TPL0401x-10 設(shè)備是一款單通道線性錐形數(shù)字電位器，擁有 128 個擦拭位置。TPL0401x-10 的低端位于內(nèi)部并連接到 GND。滑動器的位置可以通過 I 鍵進行調(diào)節(jié)^2^C接口。TPL0401x-10 是提供6針SC70封裝，指定溫度范圍為–40°C至+125°C。該部件端到端電阻為10 kΩ，電源電壓范圍為2.7 V至5.5 V。此類產(chǎn)品廣泛用于低功耗DDR3的電壓參考設(shè)置 記憶。

TPL0401x-10的低壓端子內(nèi)置并連接到GND。
*附件：tpl0401a-10.pdf

特性

• 單通道，128位分辨率
• 10-kΩ端到端電阻選項
• 低溫系數(shù)：22 ppm/°C
• 我^2^C 串行接口
• 2.7伏至5.5伏單電源工作
• ±20%的阻力容忍度
• A和B版本的I不同^2^C 地址
• L端子是內(nèi)部的，連接到GND
• 工作溫度：–40°C至+125°C
• 提供行業(yè)標準SC70封裝
• 根據(jù)JESD 22測試的ESD性能
  • 2000-V人體模型（A114-B，II類）

參數(shù)

方框圖

TPL0401x-10 是德州儀器（TI）推出的單通道線性抽頭數(shù)字電位器系列，包含 TPL0401A-10 和 TPL0401B-10 兩個版本（僅 I2C 地址不同），具備 128 級分辨率、10 kΩ 端到端電阻，支持 2.7V-5.5V 單電源供電，通過 I2C 接口實現(xiàn) wiper 位置編程，適用于機械電位器替換、可調(diào)電源、放大器增益調(diào)節(jié)、傳感器校準等場景。

一、芯片基礎(chǔ)信息與核心特性

1. 基礎(chǔ)規(guī)格

• 文檔與型號 ：文檔編號 SLIS144B，2011 年 9 月發(fā)布、2017 年 2 月修訂；TPL0401A-10 I2C 地址 0101110，TPL0401B-10 地址 0111110，引腳與功能完全一致。
• 供電與溫度 ：電源電壓（VDD）2.7V-5.5V，工作溫度 - 40°C 至 125°C，存儲溫度 - 65°C 至 150°C，結(jié)溫最高 130°C。
• 封裝與散熱 ：6 引腳 SC70 封裝（2.00mm×1.25mm），結(jié)到環(huán)境熱阻 234°C/W，體積小巧適合空間受限場景。

2. 核心性能指標

• 電阻與線性度 ：端到端電阻（R_TOTAL）8 kΩ-12 kΩ（典型 10 kΩ），wiper 電阻（R_W）35Ω-100Ω，端子電阻（R_H）100Ω-200Ω；溫度系數(shù) 22 ppm/°C，確保寬溫范圍內(nèi)穩(wěn)定性。
• 分辨率與精度 ：128 級 wiper 位置（0x00-0x7F），分壓模式下 INL±0.5 LSB、DNL±0.25 LSB，零刻度誤差 0-1.5 LSB，滿刻度誤差 - 1.5-0 LSB，線性度優(yōu)異。
• 接口與功耗 ：支持 I2C 標準模式（100 kHz）和快速模式（400 kHz）；待機電流（I_DD (STBY)）最高 1.5 μA（-40°C 至 125°C），功耗極低。
• ESD 與可靠性 ：人體放電模型（HBM）±2500 V，帶電器件模型（CDM）±1000 V，具備良好靜電防護能力；wiper 最大連續(xù)電流 ±2 mA，端子（H/W）最大 ±5 mA。

二、關(guān)鍵功能模塊與工作原理

1. 核心功能模塊

• 單通道數(shù)字電位器架構(gòu) ：
  • 包含高端子（H）、wiper 端子（W）、低端子（L），L 端子內(nèi)部接地，無需外部連接；端到端電阻 10 kΩ，wiper 可在 H 和 L 之間 128 級可調(diào)，實現(xiàn)分壓或可變電阻功能。
  • 支持兩種工作模式：分壓模式（H、W、L 均使用，輸出電壓與 wiper 位置成正比）和變阻器模式（利用 H-W 或 W-L 間可變電阻），滿足不同應(yīng)用需求。
• I2C 接口控制 ：
  • 通過 I2C 總線寫入 8 位寄存器配置 wiper 位置，寫入時最高位自動丟棄（如寫入 0xFF 實際為 0x7F）；支持讀回當(dāng)前 wiper 位置，便于系統(tǒng)校驗。
  • 上電默認 wiper 位置為 0x40（中間位置，對應(yīng) 50% 分壓），無掉電保持功能，重新上電后恢復(fù)默認值。
• 關(guān)鍵電氣特性 ：
  • 分壓模式帶寬 2862 kHz（10 pF 負載），wiper 切換建立時間 0.152 μs，響應(yīng)速度快；總諧波失真（THD+N）0.03%，信號完整性優(yōu)異。
  • 端子電容 H 端 10 pF、W 端 11 pF，寄生參數(shù)小，適配高頻場景。

2. 工作原理

• 本質(zhì)為數(shù)字化控制的可變電阻網(wǎng)絡(luò)，通過 I2C 接口接收主機指令，將 wiper 定位到 128 個抽頭中的指定位置，改變 H-W 和 W-L 間的電阻比例。
• 分壓模式下，輸出電壓 V_W = (V_H - V_L) × (D/128)（D 為 wiper 位置十進制值，0≤D≤127），V_L 固定為 GND，因此 V_W 與 V_H 和 wiper 位置線性相關(guān)；變阻器模式下，直接利用 H-W 或 W-L 間的可變電阻實現(xiàn)阻抗調(diào)節(jié)。

三、應(yīng)用場景與設(shè)計建議

1. 典型應(yīng)用

• 機械電位器替換 ：替代傳統(tǒng)電位器，消除機械磨損、接觸不良問題，提升系統(tǒng)可靠性。
• 可調(diào)電源與校準 ：用于基準電壓調(diào)節(jié)（如 DDR3 內(nèi)存參考電壓校準）、閾值電壓設(shè)定，通過編程實現(xiàn)精確校準。
• 放大器增益與偏移調(diào)節(jié) ：配合運算放大器，通過改變反饋電阻比例調(diào)節(jié)增益，或?qū)崿F(xiàn)偏移電壓微調(diào)。
• 傳感器校準 ：補償傳感器個體差異，通過 wiper 位置編程修正測量偏差。

2. 設(shè)計注意事項

• 電源與上電序列 ：需先啟動 VDD，再為 SDA、SCL、H/W 端子施加電壓，避免保護二極管正向?qū)?；上電后需等?120 μs 再啟動 I2C 通信，確保芯片穩(wěn)定。
• I2C 總線設(shè)計 ：SDA 和 SCL 線需盡量短（建議 5-10 mil 線寬），減少寄生電容；總線需外接上拉電阻，參考 TI I2C 總線拉電阻計算指南選型。
• 布局與 decoupling ：VDD 引腳就近并聯(lián) 0.1 μF-10 μF 電容（低 ESR 類型），濾除電源紋波；接地路徑需低阻低感，H/W 端子走線避免過長，減少負載影響。
• ESD 防護 ：芯片內(nèi)置 ESD 防護，但存儲和焊接時仍需采取防靜電措施，避免引腳懸空。

四、關(guān)鍵配置與操作要點

1. 核心功能配置

• wiper 位置編程 ：
  • 寫操作：I2C 主機發(fā)送 START→從機地址（R/W=0）→ACK→寄存器地址（0x00）→ACK→wiper 位置數(shù)據(jù)（0x00-0x7F）→ACK→STOP。
  • 讀操作：發(fā)送 START→從機地址（R/W=0）→ACK→寄存器地址（0x00）→ACK→重復(fù) START→從機地址（R/W=1）→ACK→讀取數(shù)據(jù)→NACK→STOP；支持短讀模式（直接發(fā)送讀地址，無需寄存器地址）。
• 模式選擇 ：
  • 分壓模式：同時使用 H、W、L 端子，需確保 H 端電壓高于 L 端（GND），建議通過運放緩沖輸出，避免負載影響分壓精度。
  • 變阻器模式：僅使用 H-W 或 W-L 端子，注意 wiper 電流不超過 ±2 mA，避免損壞器件。

2. 關(guān)鍵操作注意事項

• 上電后 wiper 默認位置 0x40（中間位置），無掉電保存功能，如需特定初始位置，上電后需重新編程。
• 寫入 wiper 位置時，數(shù)據(jù)最高位（bit7）會被丟棄，例如寫入 0x80 實際生效為 0x00，寫入 0xFF 生效為 0x7F。
• 寬溫場景下需考慮電阻溫度系數(shù)影響，必要時通過軟件算法補償誤差。