仁懋電子（MOT）推出的MOT5122T是一款面向大電流低壓場景的 N 溝道增強型功率 MOSFET，憑借 120V 耐壓、超低導通損耗及 260A 超大電流承載能力，廣泛適用于高功率系統(tǒng)逆變器、輕型電動車、電池管理系統(tǒng)（BMS）、無人機等領域。以下從器件特性、電氣參數(shù)、應用場景等維度展開說明。

一、產(chǎn)品基本信息

MOT5122T 為N 溝道功率 MOSFET，核心參數(shù)表現(xiàn)為：

• 漏源極耐壓（\(V_{DSS}\)）：120V，適配低壓大電流供電場景；
• 導通電阻（\(R_{DS(on)}\)，\(V_{GS}=10V\)）：典型值2.0mΩ，低壓場景下導通損耗極低；
• 連續(xù)漏極電流（\(I_D\)）：260A（\(T_c=25^\circ\text{C}\)），脈沖漏極電流（\(I_{DM}\)）達1040A，可滿足短時超大電流負載需求。

二、核心特性

• 超級 trench 單元設計：采用先進的 trench 結(jié)構，大幅降低導通電阻，提升電流密度，適配大電流功率轉(zhuǎn)換場景；
• 表面貼裝封裝：便于高密度電路板集成，適配工業(yè)設備、電動車等對空間與功率密度要求高的應用；
• 高魯棒性表現(xiàn)：單脈沖雪崩能量達260mJ，熱阻優(yōu)化（結(jié)到外殼熱阻\(R_{JC}=0.4^\circ\text{C}/W\)），大電流工況下結(jié)溫控制更穩(wěn)定。

三、關鍵電氣參數(shù)（\(T_c=25^\circ\text{C}\)，除非特殊說明）

• 柵源極電壓（\(V_{GS}\)）：最大值 ±20V，柵極驅(qū)動需控制在該范圍以避免氧化層損壞；
• 功耗（\(P_D\)）：300W，實際應用需結(jié)合散熱設計（如散熱墊、金屬基板）保障長期可靠工作；
• 結(jié)溫范圍（\(T_J\)）：-55~+175℃，存儲溫度范圍與結(jié)溫區(qū)間一致；
• 熱特性：結(jié)到環(huán)境熱阻\(R_{JA}=45^\circ\text{C}/W\)，結(jié)到外殼熱阻\(R_{JC}=0.4^\circ\text{C}/W\)，優(yōu)異的結(jié)殼熱阻利于通過封裝快速散熱。

四、應用場景

MOT5122T 憑借 260A 大電流與 120V 耐壓特性，典型應用包括：

• 高功率系統(tǒng)逆變器：在工業(yè)或新能源領域的逆變器中作為功率開關，低損耗特性提升能量轉(zhuǎn)換效率；
• 輕型電動車與 BMS：為電動摩托車、電動自行車的動力系統(tǒng)及電池管理系統(tǒng)提供大電流功率控制，保障動力輸出與電池安全；
• 無人機：在無人機的動力供電回路中，實現(xiàn)大電流高效切換，支持無人機高功率飛行需求。

五、信息來源

仁懋電子（MOT）官方產(chǎn)品手冊（注：以上參數(shù)基于手冊標注整理，實際應用需以最新版手冊及器件批次測試數(shù)據(jù)為準。）