傾佳電子基于基本半導(dǎo)體B3M010C075Z與B3M013C120Z的15-125kW三相T型混合逆變器設(shè)計深度研究報告：顛覆性影響與技術(shù)路徑分析

傾佳電子（Changer Tech）是一家專注于功率半導(dǎo)體和新能源汽車連接器的分銷商。主要服務(wù)于中國工業(yè)電源、電力電子設(shè)備和新能源汽車產(chǎn)業(yè)鏈。傾佳電子聚焦于新能源、交通電動化和數(shù)字化轉(zhuǎn)型三大方向，并提供包括IGBT、SiC MOSFET、GaN等功率半導(dǎo)體器件以及新能源汽車連接器。

傾佳電子楊茜致力于推動國產(chǎn)SiC碳化硅模塊在電力電子應(yīng)用中全面取代進口IGBT模塊，助力電力電子行業(yè)自主可控和產(chǎn)業(yè)升級！

傾佳電子楊茜咬住SiC碳化硅MOSFET功率器件三個必然，勇立功率半導(dǎo)體器件變革潮頭：

傾佳電子楊茜咬住SiC碳化硅MOSFET模塊全面取代IGBT模塊和IPM模塊的必然趨勢！

傾佳電子楊茜咬住SiC碳化硅MOSFET單管全面取代IGBT單管和大于650V的高壓硅MOSFET的必然趨勢！

傾佳電子楊茜咬住650V SiC碳化硅MOSFET單管全面取代SJ超結(jié)MOSFET和高壓GaN 器件的必然趨勢！

1. 執(zhí)行摘要

隨著全球能源結(jié)構(gòu)向分布式可再生能源轉(zhuǎn)型，工商業(yè)（C&I）光儲一體化系統(tǒng)正迎來爆發(fā)式增長。在這一背景下，15kW至125kW功率段的三相混合逆變器成為了連接光伏組件、儲能電池與交流電網(wǎng)的核心樞紐。當(dāng)前，基于硅基IGBT的傳統(tǒng)T型三電平拓撲設(shè)計雖已成熟，但在面對高頻化、高功率密度及極致效率（>99%）的市場需求時，正逐漸觸及物理極限。傾佳電子深入剖析了基本半導(dǎo)體（BASIC Semiconductor）推出的兩款第三代碳化硅（SiC）MOSFET——750V的B3M010C075Z與1200V的B3M013C120Z，旨在全面評估其應(yīng)用于T型三電平拓撲時的技術(shù)顛覆性與系統(tǒng)級影響。

本研究通過對器件靜態(tài)特性、動態(tài)開關(guān)行為、熱管理性能及封裝工藝的詳盡數(shù)據(jù)分析，揭示了該組合如何通過不對稱耐壓配置（Asymmetric Blocking Voltage Configuration）重塑T型拓撲的設(shè)計范式。研究發(fā)現(xiàn)，B3M010C075Z憑借其10mΩ的超低導(dǎo)通電阻與750V的耐壓優(yōu)勢，完美適配中點鉗位支路，解決了傳統(tǒng)650V器件在1100V直流母線下的可靠性隱憂；而B3M013C120Z則以銀燒結(jié)工藝與開爾文源極封裝，確立了主功率路徑的高頻硬開關(guān)新基準(zhǔn)。二者協(xié)同工作，不僅將系統(tǒng)開關(guān)頻率潛力從傳統(tǒng)的16-20kHz提升至40-60kHz以上，更使得磁性元件體積縮減30%-50%，并在全負載范圍內(nèi)實現(xiàn)了效率曲線的扁平化優(yōu)化。傾佳電子將從器件物理、拓撲運行機理、系統(tǒng)無源元件設(shè)計及經(jīng)濟性分析等多個維度，為電力電子設(shè)計工程師提供一份詳盡的各種技術(shù)洞察與實施指南。

2. 15-125kW工商業(yè)逆變器的技術(shù)演進與挑戰(zhàn)

2.1 混合逆變器（Hybrid Inverter）的功能復(fù)雜性

與傳統(tǒng)的并網(wǎng)逆變器不同，混合逆變器必須同時管理光伏輸入（DC）、電池儲能（DC）與電網(wǎng)（AC）之間的能量流動。在15-125kW的工商業(yè)應(yīng)用場景中，這種復(fù)雜性被進一步放大：

雙向功率流需求：設(shè)備不僅需要將光伏電能轉(zhuǎn)換為交流電并網(wǎng)，還需具備從電網(wǎng)或光伏向電池高效充電的能力（整流模式）。這對功率器件的第三象限特性提出了嚴苛要求。

寬電壓范圍適應(yīng)性：為了降低線纜損耗，現(xiàn)代光伏系統(tǒng)的直流母線電壓正逐步向1100V甚至1500V演進，而電池組電壓范圍則寬至200V-900V。逆變器必須在極寬的電壓增益范圍內(nèi)保持高效運行。

環(huán)境適應(yīng)性與維護成本：C&I設(shè)備常安裝于戶外屋頂或設(shè)備間，高溫、高濕環(huán)境要求設(shè)備具備極高的防護等級（IP65/IP66）。這對散熱設(shè)計提出了巨大挑戰(zhàn)，無風(fēng)扇或少風(fēng)扇設(shè)計成為趨勢。

2.2 T型三電平拓撲（T-Type NPC）的物理局限

T型中點鉗位拓撲因其兼具兩電平拓撲的低導(dǎo)通損耗（長換流路徑僅經(jīng)過一個開關(guān)管）和I型三電平拓撲的低開關(guān)損耗特性，長期統(tǒng)治著該功率段市場。然而，基于硅基IGBT的T型方案面臨著不可逾越的物理障礙：

3. 核心器件深度表征與物理特性分析

為突破上述瓶頸，引入寬禁帶（WBG）半導(dǎo)體技術(shù)成為必然?；景雽?dǎo)體的B3M010C075Z和B3M013C120Z并非通用的SiC MOSFET，而是針對T型拓撲的非對稱電壓需求進行了精準(zhǔn)定義的專用器件。

3.1 B3M010C075Z：中點鉗位路徑的性能怪獸 (750V SiC MOSFET)

該器件被定義為T型拓撲中連接中性點與交流輸出端的關(guān)鍵組件（T2/T3管）。其750V的額定電壓打破了650V與1200V的傳統(tǒng)二元對立，為中壓應(yīng)力點提供了最優(yōu)解。

3.1.1 靜態(tài)特性與導(dǎo)通損耗機制

B3M010C075Z在VGS=18V及TJ=25°C條件下，典型導(dǎo)通電阻RDS(on)僅為10mΩ。更具顛覆性的是其高溫特性：在TJ=175°C的極限結(jié)溫下，電阻僅上升至12.5mΩ。

這一特性對于中點開關(guān)管至關(guān)重要。在T型拓撲中，T2/T3管主要負責(zé)續(xù)流和零電平輸出，其導(dǎo)通占空比在某些調(diào)制策略下可能非常高。相比同規(guī)格IGBT在高溫下Vce(sat)的顯著增加，SiC MOSFET的正溫度系數(shù)電阻雖然存在，但增幅極小，且無拐點電壓（Knee Voltage），使得在部分負載下的傳導(dǎo)損耗呈現(xiàn)幾何級數(shù)下降。

3.1.2 動態(tài)電容與開關(guān)能量

器件的寄生電容直接決定了開關(guān)速度和損耗。B3M010C075Z的輸入電容Ciss為5500pF，而反向傳輸電容Crss（米勒電容）僅為19pF。極低的Crss意味著米勒平臺極短，允許極快的電壓變化率（dv/dt）。

開關(guān)能量 (Esw)：在500V/80A的典型工況下，開啟能量Eon為910μJ，關(guān)斷能量Eoff為625μJ。這意味著單次開關(guān)的總損耗僅為1.5mJ左右，是同電流等級IGBT（通常在10mJ-20mJ）的十分之一甚至更低。這為將中點開關(guān)頻率提升至50kHz以上提供了物理基礎(chǔ)。

3.2 B3M013C120Z：高壓主開關(guān)的堅實支柱 (1200V SiC MOSFET)

作為連接直流母線正負極的主開關(guān)（T1/T4），B3M013C120Z必須承受全母線電壓，同時保證極低的損耗。

3.2.1 耐壓與阻抗的極致平衡

在1200V耐壓等級下實現(xiàn)13.5mΩ的導(dǎo)通電阻 是材料科學(xué)的重大突破。傳統(tǒng)硅基MOSFET在1000V以上由于漂移區(qū)電阻急劇增加，幾乎無法在單芯片上實現(xiàn)如此低的阻抗。B3M013C120Z不僅實現(xiàn)了這一指標(biāo)，且在175°C時電阻僅增至23mΩ。這意味著在125kW的高功率輸出時，即使器件處于熱穩(wěn)定狀態(tài)，其導(dǎo)通損耗依然可控，從而減輕了對散熱系統(tǒng)的依賴。

3.2.2 柵極電荷與驅(qū)動優(yōu)化

該器件的總柵極電荷QG僅為225nC 。在設(shè)計高頻驅(qū)動電路時，驅(qū)動功率Pdr=QG×Vgs×fsw。

數(shù)據(jù)對比：同功率等級的1200V IGBT模塊，其QG通常高達1000nC-2000nC。

設(shè)計洞察：使用B3M013C120Z，驅(qū)動電源的功率需求降低了約80%。這允許設(shè)計者使用更小巧、成本更低的隔離電源變壓器和驅(qū)動IC，從而在PCB寸土寸金的混合逆變器控制板上節(jié)省寶貴空間。

3.3 共有核心技術(shù)：封裝與互連工藝的革命

兩款器件均采用了TO-247-4封裝與銀燒結(jié)技術(shù)，這并非簡單的包裝升級，而是釋放SiC芯片潛能的關(guān)鍵使能技術(shù)。

3.3.1 銀燒結(jié) (Silver Sintering) 的熱學(xué)優(yōu)勢

傳統(tǒng)功率器件采用錫焊（Soldering）將芯片貼裝于銅底板，焊料層的熱導(dǎo)率和熔點是限制器件高溫可靠性的短板?；景雽?dǎo)體在B3M010C075Z和B3M013C120Z中全線引入銀燒結(jié)工藝。

熱阻數(shù)據(jù)：兩款器件的結(jié)殼熱阻Rth(j?c)均被壓低至0.20 K/W 。

工程意義：銀燒結(jié)層的熱導(dǎo)率是錫焊料的5-6倍，熔點更是高達960°C（遠高于錫焊的220°C）。這不僅極大地降低了熱阻，使得芯片產(chǎn)生的熱量能瞬間傳導(dǎo)至散熱器，更徹底消除了功率循環(huán)中因熱膨脹系數(shù)不匹配導(dǎo)致的焊層疲勞失效風(fēng)險。對于設(shè)計壽命長達10年甚至20年的光伏逆變器而言，這是可靠性的一次質(zhì)的飛躍。

3.3.2 開爾文源極 (Kelvin Source) 的電學(xué)解耦

TO-247-4封裝引入了第4引腳——開爾文源極（Pin 3）。在傳統(tǒng)TO-247-3封裝中，源極引線電感Ls（通常約5-10nH）同時處于主功率回路和柵極驅(qū)動回路中。

機理分析：當(dāng)電流快速變化時（高di/dt），Ls上會產(chǎn)生感應(yīng)電動勢VLs=Ls×di/dt。這個電壓直接反向串聯(lián)在驅(qū)動回路中，形成負反饋，減緩開關(guān)速度，增加開關(guān)損耗。

性能釋放：通過將驅(qū)動回路的參考地獨立引出（Kelvin Source），B3M013C120Z和B3M010C075Z成功旁路了主回路電感的影響。這使得器件能夠以超過3000A/μs甚至更高的di/dt進行開關(guān) ，從而將開關(guān)損耗壓縮至極限。

4. T型三電平拓撲中的協(xié)同效應(yīng)與工作模態(tài)分析

將750V和1200V兩款器件結(jié)合應(yīng)用于T型拓撲，構(gòu)建了一種“混合電壓等級全碳化硅”架構(gòu)。我們將通過分析具體的換流回路，來揭示這種組合的優(yōu)越性。

4.1 拓撲結(jié)構(gòu)定義

縱向橋臂 (Main Leg)：由兩個B3M013C120Z (1200V) 串聯(lián)組成，分別連接DC+和DC-。定義上管為T1，下管為T4。

橫向橋臂 (Clamp Leg)：由兩個B3M010C075Z (750V) 反向串聯(lián)（共源極或共漏極）組成，連接交流輸出點與直流中點(N)。定義為T2和T3。

4.2 換流模態(tài)分析 (Commutation Loop Analysis)

4.2.1 正半周：T1與T3的換流 (P狀態(tài) ? O狀態(tài))

當(dāng)逆變器輸出正電壓時，電流在主開關(guān)T1（連接DC+）和鉗位開關(guān)T3（連接中點N）之間切換。

T1導(dǎo)通 (P狀態(tài))：電流流經(jīng)T1。B3M013C120Z的13.5mΩ低阻抗確保導(dǎo)通損耗極低。此時T3承受阻斷電壓，約為半母線電壓（例如400V-500V）。T2保持常通。

T1關(guān)斷 -> T3續(xù)流 (死區(qū)時間)：T1關(guān)斷，電感電流迫使T3的體二極管導(dǎo)通。此時，750V器件B3M010C075Z的體二極管特性介入。

T3導(dǎo)通 (O狀態(tài))：死區(qū)結(jié)束后，T3溝道打開。由于是SiC MOSFET，電流從體二極管轉(zhuǎn)移到溝道（同步整流）。

關(guān)鍵洞察：B3M010C075Z的體二極管壓降較高（~3.6V 1），但溝道電阻極低（10mΩ）。因此，精確控制死區(qū)時間至關(guān)重要。一旦溝道導(dǎo)通，壓降瞬間降至10mΩ×50A=0.5V，遠低于IGBT二極管的壓降。

4.2.2 負半周：T4與T2的換流 (N狀態(tài) ? O狀態(tài))

同理，負半周由T4（B3M013C120Z）和T2（B3M010C075Z）配合工作。

4.3 反向恢復(fù)損耗的“歸零”

在傳統(tǒng)的IGBT T型方案中，當(dāng)T3續(xù)流結(jié)束，T1再次開啟時，T3的二極管必須經(jīng)歷反向恢復(fù)過程。IGBT配套的FRD通常具有較大的反向恢復(fù)電荷Qrr和反向恢復(fù)時間trr，這會導(dǎo)致T1開啟瞬間產(chǎn)生巨大的電流尖峰，不僅增加損耗，還是EMI的主要源頭。

SiC的優(yōu)勢：B3M010C075Z的體二極管反向恢復(fù)電荷Qrr僅為460nC 1，且其恢復(fù)特性是“硬”的，幾乎沒有拖尾。更重要的是，由于大部分續(xù)流時間電流流經(jīng)MOSFET溝道而非二極管，二極管中積累的少數(shù)載流子極少（SiC本身為多子器件），實際上幾乎消除了反向恢復(fù)損耗。這意味著T1的開啟損耗（Eon）不再受限于對管的Qrr，從而大幅降低了總開關(guān)損耗。

4.4 電壓等級匹配的安全性分析

在1100V直流母線系統(tǒng)中，中點鉗位管需承受VDC/2=550V的靜態(tài)電壓。

650V IGBT方案：650V?550V=100V裕量。在開關(guān)暫態(tài)下，由于雜散電感引起的電壓尖峰往往超過100V，設(shè)計者必須使用復(fù)雜的吸收電路（Snubber）或極其激進的柵極電阻來減緩開關(guān)速度，這犧牲了效率。

750V SiC方案 (B3M010C075Z)：750V?550V=200V裕量。這額外的100V裕量是巨大的設(shè)計紅利。它允許設(shè)計者減少甚至移除吸收電路，并使用更快的開關(guān)速度，同時在面對宇宙射線誘導(dǎo)的單粒子燒毀（SEB）風(fēng)險時具有更高的魯棒性。

5. 系統(tǒng)級顛覆性影響評估

5.1 開關(guān)頻率提升與無源元件小型化

利用B3M010C075Z和B3M013C120Z構(gòu)建的T型拓撲，其開關(guān)損耗的降低允許將開關(guān)頻率從傳統(tǒng)的16kHz提升至40kHz-60kHz，甚至更高。這一變化對無源元件產(chǎn)生了連鎖反應(yīng)：

對于125kW機型，電感器的重量往往占據(jù)整機重量的30%以上。頻率提升帶來的電感小型化，直接使整機重量減輕20kg以上，使得原本需要吊車安裝的設(shè)備變?yōu)殡p人搬運成為可能，極大降低了安裝運維成本（OPEX）。

5.2 熱管理系統(tǒng)的重構(gòu)：邁向無風(fēng)扇設(shè)計

在15-30kW功率段，B3M010C075Z (240A) 和 B3M013C120Z (180A) 的電流能力存在巨大裕量。結(jié)合銀燒結(jié)帶來的0.20 K/W低熱阻，器件溫升被顯著抑制。

設(shè)計變革：這使得設(shè)計者可以嘗試在25kW甚至30kW機型上取消強制風(fēng)冷，轉(zhuǎn)而采用自然散熱設(shè)計。無風(fēng)扇設(shè)計消除了逆變器中唯一的機械運動部件，解決了風(fēng)扇壽命短、易積灰、易進水汽的痛點，將產(chǎn)品的平均無故障時間（MTBF）提升至新的高度，特別適合沙漠、海邊等惡劣環(huán)境。

功率密度：在需要風(fēng)扇的100-125kW大功率段，SiC方案允許在保持原有50kW-60kW機箱尺寸的前提下，將功率翻倍，極大地提升了功率密度。

5.3 電池充放電效率的極致優(yōu)化

混合逆變器的核心競爭力之一是儲能循環(huán)效率。

第三象限傳導(dǎo)：在電池充電（整流）模式下，電流反向流經(jīng)開關(guān)管。B3M010C075Z和B3M013C120Z的同步整流特性（Synchronous Rectification）在此發(fā)揮關(guān)鍵作用。通過主動控制柵極，在反向電流期間導(dǎo)通溝道，利用RDS(on)特性代替二極管導(dǎo)通。

數(shù)據(jù)推演：假設(shè)充電電流為100A。若流經(jīng)二極管（壓降~4V），損耗為400W；若流經(jīng)溝道（1200V管阻抗13.5mΩ），損耗僅為1002×0.0135=135W。損耗降低了66%。在整個電池充放電循環(huán)中，這種效率提升直接轉(zhuǎn)化為用戶的經(jīng)濟收益。

5.4 并聯(lián)擴容策略 (針對100-125kW應(yīng)用)

對于125kW的高功率設(shè)計，單管電流可能不足。B3M010C075Z和B3M013C120Z表現(xiàn)出優(yōu)異的并聯(lián)特性。

正溫度系數(shù)電阻：兩款器件的RDS(on)均隨溫度升高而增加 。這是一種天然的均流機制：如果并聯(lián)的某一只管子電流過大導(dǎo)致溫度升高，其電阻會增加，自動迫使電流流向溫度較低的管子，防止熱失控。

閾值電壓一致性：雖然數(shù)據(jù)手冊給出的VGS(th)范圍較寬（1.9V-3.5V），但在實際并聯(lián)設(shè)計中，通過篩選或特定的驅(qū)動電路設(shè)計，可以確保良好的動態(tài)均流。建議采用2-3個器件并聯(lián)，配合PCB疊層母排技術(shù)，可替代昂貴的功率模塊，大幅降低BOM成本。

6. 應(yīng)用指南與設(shè)計風(fēng)險規(guī)避

盡管優(yōu)勢明顯，但將SiC MOSFET應(yīng)用于T型拓撲并非簡單的“原位替換”，設(shè)計者需注意以下關(guān)鍵點：

6.1 柵極驅(qū)動設(shè)計：應(yīng)對高dv/dt

SiC MOSFET的高速開關(guān)（tr/tf < 20ns ）會產(chǎn)生極高的dv/dt（>50V/ns）。這可能通過米勒電容Crss向柵極耦合干擾電流，導(dǎo)致誤導(dǎo)通（Crosstalk）。

對策：

負壓關(guān)斷：必須使用-3V至-5V的負壓關(guān)斷，以提高噪聲容限。數(shù)據(jù)手冊推薦VGS(op)=?5/18V 。

米勒鉗位 (Miller Clamp)：驅(qū)動電路應(yīng)包含有源米勒鉗位功能，在關(guān)斷期間提供低阻抗路徑。

獨立源極布線：務(wù)必嚴格利用TO-247-4的開爾文源極（Pin 3），驅(qū)動回路地與功率回路地只能在芯片內(nèi)部一點連接。

6.2 死區(qū)時間 (Dead Time) 的精細化管理

由于SiC MOSFET體二極管導(dǎo)通壓降高（~3.6V-4.0V），過長的死區(qū)時間會導(dǎo)致巨大的二極管導(dǎo)通損耗。

計算：假設(shè)死區(qū)時間為1μs，開關(guān)頻率50kHz，電流100A，二極管壓降4V。僅死區(qū)造成的損耗就高達4V×100A×1μs×50kHz×2=40W（每相）。

優(yōu)化：鑒于B3M系列極快的開關(guān)速度，建議將死區(qū)時間縮短至100ns-200ns區(qū)間。這不僅降低了損耗，還改善了輸出電壓的諧波失真（THD）。

6.3 短路保護 (Short Circuit Protection)

SiC MOSFET的芯片面積通常小于同電流等級的IGBT，熱容較小，短路耐受時間（SCWT）較短（通常<3μs）。

方案：傳統(tǒng)的去飽和檢測（Desat）可能響應(yīng)太慢。建議采用基于分流器（Shunt）或Rogowski線圈的快速電流檢測方案，或使用專用的SiC驅(qū)動芯片，確保在2μs內(nèi)完成關(guān)斷保護。

7. 經(jīng)濟性分析與市場競爭力

7.1 BOM成本分析

雖然SiC單管的價格高于IGBT單管，但系統(tǒng)級成本（System BOM）往往持平甚至更低：

增加項：SiC功率器件成本。

減少項：

散熱器鋁材用量（-30%）。

輸出濾波電感銅材與磁芯（-50%）。

機箱結(jié)構(gòu)件（體積減小帶來的材料節(jié)省）。

運輸與安裝人工成本。

7.2 LCOE (平準(zhǔn)化度電成本) 貢獻

對于最終用戶，SiC逆變器帶來的價值是全生命周期的。

發(fā)電量提升：99%的峰值效率和更寬的高效區(qū)間，使得在早晚弱光和云遮遮擋條件下，SiC逆變器能多發(fā)約1%-1.5%的電量。

壽命延長：更低的工作溫度和無風(fēng)扇設(shè)計，延長了設(shè)備的使用壽命，減少了更換備件的頻率。

8. 結(jié)論

深圳市傾佳電子有限公司（簡稱“傾佳電子”）是聚焦新能源與電力電子變革的核心推動者：
傾佳電子成立于2018年，總部位于深圳福田區(qū)，定位于功率半導(dǎo)體與新能源汽車連接器的專業(yè)分銷商，業(yè)務(wù)聚焦三大方向：
新能源：覆蓋光伏、儲能、充電基礎(chǔ)設(shè)施；
交通電動化：服務(wù)新能源汽車三電系統(tǒng)（電控、電池、電機）及高壓平臺升級；
數(shù)字化轉(zhuǎn)型：支持AI算力電源、數(shù)據(jù)中心等新型電力電子應(yīng)用。
公司以“推動國產(chǎn)SiC替代進口、加速能源低碳轉(zhuǎn)型”為使命，響應(yīng)國家“雙碳”政策（碳達峰、碳中和），致力于降低電力電子系統(tǒng)能耗。
需求SiC碳化硅MOSFET單管及功率模塊，配套驅(qū)動板及驅(qū)動IC，請?zhí)砑觾A佳電子楊茜微芯（壹叁貳 陸陸陸陸 叁叁壹叁）

綜合評估表明，基本半導(dǎo)體的B3M010C075Z (750V) 與 B3M013C120Z (1200V) 組合，為15-125kW三相混合逆變器提供了一套幾近完美的T型三電平解決方案。這一組合不僅從物理層面解決了傳統(tǒng)方案在電壓應(yīng)力、開關(guān)損耗和熱管理方面的痛點，更通過銀燒結(jié)和開爾文封裝等先進工藝，釋放了SiC材料的全部潛能。

對于逆變器研發(fā)團隊而言，采納這一方案意味著能夠設(shè)計出體積更小、重量更輕、效率更高且更可靠的新一代產(chǎn)品。這不僅是技術(shù)參數(shù)的升級，更是在競爭激烈的工商業(yè)光儲市場中構(gòu)建差異化競爭優(yōu)勢的戰(zhàn)略支點。隨著產(chǎn)能的釋放和成本的進一步優(yōu)化，預(yù)計這種“1200V + 750V”的全SiC T型架構(gòu)將在未來3-5年內(nèi)徹底取代IGBT方案，成為該功率段的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)。

審核編輯 黃宇