn)4米量級碳化硅高精度加工與檢測技術(shù)自主可控。

在大口徑碳化硅改性鍍膜技術(shù)方面,項目研發(fā)團隊在國際上首次研制成功碳化硅反射鏡改性與反射膜鍍制一體化設備,提升膜層質(zhì)量與可靠性,實現(xiàn)4米口徑碳化硅反射鏡表面高反射率薄膜鍍制,可見至長波紅外全譜段反射率優(yōu)于95%。

專家指出,中國通過研制成功“4米量級高精度碳化硅非球面反射鏡集成制造系統(tǒng)”,形成具備自主知識產(chǎn)權(quán)的4米量級大口徑反射鏡研制能力,并陸續(xù)應用于中國各類大型光電設備,將推動中國在大口徑光學反射鏡制造技術(shù)方面實現(xiàn)跨越式發(fā)展,大幅提升中國高性能大型光學儀器研制水平。

張學軍表示,目前,“4米量級高精度碳化硅非球面反射鏡集成制造系統(tǒng)”項目成果已獲得一系列重要應用:2米量級碳化硅非球面反射鏡已應用于國家大型光電系統(tǒng)項目;4米量級碳化硅非球面反射鏡即將應用于國家重大工程項目。同時,項目成果將持續(xù)應用于中國空間站多功能光學設施、國家重點研發(fā)計劃“靜止軌道高分辨率輕型成像相機系統(tǒng)技術(shù)”等一系列國家重大基礎(chǔ)研究和工程項目研制。

他透露,“4米量級高精度碳化硅非球面反射鏡集成制造系統(tǒng)”項目研究成果還成功應用于多項國家重大型號項目及背景預研項目中,并成功牽引出總經(jīng)費近50億元的多項國家重大型號項目。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
  • 半導體
    +關(guān)注

    關(guān)注

    337

    文章

    30321

    瀏覽量

    261700
  • SiC
    SiC
    +關(guān)注

    關(guān)注

    32

    文章

    3627

    瀏覽量

    68831
  • 反射鏡
    +關(guān)注

    關(guān)注

    0

    文章

    29

    瀏覽量

    8667

原文標題:重大突破:我國研制出世界上最大口徑單體碳化硅反射鏡!

文章出處:【微信號:iawbs2016,微信公眾號:寬禁帶半導體技術(shù)創(chuàng)新聯(lián)盟】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。

收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評論

    相關(guān)推薦
    熱點推薦

    簡單認識博世碳化硅功率半導體產(chǎn)品

    博世為智能出行領(lǐng)域提供全面的碳化硅功率半導體產(chǎn)品組合,包括用于逆變器、車載充電器和直流/直流轉(zhuǎn)換器的碳化硅功率MOSFET和碳化硅功率模塊。這些解決方案已面向全球整車廠、
    的頭像 發(fā)表于 12-12 14:14 ?668次閱讀

    半導體碳化硅(SiC) MOSFET柵極驅(qū)動”詳解

    近年來,基于寬禁帶材料的器件技術(shù)的不斷發(fā)展,碳化硅器件的實際工程應用,受到了越來越廣泛的關(guān)注。相較傳統(tǒng)的硅基器件,碳化硅MOSFET具有較小的導通電阻以及很快的開關(guān)速度,與硅IGBT相
    的頭像 發(fā)表于 11-05 08:22 ?8572次閱讀
    <b class='flag-5'>半導體</b>“<b class='flag-5'>碳化硅</b>(SiC) MOSFET柵極驅(qū)動”詳解

    [新啟航]碳化硅 TTV 厚度測量技術(shù)的未來發(fā)展趨勢與創(chuàng)新方向

    、引言 碳化硅(SiC)作為寬禁帶半導體材料的代表,在功率器件、射頻器件等領(lǐng)域發(fā)揮著關(guān)鍵作用。總厚度偏差(TTV)是衡量碳化硅襯底及外延片質(zhì)量的重要指標,其精確測量對保障
    的頭像 發(fā)表于 09-22 09:53 ?1600次閱讀
    [新啟航]<b class='flag-5'>碳化硅</b> TTV 厚度測量<b class='flag-5'>技術(shù)</b>的未來<b class='flag-5'>發(fā)展</b>趨勢與創(chuàng)新方向

    基本半導體1200V工業(yè)級碳化硅MOSFET半橋模塊Pcore 2系列介紹

    基本半導體推出62mm封裝的1200V工業(yè)級碳化硅MOSFET半橋模塊,產(chǎn)品采用新碳化硅MOSFET芯片技術(shù),在保持傳統(tǒng)62mm封裝尺寸
    的頭像 發(fā)表于 09-15 16:53 ?1043次閱讀
    基本<b class='flag-5'>半導體</b>1200V工業(yè)級<b class='flag-5'>碳化硅</b>MOSFET半橋模塊Pcore 2系列介紹

    碳化硅激光器反射鏡支架高溫性能

    在高功率激光器系統(tǒng)中,反射鏡支架需要在高溫、真空或特殊氣氛中長期保持超精密定位,同時克服熱膨脹引起的微位移和摩擦阻力。碳化硅(SiC)陶瓷憑借其獨特的高溫自潤滑性能與卓越的綜合特性,成為此類關(guān)鍵部件
    的頭像 發(fā)表于 08-04 13:59 ?732次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b>激光器<b class='flag-5'>反射鏡</b>支架高溫性能

    SiC碳化硅第三代半導體材料 | 耐高溫絕緣材料應用方案

    碳化硅材料主要包括單晶和陶瓷2大類,無論是作為單晶還是陶瓷,碳化硅材料目前已成為半導體、新能源汽車、光伏等三大千億賽道的關(guān)鍵材料之。圖片來源:Pixabay、Pexels單晶方面,
    的頭像 發(fā)表于 06-15 07:30 ?1067次閱讀
    SiC<b class='flag-5'>碳化硅</b>第三代<b class='flag-5'>半導體</b>材料 |  耐高溫絕緣材料應用方案

    基本半導體碳化硅 MOSFET 的 Eoff 特性及其在電力電子領(lǐng)域的應用

    基本半導體碳化硅 MOSFET 的 Eoff 特性及其在電力電子領(lǐng)域的應用 、引言 在電力電子技術(shù)飛速發(fā)展的今天,
    的頭像 發(fā)表于 06-10 08:38 ?888次閱讀
    基本<b class='flag-5'>半導體</b><b class='flag-5'>碳化硅</b> MOSFET 的 Eoff 特性及其在電力電子領(lǐng)域的應用

    國產(chǎn)SiC碳化硅功率半導體企業(yè)引領(lǐng)全球市場格局重構(gòu)

    SiC碳化硅MOSFET國產(chǎn)化替代浪潮:國產(chǎn)SiC碳化硅功率半導體企業(yè)引領(lǐng)全球市場格局重構(gòu) 1 國產(chǎn)SiC碳化硅功率半導體企業(yè)的崛起與
    的頭像 發(fā)表于 06-07 06:17 ?987次閱讀

    碳化硅功率器件哪些特點

    隨著全球?qū)G色能源和高效能電子設備的需求不斷增加,寬禁帶半導體材料逐漸進入了人們的視野。其中,碳化硅(SiC)因其出色的性能而受到廣泛關(guān)注。碳化硅功率器件在電力電子、可再生能源以及電動汽車等領(lǐng)域的應用不斷拓展,成為現(xiàn)代電子
    的頭像 發(fā)表于 04-21 17:55 ?1132次閱讀

    先進碳化硅功率半導體封裝:技術(shù)突破與行業(yè)變革

    本文聚焦于先進碳化硅(SiC)功率半導體封裝技術(shù),闡述其基本概念、關(guān)鍵技術(shù)、面臨挑戰(zhàn)及未來發(fā)展趨勢。碳化
    的頭像 發(fā)表于 04-08 11:40 ?1600次閱讀
    先進<b class='flag-5'>碳化硅</b>功率<b class='flag-5'>半導體</b>封裝:<b class='flag-5'>技術(shù)</b>突破與行業(yè)變革

    東升西降:從Wolfspeed危機看全球SiC碳化硅功率半導體產(chǎn)業(yè)鏈重構(gòu)

    的此消彼長。這現(xiàn)象不僅是企業(yè)個體的興衰,更是技術(shù)迭代、政策支持、市場需求與資本流向共同作用的結(jié)果。以下從多個維度解析這“東升西降”的產(chǎn)業(yè)格局演變。 Wolfspeed的危機標志著歐美SiC
    的頭像 發(fā)表于 03-31 18:03 ?1073次閱讀

    碳化硅MOSFET的優(yōu)勢哪些

    隨著可再生能源的崛起和電動汽車的普及,全球?qū)Ω咝?、低能耗電力電子器件的需求日益增加。在這背景下,碳化硅(SiC)MOSFET作為種新型寬禁帶半導體器件,以其優(yōu)越的性能在功率電子領(lǐng)
    的頭像 發(fā)表于 02-26 11:03 ?1465次閱讀

    碳化硅SiC的光學優(yōu)勢及應用

    碳化硅(SiC)在大口徑光學反射鏡的應用,主要得益于其高比剛度、優(yōu)異熱穩(wěn)定性和寬光譜響應等特性,成為空間觀測、深空探測等領(lǐng)域的核心材料。以下是關(guān)鍵應用進展與
    的頭像 發(fā)表于 02-22 14:40 ?2287次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b>SiC的光學優(yōu)勢及應用

    納微半導體氮化鎵和碳化硅技術(shù)進入戴爾供應鏈

    近日,GaNFast氮化鎵功率芯片和GeneSiC碳化硅功率器件的行業(yè)領(lǐng)導者——納微半導體(納斯達克股票代碼:NVTS)今日宣布其氮化鎵和碳化硅技術(shù)進入戴爾供應鏈,為戴爾AI筆記本打造
    的頭像 發(fā)表于 02-07 13:35 ?1302次閱讀
    納微<b class='flag-5'>半導體</b>氮化鎵和<b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>技術(shù)</b>進入戴爾供應鏈

    碳化硅半導體中的作用

    碳化硅(SiC)在半導體中扮演著至關(guān)重要的角色,其獨特的物理和化學特性使其成為制作高性能半導體器件的理想材料。以下是碳化硅半導體中的主要作
    的頭像 發(fā)表于 01-23 17:09 ?2794次閱讀