電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報道 在電動汽車進(jìn)入800V及以上的高壓平臺時代，牽引逆變器、OBC等領(lǐng)域中，三電平拓?fù)湔陔S著系統(tǒng)效率的需求，逐步得到落地。而在光伏、工業(yè)電源等領(lǐng)域，三電平拓?fù)湟惨呀?jīng)在一些功率模塊產(chǎn)品上應(yīng)用。

三電平拓?fù)渫ㄟ^中點鉗位或雙向開關(guān)結(jié)構(gòu)，使輸出電壓呈現(xiàn)正、零、負(fù)三個電平狀態(tài)，相比傳統(tǒng)兩電平拓?fù)溆袔讉€主要優(yōu)勢。首先是電壓應(yīng)力減半的器件保護(hù)機制，所有功率器件僅承受直流母線電壓的 1/2，例如 800V 平臺中單個器件耐壓需求降至 400V 級。這一特性允許采用低壓功率半導(dǎo)體構(gòu)建高壓系統(tǒng)，而低壓器件通常具備更低的導(dǎo)通電阻和更快的開關(guān)速度，為效率提升奠定基礎(chǔ)。

其次是多維損耗優(yōu)化的量化優(yōu)勢，開關(guān)損耗顯著降低，通過減小電壓躍變（ΔU），三電平拓?fù)溟_關(guān)損耗較兩電平減少 30% 以上，配合 GaN 器件高頻特性可進(jìn)一步優(yōu)化；電機損耗有效抑制，總諧波失真（THD）降幅超 50%，hofer 實測數(shù)據(jù)顯示相電流 THD 從 69.26% 降至 31.78%，電機鐵損減少 18.3%；系統(tǒng)效率躍升，在 700-800V 電驅(qū)系統(tǒng)中，三電平 TNPC SiC 方案較兩電平 SiC 平均效率提升 1.67%，峰值提升達(dá) 12.92%。

而多種拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，還能實現(xiàn)不同應(yīng)用的差異化適配。
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NPC 型（中點鉗位）通過鉗位二極管實現(xiàn)電平鉗位，比如日本電裝推出的800V GaN 逆變器采用該結(jié)構(gòu)，輸出功率達(dá) 40kW；T 型拓?fù)湟噪p向開關(guān)替代鉗位二極管，導(dǎo)通路徑僅需兩個開關(guān)管，損耗比 NPC 低 15-20%；TNPC 型（三電平中點鉗位）融合 NPC 與 T 型優(yōu)勢，浩夫爾動力總成驗證其在 1000V + 平臺可使寄生電容損耗減少 4 倍。

在汽車800V平臺上，三電平拓?fù)湟殉蔀殛P(guān)鍵技術(shù)支撐，在牽引逆變器、OBC上都有廣泛應(yīng)用。比如雙向三電平 OBC 可實現(xiàn)充放電效率 98.5%，配合 SiC 器件使 800V 平臺充電時間縮短 50%，同時通過優(yōu)化 THD 減少電網(wǎng)諧波污染。

在未來的1000V及以上電壓平臺中，隨著電壓升高，三電平拓?fù)鋬?yōu)勢將會呈指數(shù)級放大，ΔU 減半效應(yīng)使 EMC 噪聲顯著抑制，軸承電流風(fēng)險降低，成為解決超高壓系統(tǒng)可靠性難題的核心方案。

目前在電動汽車應(yīng)用的三電平拓?fù)渲?，由于性能發(fā)揮高度依賴功率器件特性，當(dāng)前主流選型呈現(xiàn) “SiC 為主、GaN 突破、IGBT 兜底” 的格局。SiC 器件適配 T 型 / TNPC 拓?fù)涞母邏洪_關(guān)需求，其超低開關(guān)損耗特性與三電平的 ΔU 優(yōu)化形成協(xié)同效應(yīng)。有數(shù)據(jù)顯示，SiC 與 T 型拓?fù)浣Y(jié)合可使系統(tǒng)功率密度突破 25kW/L。

橫向 GaN HEMT 的高速開關(guān)能力（開關(guān)頻率達(dá) 40kHz）可進(jìn)一步降低 THD，電裝方案驗證其能減小 LC 濾波器尺寸，助力電驅(qū)系統(tǒng)小型化。

不過目前三電平拓?fù)湓谄囶I(lǐng)域的普及仍面臨兩大難題，一是中點電位平衡控制的算法優(yōu)化，二是寬禁帶器件的成本下降。隨著 8 英寸 SiC 晶圓量產(chǎn)和 GaN 垂直器件研發(fā)推進(jìn)（如電裝正在開發(fā)的大電流垂直 GaN），器件成本預(yù)計在 2027 年下降 30%，推動三電平拓?fù)湎蛑卸塑囆蜐B透。