電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/黃晶晶）繼DRAM和NAND的價(jià)格不斷上漲之后，日前NOR Flash也出現(xiàn)了驚人的高達(dá)30%漲幅。NOR Flash在AI服務(wù)器、手機(jī)、平板電腦、可穿戴等領(lǐng)域呈現(xiàn)出高容量、高性能等需求，疊加上游晶圓制造的產(chǎn)能緊張，供需失衡或?qū)е缕鋬r(jià)格進(jìn)一步上漲。

AI服務(wù)器需求推動(dòng)

旺宏董事長(zhǎng)吳敏求表示，因數(shù)據(jù)中心建置需求龐大，旺宏近幾個(gè)月相關(guān)的NOR Flash需求升溫。旺宏NOR Flash 近期在服務(wù)器與數(shù)據(jù)中心應(yīng)用上出現(xiàn)回溫跡象，主要需求集中在512Mb，也有1-2Gb 高容量的需求，預(yù)期隨著頻寬擴(kuò)大、數(shù)據(jù)傳輸速率提升，未來3D NOR 技術(shù)也將成為關(guān)鍵。

在電子發(fā)燒友網(wǎng)早前的采訪中，兆易創(chuàng)新也表示，在AI服務(wù)器端，國內(nèi)算力芯片廠商如壁仞、摩爾線程的崛起，帶動(dòng)了兆易Flash在算力卡上的應(yīng)用。這些算力卡通常需要8Mb-64Mb的SPI NOR Flash用于系統(tǒng)啟動(dòng)和固件存儲(chǔ)，而7x24小時(shí)的高溫運(yùn)行環(huán)境對(duì)存儲(chǔ)芯片的可靠性提出更高要求。此外，5G基站，WiFi6/7無線路由等傳輸設(shè)備同樣需要兆易的存儲(chǔ)方案，形成“云端-終端-傳輸”全場(chǎng)景覆蓋。

NOR FLASH市場(chǎng)

NOR Flash 是一種非易失性存儲(chǔ)芯片，具有讀取速度快、可靠性強(qiáng)、可芯片內(nèi)執(zhí)行（XIP）等特點(diǎn)，在中低容量應(yīng)用以及需要用低功耗完成內(nèi)部指令執(zhí)行、系統(tǒng)數(shù)據(jù)交換等功能的產(chǎn)品上具備性能和成本上的優(yōu)勢(shì)。通常用于存儲(chǔ)設(shè)備引導(dǎo)程序、操作系統(tǒng)等代碼和數(shù)據(jù)。NOR Flash 因其高可靠性和可芯片內(nèi)執(zhí)行的特點(diǎn)，適合于需要快速讀取和執(zhí)行代碼的場(chǎng)景。

NOR Flash 廣泛應(yīng)用于計(jì)算機(jī)、消費(fèi)電子（智能家居、TWS 耳機(jī)、穿戴式設(shè)備、路由器、機(jī)頂盒等）、汽車電子（高級(jí)駕駛輔助系統(tǒng)、車窗控制、儀表盤）、工業(yè)控制（智能電表、機(jī)械控制）、物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備等領(lǐng)域。

目前，NOR Flash主要包括基于浮柵技術(shù)的 ETOX 型和基于電荷俘獲技術(shù)的SONOS 型兩類主流基礎(chǔ)工藝結(jié)構(gòu)。隨著半導(dǎo)體技術(shù)的進(jìn)步，NOR Flash 的存儲(chǔ)密度和性能也在不斷提升，從而滿足了日益增長(zhǎng)的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)需求和更高的性能要求。

根據(jù)TechInsights 統(tǒng)計(jì)，NOR Flash 總體市場(chǎng)規(guī)模將在未來5年持續(xù)增長(zhǎng)，2024年全球 NOR Flash市場(chǎng)規(guī)模達(dá)到26.19 億美元，同比增長(zhǎng)15.22%，2024-2029 年的年均復(fù)合增長(zhǎng)率為 6.07%。

NOR Flash頭部三家廠商分別為華邦電子、兆易創(chuàng)新以及旺宏電子，其中華邦電子、旺宏電子采用IDM模式經(jīng)營，兆易創(chuàng)新等其他廠商主要采用 Fabless 模式經(jīng)營，與其他代工廠合作。

代工方面，中芯國際、華虹集團(tuán)、武漢新芯等是全球 NOR Flash 晶圓代工行業(yè)主要供應(yīng)商。其中，武漢新芯是中國大陸地區(qū)規(guī)模最大的 NOR Flash 制造廠商，既有晶圓代工業(yè)務(wù)，也有自有品牌NOR Flash 業(yè)務(wù)。不過，自有品牌業(yè)務(wù)相對(duì)頭部三家廠商較小，定位以晶圓代工為主。截至 2025 年 6 月末，武漢新芯12 英寸 NOR Flash 晶圓累計(jì)出貨量已經(jīng)超過 140 萬片。

衡量 NOR Flash 晶圓代工先進(jìn)性的最重要的關(guān)鍵技術(shù)指標(biāo)為各廠商工藝節(jié)點(diǎn)情況，工藝節(jié)點(diǎn)越小，代表產(chǎn)品芯片的最小制程線寬越小，產(chǎn)品越先進(jìn)。據(jù)介紹，武漢新芯ETOX 型和 SONOS 型 NOR Flash 晶圓代工量產(chǎn)節(jié)點(diǎn)分別為65nm/50nm、65nm/45nm。根據(jù)公開信息，中芯國際 NOR Flash 晶圓代工量產(chǎn)節(jié)點(diǎn)為 65nm/55nm，華虹公司 NOR Flash 晶圓代工量產(chǎn)節(jié)點(diǎn)為 0.35μm~55nm 并于2023 年 小 批 量 試 產(chǎn) 4Xnm ， 華 力 微 NOR Flash 晶 圓 代 工 量 產(chǎn) 節(jié) 點(diǎn) 為65nm/55nm/50nm。這三家NOR Flash 晶圓代工技術(shù)均居于全球范圍內(nèi)第一梯隊(duì)，處于國際領(lǐng)先水平。

3D NOR FLASH技術(shù)

為了適應(yīng)人工智能、智能汽車等產(chǎn)業(yè)發(fā)展，HBM、HBF、HBS等各類堆疊方案層出不窮。而在NOR Flash領(lǐng)域，這些應(yīng)用也對(duì)更高密度、更快訪問速度和更高可靠性的閃存提出更高要求。傳統(tǒng)2D NORFlash已近接物理和性能極限，其平面架構(gòu)限制了其可擴(kuò)展性。旺宏電子早前提出3D NORFlash的研發(fā)方向。

旺宏的 3D NOR Flash是一種3D AND陣列架構(gòu)。與傳統(tǒng)NOR的通道熱電子 (CHE) 相比，AND 陣列有利于FN 隧穿，從而實(shí)現(xiàn)更高的并行性，使其更適合NOR 閃存以更高的密度和更低功耗提供更快的寫入帶寬。

垂直堆疊技術(shù)可使3D架構(gòu)在單個(gè)裸片上實(shí)現(xiàn)4Gb的存儲(chǔ)密度，而2D架構(gòu)的最大密度僅為512Mb。目前一般商用2D NOR flash最高容量在2Gb左右，需要堆疊4顆512Mb芯片，而旺宏的3DNOR flash單芯片實(shí)現(xiàn)4Gb，無需改變封裝方式，避免堆疊封裝鍵合對(duì)芯片可靠性的影響，滿足更高的質(zhì)量要求。還可以通過引入堆疊裸片配置來支持更高密度的應(yīng)用，以提供高達(dá)8Gb的存儲(chǔ)空間。

與2D NORFlash相比，旺宏最新的32層3D NORFlash在單個(gè)芯片中提供8倍的容量，具有更快的擦除和編程性能。該3D NORFlash支持高速OctaFlash和傳統(tǒng)QSPI接口，200MHz DDR，100K耐久性，具有汽車級(jí)可靠性和ISO26262功能安全性。

去年，旺宏電子董事長(zhǎng)吳敏求表示，新品3D NOR國際客戶詢問度高，預(yù)計(jì)明年推出樣品，根據(jù)測(cè)試結(jié)果最快有望2026年下半年推出，產(chǎn)品容量達(dá)4Gb，用于車用控制系統(tǒng)。

市場(chǎng)預(yù)期

華邦電子表示，基于原物料成本上升及終端需求回溫，NOR價(jià)格預(yù)期自2025年第3季起將持續(xù)上漲，另外預(yù)期SLC NAND的供給在接下來幾個(gè)季度仍將維持吃緊，推升價(jià)格進(jìn)一步上漲。

針對(duì)存儲(chǔ)進(jìn)入超級(jí)循環(huán)周期的說法，旺宏電子吳敏求認(rèn)為，目前仍難斷言，不過，價(jià)格確實(shí)在漲，也確實(shí)有缺貨現(xiàn)象，但要說缺口多大、能維持多久，現(xiàn)在都言之過早。

兆易創(chuàng)新表示，今年NOR Flash產(chǎn)品的開始漲價(jià)更多集中在中高端的產(chǎn)品，尤其是面向AI服務(wù)器的應(yīng)用。同時(shí)，目前中小容量NOR Flash產(chǎn)品也出現(xiàn)漲價(jià)趨勢(shì)。NOR Flash整體產(chǎn)能是聯(lián)動(dòng)的，其中大容量產(chǎn)品單顆價(jià)值高，對(duì)產(chǎn)能的消耗量大，在供應(yīng)出現(xiàn)緊缺的時(shí)候，大容量產(chǎn)品會(huì)較早出現(xiàn)漲價(jià)，并逐漸傳導(dǎo)到中小容量產(chǎn)品。

兆易創(chuàng)新進(jìn)一步認(rèn)為，NOR Flash已經(jīng)處于相對(duì)成熟發(fā)展階段，行業(yè)的增長(zhǎng)主要來源于代碼量的提升，當(dāng)前端側(cè)AI的發(fā)展進(jìn)一步推動(dòng)NOR Flash容量需求的提升，近期三方咨詢機(jī)構(gòu)已經(jīng)把行業(yè)CAGR從5~7%上調(diào)至8%。NOR Flash也處于為溫和漲價(jià)周期中，源于產(chǎn)能端的緊缺，公司順應(yīng)市場(chǎng)需求變化對(duì)價(jià)格做出適當(dāng)調(diào)整，9月開始陸續(xù)落地。

長(zhǎng)期來看，兆易創(chuàng)新將繼續(xù)推動(dòng)NOR Flash市場(chǎng)份額的提升，F(xiàn)abless的商業(yè)模式使我們?cè)谠黾赢a(chǎn)能方面可以相對(duì)靈活。繼續(xù)推動(dòng)NOR Flash在工業(yè)、汽車、端側(cè)AI和海外市場(chǎng)市占率的提升。堅(jiān)持全球化布局，包括海外供應(yīng)鏈的布局。

考慮到NORFlash產(chǎn)品的產(chǎn)能彈性不足。如果公司產(chǎn)品能取得更大的市占率，會(huì)與晶圓廠爭(zhēng)取更多的產(chǎn)能支持。在目前產(chǎn)能緊張的情況下，明年產(chǎn)品成本會(huì)有上升，公司會(huì)與核心供應(yīng)商積極協(xié)商，爭(zhēng)取得到產(chǎn)能和價(jià)格上的支持。

隨著AI應(yīng)用的推廣，代碼總量在不斷上升，長(zhǎng)期看對(duì)NOR Flash產(chǎn)品總的容量需求維持長(zhǎng)期穩(wěn)定增長(zhǎng)的狀態(tài)，預(yù)期NOR Flash會(huì)處于供需相對(duì)偏緊的狀態(tài)。預(yù)計(jì)NOR Flash明年全年仍會(huì)維持價(jià)格整體溫和上漲的節(jié)奏。

恒爍目前NOR FLASH量產(chǎn)出貨的容量范圍為1Mb - 256Mb,其中32Mb - 128Mb容量區(qū)間產(chǎn)品占公司NOR FLASH 營收的 60%。一方面由于代工和封測(cè)成本壓力,另一方面受益于整體存儲(chǔ)市場(chǎng)行情向好,且NOR FLASH 價(jià)格在底部徘徊已久,疊加下游客戶對(duì)于未來價(jià)格預(yù)期的變化,NOR FLASH有望在四季度實(shí)現(xiàn)價(jià)格上漲,具體漲價(jià)幅度及落地情況還要根據(jù)后續(xù)訂單實(shí)現(xiàn)情況確定。